Кінзерська Оксана Володимирівна

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Кінзерська Оксана Володимирівна, Махній Віктор Петрович, Сенко Ілля Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 25/00

Мітки: кристалів, елементами, рідкісноземельними, легування, спосіб, znse<te&#62

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Номер патенту: 54021

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Хуснутдінов Сергій Володимирович

МПК: H01L 21/00

Мітки: гетерошарів, спосіб, отримання, оксиду, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що перед відпалом на повітрі підкладинки легують 3d-елементами методом дифузії у закритому об'ємі з парової фази.

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Кінзерська Оксана Володимирівна, Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: домішками, спосіб, цинку, селеніду, легування, перехідних, металів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...