Патенти з міткою «галій-індій-сурма»
Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма
Номер патенту: 41486
Опубліковано: 25.05.2009
Автор: Кожемякін Геннадій Миколайович
МПК: C30B 15/00, C30B 29/00
Мітки: спосіб, твердих, вирощування, галій-індій-сурма, кристалів, розчинів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма (GaxIn1-xSb), який полягає в тому, що витягування кристала із розплаву здійснюють шляхом використання затравочного монокристала заданого складу, який відрізняється тим, що застосовують затравочний монокристал GaxIn1-xSb зі складом, котрий може відрізнятись від складу вирощуваного кристала менше або більше на х=0,01.
Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала
Номер патенту: 31909
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович
МПК: C30B 29/32, C30B 15/00
Мітки: кристалів, твердих, галію, однорідним, вирощування, спосіб, кристала, галій-індій-сурма, уздовж, розчинів, розподілом
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...