Водоп’янов Володимир Миколайович

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 21/288, B82B 3/00

Мітки: солей, шаруватих, основі, мeno3, наночастинок, матеріалів, а3в6, спосіб, напівпровідників, мек, іонних, іонотронних, нанокомпозитних, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Номер патенту: 110751

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 31/053, H01L 31/112, H01L 31/08 ...

Мітки: наноіонний, гібридний, напівпровідниковий, фотоперетворювач

Формула / Реферат:

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...

Номер патенту: 109832

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Нетяга Віктор Васильович, Кудринський Захар Русланович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 4/06, H01G 9/15

Мітки: спосіб, конденсатора, виготовлення, наноіонного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01L 27/00, H01G 11/00, H01G 4/00 ...

Мітки: спіновий, конденсатор, високочастотний

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 104013

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович

МПК: C23C 14/54, C23C 14/28, C23C 14/58 ...

Мітки: наночастинок, закапсульованих, спосіб, нікелю, оболонки, вуглецеві, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення закапсульованих в вуглецеві оболонки наночастинок нікелю, що включає в себе випаровування матеріалу, який складається з суміші вуглецю і нікелю, електронним пучком в вакуумі, який відрізняється тим, що матеріал, який складається з суміші графіту і нікелю, нагрівають електронним пучком в вакуумі до температури, величина якої перевищує температуру плавлення нікелю (1455 °C), і витримують при цій температурі протягом...

Номер патенту: 99859

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Коноплянко Денис Юрійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/15, H01G 7/00, H01G 9/20 ...

Мітки: фотоконденсатор, нанокомпозитний

Формула / Реферат:

Нанокомпозитний фотоконденсатор, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою напівпровідникову матрицю селеніду галію з...

Номер патенту: 92377

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Кондратенко Максим Максимович, Маниліч Михайло Іванович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/203, C30B 23/02

Мітки: шарів, телуридів, індієм, одержання, фоточутлівих, розчинів, твердих, епітаксійних, олова, легованих, свинцю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм, який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу (Рb1-xSnх)1-уІnуТе1+d, де 0,34 £ х £ 0,35, 0,015 £...

Номер патенту: 80624

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Кондратенко Максим Максимович

МПК: C30B 23/02

Мітки: епітаксійних, pb1-xsnxte, спосіб, шарів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів , який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу де...

Номер патенту: 80614

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Слинько Євген Іларіонович

МПК: C30B 23/02

Мітки: квантових, свинцю, спосіб, точок, телуриду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю, який включає випаровування матеріалу, що містить телурид свинцю, і його осадження в вакуумі на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що матеріал осаджують при температурі підкладки не менше 350 °С на нижню поверхню (111) підкладки, яку деформують зовнішніми силами і створюють в перпендикулярному до площини (111) напрямі направлену від...