Патенти з міткою «гетерошарів»

Номер патенту: 108145

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: модифікації, гетерошарів, гексагональної, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.

Номер патенту: 78538

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/0272, C30B 31/00, H01L 21/324 ...

Мітки: виготовлення, гетерошарів, спосіб, люмінесценцією, ультрафіолетовою

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів ZnO з ультрафіолетовою люмінесценцією, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnSe та синтез гетерошарів ZnO, який відрізняється тим, що перед синтезом гетерошарів ZnO підкладинки ZnSe відпалюють на повітрі при температурі 500±10 °C протягом 10 хв.

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: гетерошарів, спосіб, модифікації, кадмію, кубічної, селеніду, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 54021

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Хуснутдінов Сергій Володимирович, Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, отримання, цинку, гетерошарів, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що перед відпалом на повітрі підкладинки легують 3d-елементами методом дифузії у закритому об'ємі з парової фази.

Номер патенту: 31870

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Хуснутдінов Сергій Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, оксиду, цинку, гетерошарів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал, який відрізняється тим, що підготовка підкладинок здійснюється шляхом механічної та хімічної обробок підкладинок, а їх відпал проводять на повітрі при температурах 650-1150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал підкладинок ZnTe проводять при температурах 650 – 850 °С.3....