C30B 29/22 — складні оксиди

Номер патенту: 113816

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Космина Мирон Богданович, Радченко Ірина Олеговна, Шеховцов Олексій Миколайович, Гудзенко Людмила Василівна

МПК: C30B 29/22

Мітки: монофазної, монокристалів, спосіб, шихти, рідкісноземельно-кальцієвих, ортоборатів, вирощування, подвійних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів Ca3RE2(BO3)4, де RE - Υ або Gd, який включає послідовну термообробку в повітряному середовищі стехіометричної суміші карбонату кальцію, борної кислоти та рідкісноземельного оксиду 3CaCO3:4H3BO3:RE2O3, де RE - Y або Gd, який відрізняється тим, що термообробку проводять при послідовному нагріванні суміші реагентів до температур...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, bіv0,92nb0,08o4, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Номер патенту: 83344

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, bіv0,92nb0,08o4, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08О4, що включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту добавляють 8 мол. % п'ятиокису ніобію, кристали вирощуються зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год. та обертання...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Бочкова Тетяна Михайлівна, Крузіна Тетяна Володимирівна, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: кристалів, binbo4, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Номер патенту: 88507

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00

Мітки: шихти, наплавлення, варіанти, монокристалів, оксидів, спосіб, складних

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення шихти монокристалів складних оксидів, що включає завантаження шихти в бункер печі, розміщення його над тиглем співвісно останньому, з подальшим нагрівом, переміщення одержаного розплаву в тигель шляхом перетікання через отвір в дні бункера, витримку розплаву, після чого тигель охолоджують, починаючи з його нижньої частини, який відрізняється тим, що як піч використовують піч з індукційним нагрівачем, розміщену у...

Номер патенту: 71034

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Алєксандров Владімір Ільіч

МПК: C30B 11/04, C30B 28/00, A61B 17/32 ...

Мітки: цього, спосіб, матеріал, матеріалу, полікристалічний, одержання, виріб

Формула / Реферат:

1. Полікристалічний матеріал, що складається з кристалітів частково стабілізованого діоксиду цирконію, який відрізняється тим, що кристаліти мають голчасту або пластинкову форму довжиною не більше 0,05 мм із співвідношенням довжини і максимального поперечного перерізу щонайменше 2:1, розміщені паралельно своїм довгим осям та утворюють прямокутну решітку.2. Полікристалічний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що діоксид цирконію...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Калашников Олександр Миколайович, Катрич Микола Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Качала Володимир Юхимович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/00, C30B 11/00 ...

Мітки: монокристалів, алюмінію, оксиду, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Калашников Олександр Миколайович, Катрич Микола Петрович, Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Єфімович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, оксидів, тугоплавких, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...

Номер патенту: 16688

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загвоздкін Борис Васильович, Горішній Юрій Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Литичевський Маркс Ізрайлович

МПК: C30B 29/22, C30B 11/00

Мітки: германоевлитину, здійснення, спосіб, шихти, наплавлення, синтезу, пристрій

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза и наплавления шихты гер-маноэвлинита для выращивания кристаллов, включающий загрузку исходного сырья и нагрев его в печи, твердофазный синтез при нагреве со скоростью 10-20 град/мин, выдержку и охлажде­ние в тигле, отличающийся тем, что. с целью обес­печения полноты синтеза, улучшения качества кристаллов и снижения их себестоимости, сырье загружают в бункер, устанавливают его над тиглем и помещают в печь, предварительно...

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривоносов Євген Володимирович, Каневський Віктор Семенович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Мітки: нерознімного, оксидів, з'єднування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...