Раренко Іларій Михайлович

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Колісник Михайло Георгійович, Раренко Іларій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Мисевич Ігор Захарович, Демчина Любомир Андрійович, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 1/00, C30B 13/10, C30B 13/02 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, cdxzn1-xte, твердих, розчинів, cdxmn1-xte

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 99181

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Фочук Петро Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Колісник Михайло Григорович, Копач Олег Вадимович

МПК: C30B 11/00

Мітки: усунення, другої, підгрупи, включень, іі-v, телуридів, періодичної, спосіб, фазі, злитків, основі, системі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...

Номер патенту: 75715

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Михайловський Віліус Ярославович, Струтинська Любов Тимофіївна, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 13/24

Мітки: спосіб, вирощування, термоелектричного, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування термоелектричного матеріалу, що включає завантаження компонентів у кварцову ампулу, синтез матеріалу, наступну його перекристалізацію методом зонної плавки при перемішуванні зони розплаву шляхом обертання ампули навколо своєї осі, який відрізняється тим, що ампулу з термоелектричним матеріалом, яку обертають навколо своєї осі та через яку рухають зону розплаву, розташовують під кутом до вертикалі.2. Спосіб...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Ковальчук Мирослав Любомирович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...

Номер патенту: 23063

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Мельник Ігор Іванович, Ерохов Валерій Юрійович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: H01L 31/05

Мітки: сонячний, високопотужної, модуль, енергетики

Формула / Реферат:

Сонячний модуль високопотужної енергетики, що містить сонячний елемент, який складається з пластини Si р-типу, на якій розташовано тильний контакт, а на фронтальній поверхні розташовано шар діоксиду кремнію, поверх котрого розташовано шар нітриду кремнію, в якому розміщені інверсійна та струмозбираюча гребінки, який відрізняється тим, що сонячний модуль містить два і більше сонячних елементи, один з котрих є допоміжний, а інші основні,...

Номер патенту: 16376

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Конопальцева Людмила Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Бабак Олександр Костянтинович, Стріха Віталій Іларіонович

МПК: H01L 31/10

Мітки: багатоелементний, фотоприймач, бар'єром, шоткі

Формула / Реферат:

1. Многоэлементный фотоприемник с барьером Шоттки, содержащий полупроводниковый слой, на одной поверхности которого расположены две группы металлических или квазиметаллических электродов, снабженных электрическими выводами, причем по крайней мере часть электродов образует с полупроводниковым слоем барьер Шоттки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения многоканальной регистрации оптического излучения, один из электродов выполнен общим и не...

Номер патенту: 11758

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Курінний Віт Олександрович, Раренко Іларій Михайлович, Стріха Віталій Іларіонович, Бабак Олександр Костянтинович

МПК: H03M 1/22

Мітки: датчик, фотоелектричний, імпульсний

Формула / Реферат:

1. Фотоэлектрический импульсный датчик, содержащий источник излучения, первую и вто­рую подложки, на первой стороне первой подлож­ки расположен первый растр под углом b к направлению взаимного перемещения первой под­ложки относительно второй подложки, на первой стороне второй подложки, обращенной к первой стороне первой подложки, расположен второй растр под углом j к направлению взаимного пере­мещения первой подложки...