Ковальчук Мирослав Любомирович

Термоелектричний термостатуючий пристрій для елементної бази обчислювальної техніки

Завантаження...

Номер патенту: 101635

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Даналакий Олег Григорович, Ковальчук Мирослав Любомирович, Галочкин Олександр Вікторович, Спинь Уляна Романівна, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, елементної, пристрій, базі, техніки, обчислювальної, термостатуючий

Формула / Реферат:

Термоелектричний термостатуючий пристрій на основі теплорозсіюючого радіатора, термоелектричного модуля та двосекційної ємності з теплоакумулюючими матеріалами, який відрізняється тим, що розміщено додатковий кільцевий термоелектричний модуль, який розташовано між теплорозсіюючим радіатором та виступаючою перегородкою, що розділяє теплоакумулюючі матеріали.

Термоелектричний термостатуючий пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 97922

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Ковальчук Мирослав Любомирович, Даналакий Олег Григорович, Романюк Ігор Степанович, Стеценко Інна В'ячеславівна

МПК: H01L 35/10

Мітки: пристрій, термоелектричний, термостатуючий

Формула / Реферат:

Термоелектричний термостатуючий пристрій на основі теплорозсіюючого радіатора, термоелектричного модуля Пельтьє та двосекційного корпусу з теплоакумулюючими матеріалами, який відрізняється тим, що останній містить два теплових демпфера, при цьому перша секція корпусу містить тепловий демпфер мембранного типу, розміщеного у верхній частині бічної оболонки першої секції, а тепловий демпфер другої секції виконано у вигляді циліндричної гофри,...

Спосіб отримання монокристалів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Ковальчук Мирослав Любомирович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...