C30B 29/16 — оксиди

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/36, C30B 15/20 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, парателуриту, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Номер патенту: 111087

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Сюй Сянлін, Донелі Джон Т., Ван'єр Ноел Р.

МПК: C09C 1/04, C09C 1/16, B01J 13/00 ...

Мітки: здатністю, випромінювання, колоїдні, поглинають, кристалічні, високою, частинки, відбивною, масиві, містять

Формула / Реферат:

1. Композитна композиція, яка відбиває й поглинає випромінювання, яка включає:велику кількість колоїдних кристалів, кожний з яких включає (1) частинки, які відбивають випромінювання, скомпоновані у вигляді колоїдного масиву, і (2) поглинаючі випромінювання частинки, дисперговані в згаданих кристалах, так, що згадана композиція розсіює випромінювання в одній смузі довжин хвиль власне у всіх напрямках і поглинає випромінювання в іншій...

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Пузіков Андрій Вячеславович, Мірошников Юрій Петрович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/14

Мітки: спосіб, оксидів, монокристалів, вирощування, тугоплавких

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Номер патенту: 63945

Опубліковано: 16.02.2004

Автор: Акимов Сергій Васильович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/00

Мітки: кристалів, сполук, оксидних, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів оксидних сполук, який включає нагрів вихідної шихти, уведення в отриманий при нагріві розплав орієнтованого затравочного кристала, обертання та витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що перед нагрівом вихідну шихту піддають гідротермічній обробці.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що максимальна температура нагріву вихідної шихти не перевищує температуру плавлення...

Номер патенту: 31415

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Малоштан Сергій Миколайович, Свято Василь Петрович, Бархоленко Вячеслав Олександрович, Климович Андрій Профирович, Куц Віктор Олексійович, Развадовський Микола Альозійович, Смоляр Анатолій Сергійович, Архіпов Олександр Петрович, Гурін Володимир Григорович

МПК: C01B 13/14, C30B 29/16, C30B 28/00 ...

Мітки: переважно, матеріалів, кристалічних, оксидних, спосіб, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу кристалічних матеріалів, переважно оксидних, згідно з яким вихідну шихту розміщують у газовому середовищі при надкритичних значеннях тиску і температури, який відрізняється тим, що використовують газове середовище з щільністю не менш 0,4 значення щільності цього середовища у рідкому стані.

Номер патенту: 6741

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Цибульов Павло Миколайович, Ткачук Борис Васильович, Сердюк Георгій Нікандрович, Пархоменко Володимир Дмитрович

МПК: C30B 33/04, C30B 29/16

Мітки: цирконію, зміни, спосіб, виробів, забарвлення, монокристалів, діоксиду

Формула / Реферат:

Способ изменения окраски изделий из моно­кристаллов диоксида циркония, включающий изо­термическую выдержку изделий в вакууме, отличающийся тем, что изотермическую выдерж­ку изделий осуществляют при температуре 400-1200°С в течение 10-30 мин в тлеющем разряде с энергией электронов 1-2 кэВ, создаваемом в ваку­уме остаточной атмосферы 0,3-3 Па.

Номер патенту: 3399

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Чуйко Олексій Олексійович, Губа Галина Яківна, Артьомов Алєксандр Сєрафімович, Терець Марія Іванівна

МПК: C30B 29/16, C30B 33/08

Мітки: фінішного, суміш, матеріалів, оксидних, полірування

Формула / Реферат:

Состав для финишной полировки оксидных материалов, включающий смешанный пирогенный оксид на основе SiO2, содержащий Аl2O3, травитель и воду, отличающийся тем, что в качестве травителя используют аммиак, оксид берут с содержанием Аl2О3 9-11 мас.%, при следующем соотношении компонентов в составе, мас.%: смешанный пирогенный оксид 8,0-10,0 аммиак водный (25%-ный) 2,8-3,5 ...