Рубан Роман Володимирович
Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала
Номер патенту: 31909
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович
МПК: C30B 29/32, C30B 15/00
Мітки: розчинів, кристалів, розподілом, галію, уздовж, твердих, галій-індій-сурма, вирощування, спосіб, однорідним, кристала
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...