Патенти з міткою «кристала»

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Тімко Мілан, Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: 6св, одержання, нематичного, кристала, композита, рідкого, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, діода, напівпровідникового, визначення, спосіб, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 121378

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Литвин Петро Мар'янович, Фодчук Ігор Михайлович, Яремчук Іванна Володимирівна, Баловсяк Сергій Васильович

МПК: G06F 17/17, G06F 17/00, G01T 1/16 ...

Мітки: х-променевого, lll-інтерферометрі, величини, спосіб, зображення, основі, муарового, кристала, деформаційних, полів, визначення, кремнієвому

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини деформаційних полів кристала на основі розподілу інтенсивності Х-променевого муарового зображення f, отриманого в кремнієвому LLL-інтерферометрі, який полягає в тому, що для отримання фазового муару в інтерферометрі встановлюють однорідну клиноподібну пластину, на основі цифрового муарового зображення f обчислюють енергетичний спектр Фур'є Ps та його радіальний розподіл FR, а значення максимальної зосередженої сили...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, робочого, визначення, кристала, напівпровідникового, спосіб, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, визначення, напівпровідникового, перегріву, кристала, величини, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: кристала, силових, пристрій, контролю, приладів, температури, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Номер патенту: 86274

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Андрющенко Любов Андріївна, Тарасов Володимир Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Дудник Олексій Володимирович, Курбатов Євген Володимирович

МПК: G01T 1/20

Мітки: основі, органічного, детектор, кристала, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний детектор, що містить сцинтилятор на основі активованого паратерфенілу і кремнієвий фотоелектронний помножувач, який відрізняється тим, що він додатково містить світлозбираючий світловод, який виконаний у вигляді суцільного блока зі сцинтиляційним кристалом.

Номер патенту: 85867

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Кривоносов Євген Володимирович, Кольнер Володимир Борисович, Сініцин Павло Вікторович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристала, затравочного, пристрій, вузла, кріплення

Формула / Реферат:

Пристрій вузла кріплення затравочного кристала, що містить циліндричний вузол кріплення затравки з пазом і фіксатор, який вставляється в заглиблення в затравочному кристалі і фіксує його, який відрізняється тим, що вузол кріплення затравки додатково містить паз, розташований нижче основного, і фіксатор, при цьому обидва фіксатори виконано з горизонтальними проточками для їх закріплення, а верхній фіксатор входить у паз і затравку з меншим...

Номер патенту: 84872

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Балазюк Віталій Назарович, Саміла Андрій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович, Хандожко Віктор Олександрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: ядерного, кристала, напівпровідникового, резонансу, gаsе, речовини, квадрупольного, основі, термометричної, термометра, застосування

Формула / Реферат:

Застосування напівпровідникового кристала GaSe як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу.

Номер патенту: 100604

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01K 11/16

Мітки: визначення, кристала, теплового, опору, світлодіода, поверхні, спосіб, випромінюючої, температури

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода, який включає в себе нанесення на поверхню кристала плівки холестеричного рідкого кристала (ХРК), який має температурні діапазони існування в холестеричному і смектичному станах, використання джерела електричного живлення, вимірювальних приладів та поляризаційного мікроскопа для спостереження в процесі споживання потужності візуального відображення в...

Номер патенту: 68637

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Ясиновська Ольга Йосипівна, Готра Зенон Юрійович, Микитюк Зіновій Матвійович, Вараниця Андрій Васильович, Фечан Андрій Васильович, Сушинський Орест Євгенович

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, лазера, виготовлення, рідкого, холестеричного, основі, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, згідно з яким на скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні та орієнтуючі шари і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю з домішкою барвника і герметизують, який відрізняється тим, що на зовнішню сторону однієї з скляних пластин наносять органічний світлодіод.

Номер патенту: 62994

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Довгий Віктор Володимирович, Ховерко Юрій Миколайович, Вуйцик Андрій Михайлович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Мітки: кристала, базового, комірка, матричного

Формула / Реферат:

Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...

Номер патенту: 96061

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Семеновська Олена Володимирівна, Тимофєєв Володимир Іванович

МПК: G01N 25/18

Мітки: визначення, субмікронного, теплового, транзистора, спосіб, кристала, опору

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристала під кутами  і , вимірювання величини елементів теплового еквівалента, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 95565

Опубліковано: 10.08.2011

Автор: Уайтман Роберт

МПК: B42D 15/10, B29D 11/00, B42D 15/00 ...

Мітки: захисний, пристрій, основі, формування, фотонного, пристрою, кристала, такого, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування оптично змінного захисного пристрою, який полягає в тому, що:забезпечують матеріал фотонного кристала іздійснюють над цим матеріалом процес, який викликає деформацію матеріалу таким чином, що формується перша зона, для якої падаюче світло, що приймається матеріалом кристала, вибірково відбивається або пропускається для створення першого оптично змінного ефекту, і друга зона, для якої падаюче світло, що...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: визначення, опору, транзистора, теплового, субмікронного, спосіб, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Номер патенту: 88851

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/70, G03B 7/00, G02F 1/13 ...

Мітки: інтегральної, поверхні, температури, потенціалів, кристала, пристрій, мікросхеми, візуального, відображення, електричних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для візуального відображення електричних потенціалів і температури на поверхні кристала інтегральної мікросхеми, який містить поляризаційний мікроскоп, мікросхему з відкритою поверхнею кристала, прозорий електрод, шар нематичного рідкого кристала між прозорим електродом і поверхнею кристала мікросхеми з однорідно зорієнтованими молекулами в шарі, контактний пристрій, прилади для живлення і формування електричних режимів роботи...

Номер патенту: 86317

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 29/20, C30B 15/32

Мітки: кріплення, затравочного, пристрій, кристала

Формула / Реферат:

1. Пристрій для кріплення затравочного кристала в установці для вирощування монокристалів сапфіра -А12О3, що містить затравкотримач, виконаний із тугоплавкого матеріалу, з посадочним місцем для затравочного кристала в його корпусі, патрон для з'єднання затравкотримача з механізмом обертання та переміщення кристала, який відрізняється тим, що корпус затравкотримача в нижній...

Номер патенту: 39947

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Новосад Ірина Степанівна, Новосад Оксана Степанівна, Новосад Степан Степанович

МПК: G01T 1/15

Мітки: кристала, a-частинок, cdi2:pb, застосування, сцинтилятора, реєстрації

Формула / Реферат:

Застосування кристала CdI2:Pb як сцинтилятора для реєстрації α-частинок.

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: галій-індій-сурма, однорідним, кристала, вирощування, уздовж, розподілом, твердих, кристалів, галію, розчинів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Номер патенту: 78121

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Фомін Олександр Сергійович

МПК: G01B 11/16, G06F 1/00

Мітки: неоднорідностей, розподілу, спосіб, визначення, структури, кристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення розподілу неоднорідностей структури кристала шляхом сканування кристала монохроматичним світловим зондом і вимірювання діелектричних параметрів, який відрізняється тим, що при скануванні поверхні кристала визначають залежність швидкості приросту (спаду) діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат

Номер патенту: 77423

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Смирнов Микола Миколайович

МПК: C01D 15/00, G01T 1/202

Мітки: кристала, йодиду, літію, основі, матеріал, активованого, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі активованого кристала йодиду літію, який відрізняється тим, що як активатор він містить сполуки європію, хімічно стійкі до розплаву йодиду літію, іонний радіус аніонів яких менше іонного радіуса йоду, при наступному співвідношенні компонентів, % мас.: сполуки європію (у перерахуванні на європій) 6,10-3 - 9,10-2 йодид літію решта. ...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02

Мітки: домішкою, ізовалентною, термообробки, легованого, цинку, матеріалу, селеніду, спосіб, основі, кристала, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 6610

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Луцький Денис Валерійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: спосіб, кристалів, твердих, кристала, уздовж, вісмуту, вирощування, сурма-вісмут, розподілом, неоднорідним, регульованим, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала, який полягає у тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок вісмуту вводять у розплав сурми зі швидкістю від 0,1 до 0,3 мм/хв, при цьому рівень розплаву в тиглі не змінюють, а температуру на фронті кристалізації в процесі росту зменшують від...

Номер патенту: 67174

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Проц Лариса Анатоліївна

МПК: C10M 173/00, B24B 1/00

Мітки: обробки, спосіб, парателуриту, абразивної, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб абразивної обробки кристала парателуриту, який включає змочування абразивного матеріалу та оброблюваного кристала водовмісною мастильно-охолоджуючою рідиною, введення абразивного матеріалу у контакт з оброблюваним кристалом та їх відносне переміщення, який відрізняється тим, що до водовмісної мастильно-охолоджуючої рідини вводять перманганат калію в кількості 0,0001-0,001 маси мастильно-охолоджуючої рідини.

Номер патенту: 62559

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Катруша Андрій Миколайович, Хайнер Фольштаедт

МПК: G01N 21/88

Мітки: дослідження, спосіб, пристрій, кристала, здійснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження кристала, який передбачає опромінення досліджуваного кристала ультрафіолетовим випромінюванням і визначення відносної величини поглинання опромінення кристалом, який відрізняється тим, що перед опроміненням досліджуваний кристал розміщують на поверхні з нанесеним на ній флуоресцентним шаром, чутливим до ультрафіолетового випромінювання, а відносну величину поглинання опромінення кристалом визначають візуально.2....

Номер патенту: 62758

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Клименко Ігор Андрійович, Чугай Олег Миколайович, Мигаль Валерій Павлович, Фомін Олександр Сергійович, Рибалка Ірина Анатоліївна

МПК: G01B 11/16, G01B 11/00

Мітки: розподілу, кристала, визначення, структури, спосіб, неоднорідностей

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу неоднорідностей структури кристала шляхом сканування кристала монохроматичним світловим зондом і вимірювання діелектричних параметрів, який відрізняється тим, що визначають залежність коефіцієнта діелектричних втрат зразка від частоти електричного поля в ненавантаженому стані, визначають частоту поля, що відповідає максимуму коефіцієнта діелектричних втрат, на визначеній частоті визначають залежність коефіцієнта...

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 9/00

Мітки: кристала, одержання, спосіб, кадмію, тіогалату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Номер патенту: 57704

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Штампка Петер, Штекхан Ханс-Хіннерк, Удо Детлеф, Кіршбауер Йозеф, Нідерле Хрістл

МПК: H01L 23/28, G06K 19/073, G06K 19/077 ...

Мітки: інтегральної, схемі, оболонка, кристала

Формула / Реферат:

1. Оболонка кристала інтегральної схеми (ІC) для повного або часткового захисту електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристала ІC, яка відрізняється тим, що вона містить активатор, при активуванні якого звільнюється речовина, яка здатна повністю або частково зруйнувати електричні, електронні, оптоелектронні і/або електромеханічні компоненти кристала ІC, і який активується при спробі видалити з кристала...

Номер патенту: 32

Опубліковано: 28.02.1997

Автор: Сіткевич Аркадій Петрович

МПК: B28D 5/00

Мітки: кристала, верстат, розпилювання

Формула / Реферат:

Станок для распиливания кристаллов, содер­жащий станину, несущую закрытые ограж­дениями распиловочные секции, каждая из которых содержит переднюю стойку, несущую снабженный приводом вращения шпиндель для крепления распиловочного диска, и заднюю стой­ку, несущую установленную в ней с возможностью качения стрелу с левым и правым кронштейнами с закрепленными оправками для размещения кристаллов, отличающийся тем, что оправки за­креплены в...