C30B 15/20 — управління або регулювання

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Козьмін Юрій Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Тонкошкур Володимир Миколайович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: розплаву, вирощування, спосіб, ампулі, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Номер патенту: 114450

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Микола Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Тавровський Ігор Ігорович

МПК: G01F 23/24, G05D 27/00, C30B 15/20 ...

Мітки: рівня, управління, розплаву, контролю, ростом, пристрої, монокристалів, пристрій, положення

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з енкодером і електродвигун із системою управління, яка містить блок обробки даних, контролер управління електродвигуном і логічну схему визначення контакту щуп-розплав з дискретними входами/виходами, при цьому логічна схема містить лічильник імпульсів для обробки двох імпульсних послідовностей

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/36, C30B 15/20 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, парателуриту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 15/20 ...

Мітки: параметрів, росту, оптимізації, методом, вирощування, кіропулоса, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Номер патенту: 106103

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Проценко Сергій Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Шелехов Ігор Володимирович, Москаленко В'ячеслав Васильович, Довбиш Анатолій Степанович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, C30B 35/00 ...

Мітки: адаптивного, пристрій, розплаву, вирощуванням, монокристалів, керування

Формула / Реферат:

Пристрій для адаптивного керування вирощуванням монокристалів із розплаву, що містить електропривод кристалотримача, підключений до блока корекції переміщення кристалотримача, який з'єднаний з датчиком дискретного переміщення кристалотримача, датчик рівня розплаву, підключений до блока корекції підживлення і з'єднаний з підживлювачем, блоки контролю і корекції температури донного і бічного нагрівачів, контролю і корекції тиску і температури...

Номер патенту: 105530

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Суздаль Віктор Семенович, Стрельніков Микола Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Демченко Вячеслав Васильович, Соболєв Олександр Вікторович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, C30B 35/00 ...

Мітки: вирощування, розплаву, пристрій, монокристалів, ампулі

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу із речовиною, що кристалізується у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку із двигуном і приводом її переміщення, відліковий пристрій величини переміщення ампули, термопари встановлені на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного...

Номер патенту: 98395

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Бережна Марина Анатоліївна, Суздаль Віктор Семенович, Дербунович Леонід Вікторович, Колосов Віталій Олексійович

МПК: G06F 11/28, C30B 15/20, G06F 11/22 ...

Мітки: пристрій, регулювання, монокристалів, росту, пристрою, діагностування

Формула / Реферат:

Пристрій для діагностування пристрою регулювання росту монокристалів (МК), виконаний у вигляді діагностичного ядра, що містить зв'язані між собою запам'ятовувальний пристрій і блок керування, сполучений через інтерфейсну магістраль із багатопроцесорною системою керування процесом вирощування МК, блок контролю керуючої програми, з'єднаний з останніми, блок обчислень діагностичних характеристик, регістр еталонних значень цих характеристик,...

Номер патенту: 97932

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Демченко Вячеслав Васильович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Будаковський Сергій Валентинович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20, C30B 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: управління, процесом, пристрій, монокристалів, росту, розплаву, ампулі

Формула / Реферат:

Пристрій управління процесом росту монокристалів з розплаву в ампулі, що містить вертикальну піч із нагрівачах у верхній і нижньої її зонах, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, термопари, установлені на зазначених нагрівачах, регулятори зворотного зв'язку по температурі нагрівачів верхньої й нижньої зони печі, підключені до відповідних термопар і самих нагрівачів, блок програмно-логічного управління й...

Номер патенту: 97602

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Тавровський Ігор Ігорович, Соболєв Олександр Вікторович, Стрельніков Микола Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тимошенко Микола Миколайович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, G01F 23/24 ...

Мітки: монокристалів, контролю, пристрої, ростом, положення, розплаву, пристрій, рівня, управління

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з датчиком його переміщень і електродвигун із системою управління, яка включає блок обробки даних, контролер управління двигуном і схему визначення контакту щуп-розплав, перший вихід якої підключений до першого входу контролера, перший вхід/вихід блока обробки даних пов'язаний із системою управління ростом...

Номер патенту: 95417

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Тавровський Ігор Ігорович, Стрельніков Микола Іванович, Соболєв Олександр Вікторович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: монокристалів, групи, пристрій, вирощування, аiiвvi

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи АІІВVI, що містить вузли переміщення тигля й тепловий вузол, пристрій відображення інформації й логічний блок, при цьому вузол переміщення, зв'язаний через водоохолоджуваний шток і черв'ячну передачу із двигуном вертикального переміщення тигля, з'єднаний із блоком управління двигуном і відліковим пристроєм - енкодером величини переміщення штока, тепловий вузол містить регулятор потужності...

Номер патенту: 93940

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Будаковський Сергій Валентинович, Суздаль Віктор Семенович, Щелкалін Віталій Миколайович, Козьмін Юрій Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тевяшев Андрій Дмітрієвич

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: монокристалів, ампулі, пристрій, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, яка має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу із речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку із двигуном і приводом її переміщення, термопари й відліковий пристрій величини переміщення ампули, який відрізняється тим, що термопари встановлені на нагрівачах...

Номер патенту: 93798

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Соболєв Олександр Вікторович, Суздаль Віктор Семенович, Тимошенко Микола Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: монокристалів, розплаву, регулювання, росту, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб регулювання росту монокристалів із розплаву безперервним витягуванням кристала після його розростання по діаметру з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом, у якому задають постійну швидкість витягування кристала й здійснюють управління шляхом корекції температури розплаву бічним і донним нагрівачами, який відрізняється тим, що додатково задають інтервал часу регулювання, зміну величини зниження рівня розплаву в межах L =...

Номер патенту: 89312

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Корольова Яна Юріївна, Дербунович Леонід Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Сергій Миколайович, Бережна Марина Анатоліївна

МПК: C30B 15/20, G06F 11/28, G06F 11/22 ...

Мітки: пристрою, пристрій, діагностування, монокристалів, регулювання, росту

Формула / Реферат:

Пристрій для діагностування пристрою регулювання росту монокристалів, що містить m-розрядну логічну структуру, кожна декада якої включає чотирирозрядний двійково-десятковий лічильник з виходами , перший і другий мультиплексори, елемент АБО-НІ й схему зворотного зв'язку, що включає логічні елементи І-НІ й ВИКЛЮЧНЕ-АБО, причому вихід елемента АБО-НІ з'єднаний з інформаційним...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Стрельніков Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, групи, аiiвvi, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Номер патенту: 87927

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Варич Андрій Григорович, Тимошенко Микола Миколайович, Таранюк Володимир Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дискретним витягуванням на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, корекцією його температури по сигналу датчика рівня розплаву і підживленням розплаву вихідною сировиною, попередньо поданою у розташовану коаксіально тиглеві кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного витягування монокристала і величину...

Номер патенту: 87426

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Васильєв Валентин Васильович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тимошенко Микола Миколайович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, який полягає в тому, що монокристал витягують на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, задають величини падіння рівня розплаву, здійснюють управління, що включає вимірювання падіння рівня розплаву й корекцію його температури за результатами порівняння певних величин, здійснюють підживлення розплаву вихідною сировиною, що попередньо...

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Сідлецький Олег Цезаревич, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/14

Мітки: теплового, пристрій, випромінювання, монокристалів, низькою, вирощування, прозорістю

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Номер патенту: 86105

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Рижикова Марина Георгіївна, Дербунович Леонід Вікторович, Герасимчук Лариса Іванівна, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Бережна Марина Анатоліївна

МПК: G05D 27/00, G06F 11/28, C30B 15/20 ...

Мітки: монокристалів, регулювання, росту, нього, діагностування, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для регулювання росту монокристалів, який містить підживлювач із транспортною трубкою, вимірювач положення рівня розплаву, блок керування переміщенням кристалотримача, блоки корекції температури донного і бічного нагрівачів, обчислювальний блок, ростову піч, тигель з кільцевою порожниною, донний і бічний нагрівачі, при цьому виходи обчислювального блока з'єднані, відповідно, із блоком керування переміщенням кристалотримача,...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович, Задніпрянний Денис Львович

МПК: C30B 15/10, C30B 15/00, C30B 15/20, C30B 29/00 ...

Мітки: спосіб, кристалу, тиглі, вирощування, розплаву, утриманням

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Номер патенту: 85648

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20, C30B 27/00 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, ліщука

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем електричного контакту ділянки кола кристал-розплав, який відрізняється тим, що у процесі зростання монокристала визначають часову залежність електричних параметрів згаданої ділянки кола, а про порушення монокристалічного зростання кристала судять по характерному відхиленню від аналогічної еталонної залежності.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що порушення...

Номер патенту: 81196

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Стрельніков Микола Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Тавровський Ігор Ігорович, Горілецький Валентин Іванович, Герасимчук Лариса Іванівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що проводять дискретне витягування на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом, автоматично підтримують у тиглі постійний рівень розплаву, корегують його температуру за сигналом датчика рівня розплаву і підживлюють розплав вихідною сировиною, яку попередньо подають у розташовану коаксіально тиглю кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного...

Номер патенту: 79330

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Горілецький Валентин Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Тавровський Ігор Ігорович, Стрельніков Микола Іванович, Артеменко Максим Петрович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощуваного, монокристалу, підживлення

Формула / Реферат:

Пристрій для підживлення вирощуваного монокристалу, що містить бункер із сировиною, що циліндричною вихідною трубкою разом з розташованим у ньому диспергатором з'єднаний з вібраційним дозатором, у якому знаходиться поличка дозованого об'єму сировини, прикріплена одним краєм до кришки дозатора, а другим краєм, що має магнітну підкладку, розташована під першим електромагнітом, установленим на дозаторі, важільний механізм, з'єднаний з...

Номер патенту: 78899

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Дятел Максим Михайлович, Ліщук Віталій Євгенович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів за методом Чохральського з контролем опору ділянки електричного кола затравка-розплав, який відрізняється тим, що опір контролюють при відсутності прямого механічного контакту між затравкою та розплавом, а за величиною цього опору  визначають відстань між затравкою та поверхнею розплаву.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опір контролюють при позитивній полярності напруги, прикладеної до...

Номер патенту: 78074

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Гриньов Борис Вікторович, Герасимчук Лариса Іванівна, Гущін Анатолій Михайлович

МПК: C30B 15/20, G01F 23/24

Мітки: положення, рівня, контролю, розплаву, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю положення рівня розплаву, що містить електродвигун із системою керування, щуп та датчик його лінійних переміщень, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки даних і використано лінійний електродвигун, жорстко і вертикально встановлений на кришці ростової камери, а система керування двигуном містить контролер, перший та другий виходи якого підключені до відповідних якірних обмоток, а третій його вихід...

Номер патенту: 77882

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Тавровський Ігор Ігорович, Горілецький Валентин Іванович, Артеменко Максим Петрович, Гриньов Борис Вікторович, Герасимчук Лариса Іванівна, Стрельніков Микола Іванович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20, G01F 23/24

Мітки: положення, рівня, розплаву, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю положення рівня розплаву, що містить щуп з датчиком його переміщень та електродвигун із системою керування, що включає блок обробки даних, контролер та схему визначення контакту щуп-розплав, перший та другий вихід якої підключені, відповідно, до входу контролера та до другого входу блока обробки даних, перший вхід якого з'єднаний з датчиком переміщень щупа, а вихід зв'язаний із системою керування ростом монокристала, при...

Номер патенту: 71835

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Тимошенко Микола Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Горілецький Валентин Іванович, Кісіль Андрій Іванович, Сумін Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб попереднього біологічного очищення стічних вод, що включає біокоагуляцію і попередню аерацію стічних вод з використанням надлишкового активного мулу з вторинних відстійників станції біологічного очищення, який відрізняється тим, що як споруду для біокоагуляції використовують приймальні резервуари, в яких накопичують стічну воду перед її подачею на первинні відстійники станції аерації біологічної очистки і в які подають надлишковий...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Немчин Олександр Федорович, Мокеєв Юрій Генадійович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: кремнію, монокристалічного, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Номер патенту: 49479

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Слюсаренко Оксана Олександрівна, Ларкін Сергій Юрійович, Немчин Олександр Федорович, Третьяков Олег Вальтерович, Аніщенко Сергій Євгенович, Падалко Віктор Григорович, Притчин Сергій Емільович, Оксанич Анатолій Петрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: здійснення, монокристала, пристрій, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, що включає відбір відеокамерою зображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що з аналізу зазначеного відеозображення додатково одержують дані про діаметр злитка і параметри меніска, визначають дані про зміни температури розплаву, що обумовлюють зміни швидкості...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Самохвалов Володимир Олександрович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20

Мітки: контролю, вирощуваного, розплаву, спосіб, діаметра, кремнію, монокристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Номер патенту: 47988

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Третьяков Олег Вальтерович, Оксанич Анатолій Петрович, Притчин Сергій Емільович, Петренко Василь Радиславович, Слюсаренко Оксана Олександрівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристала, здійснення, спосіб, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, у тому числі параметрами його меніска, що включає відбір відеокамерою відеозображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що сформовані відеокамерою відеосигнали перетворюють у цифрову форму з прив'язкою до показника яскравості, розподіляють по кольорах і...

Номер патенту: 46475

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Звягінцев Володимир Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Артеменко Максим Петрович, Тавровський Ігор Ігоревич, Горілецький Валентин Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Герасимчук Лариса Іванівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, росту, регулювання, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, що містить у собі електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, з'єднаний з корегувальним регулятором та блоком керування підживлення, який з'єднано з живильником і блоком задання часових інтервалів через блок порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до корегувального регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення...

Номер патенту: 43077

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Звягінцев Володимир Миколайович, Герасимчук Лариса Іванівна, Стрельніков Миколай Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Тавровський Ігор Ігоревич, Єпіфанов Юрій Михайлович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, регулювання, росту, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів який містить електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором температури донного нагрівача та блоком управління підживлюванням, який з'єднано з підживлювачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх зрівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, який підключено до коригуючого регулятора температури донного нагрівача, обчислювальний...

Номер патенту: 30878

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Звягінцев Володимир Миколайович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Тавровський Ігор Ігоревич, Герасимчук Лариса Іванівна, Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, регулювання, росту, пристрій

Текст:

...часових інтервалів, блок 13 порівняння інтервалів, блок 14 задання швидкості зміни рівня розплаву, блок 15 визначення фактичної швидкості зміни рівня розплаву, схему 16 порівняння, блок 17 корекції температури бічного нагрівача, електропривід 18 кристалотримача 9, блок 19 контролю величини дискретного переміщення кристалотримача. Крім того, на фігурі зображено вирощуваний монокристал 20 та затравку 21, закріплену в кристалотримачеві 9,...

Номер патенту: 29080

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Герасимчук Лариса Іванівна, Гриньов Борис Вікторович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, росту, регулювання, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, вміщуючий електропривод кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором та блоком керування підпитуванням, який з'єднано з підпитувачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до коригуючого регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення кристалотримача,...

Номер патенту: 16672

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Єфременко Галина Борисівна, Заславський Борис Григорович, Апілат Віталій Якович

МПК: C30B 15/20

Мітки: розплаву, кристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Устройство для выращивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру со смотровым окном, выполненным из оптически прозрачного элемента, установленного с помощью уплотняющих прокладок в корпусе камеры, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения очистки элемента в процессе роста, элемент установлен между уплотняющими прокладками с возможностью перемещения и имеет форму плоскопараллельной пластины, размер...

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Львович Валентин Анатолійович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович, Радкевич Олексій Вікторович, Горілецький Валентин Іванович, Неменов Віктор Олександрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 8247

Опубліковано: 29.03.1996

Автори: Фалькевич Едуард Семенович, Червоний Іван Федорович, Сілаков Григорій Іванович, Дудченок Володимир Васильович

МПК: C30B 13/00, C30B 15/20

Мітки: бездислокаційних, безтигельної, методом, монокристалів, кремнію, спосіб, одержання, зонної, плавки

Формула / Реферат:

Способ получения бездислокационных моно­кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последую­щее выращивание цилиндрической части моно­кристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращива­ние конической части монокристалла до...