Поздєєв Володимир Григорович

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/16, C30B 15/36 ...

Мітки: парателуриту, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30, C30B 29/22 ...

Мітки: bіv0,92nb0,08o4, спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, bіv0,92nb0,08o4, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Крузіна Тетяна Володимирівна, Бочкова Тетяна Михайлівна, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 29/30, C30B 29/22, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, binbo4, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.