C30B 15/36 — відрізняється затравочним кристалом, наприклад його кристалографічної орієнтацією

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/20, C30B 15/36 ...

Мітки: спосіб, парателуриту, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Євген Петрович, Сафронов Роман Ігоревич, Андрєєв Олександр Євгенійович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/34, C30B 15/32, C30B 15/36 ...

Мітки: профільованих, витягування, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Номер патенту: 95515

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Андрєєв Євген Петрович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 15/36, C30B 15/34, C30B 35/00 ...

Мітки: профільованих, пристрій, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що включає засіб захвата затравки, який виконано у вигляді тяг, нижня частина яких оснащена полками для розміщення затравки, а верхня частина закріплена на штоку витягувального механізму, при цьому центри ваги тяг зміщені до місця розташування осі тигля, який відрізняється тим, що тяги у верхній частині мають призматичні упори і установлені в пазах опорного диска, який закріплено на штоку...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/36

Мітки: вирощування, ортосилікату, гадолінію, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/36

Мітки: вирощування, лазерних, монокристалів, тикору, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...