C30B 29/32 — титанати; германати; молібдати; вольфрамати

Спосіб одержання лантаноїд(ііі)-вмісних поліоксовольфраматів

Завантаження...

Номер патенту: 121322

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Радіо Сергій Вікторович, Розанцев Георгій Михайлович, Марійчак Олександра Юріївна

МПК: C30B 29/32, C01G 41/00

Мітки: поліоксовольфраматів, одержання, лантаноїд(ііі)-вмісних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічних солей лантаноїд(III)-вмісних поліоксовольфраматів із аніоном зі структурою Пікока-Уіклі, що включає послідовне додавання розчинів натрію вольфрамату, нітратної кислоти й лантаноїду нітрату у стехіометричному відношенні, який відрізняється тим, що проводиться висолювання дією апротонного розчинника ацетону, витримування розчину з кристалами у щільно закритій хімічній склянці за 6 °C упродовж 48 годин,...

Композиція для ендоваскулярної емболізації мозкових артеріовенозних мальформацій та інших судинних новоутворень головного та спинного мозку

Завантаження...

Номер патенту: 97349

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Герасимчук Павло Михайлович, Серкіз Олег Вікторович, Нечипорук Олег Олексійович

МПК: A61K 31/74, A61K 9/08, A61P 9/00 ...

Мітки: мальформацій, емболізації, композиція, інших, мозкових, мозку, судинних, артеріовенозних, новоутворень, ендоваскулярної, головного, спинного

Формула / Реферат:

Композиція для ендоваскулярної емболізації мозкових артеріовенозних мальформацій та інших судинних новоутворень головного та спинного мозку, що включає поліетиленвініловий спирт (EVAL ethylene vinyl alcohol copolymer M100B), диметилсульфоксид та рентгенконтрастну речовину, яка відрізняється тим, що як рентгенконтрастну речовину містить мікронізований порошок металічного вольфраму, при наступному складі компонентів, г: ...

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку

Завантаження...

Номер патенту: 105335

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Дубовік Олександр Михайлович, Якубовська Ганна Георгіївна, Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: C30B 29/32, C30B 29/10, C30B 15/00 ...

Мітки: цинку, сцинтиляційний, монокристал, вольфрамату, основі

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний монокристал на основі вольфрамату цинку, який відрізняється тим, що він додатково легований магнієм, що створює твердий розчин заміщення ZnxMg1-xWO4 при 0,05£х£0,95, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підґратці.

Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів kтіоро4

Завантаження...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Затовський Ігор Вікторович, Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович

МПК: C30B 13/00, C01G 23/00, C30B 11/04 ...

Мітки: гафнійвмісних, цирконій, розплавного, кристалів, синтезу, kтіоро4, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину

Завантаження...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євген Петрович, Кудін Костянтин Олександрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 29/32, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: структурою, евлітину, германату, вирощування, вісмуту, середовище, монокристалів

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Тупіцина Ірина Аркадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: сцинтиляційних, термообробки, монокристалів, вольфрамату, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800 °С .

Спосіб маркування виробів для систем автоматизованої ідентифікації

Завантаження...

Номер патенту: 35242

Опубліковано: 10.09.2008

Автор: Логунов Олександр Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: виробів, автоматизованої, ідентифікації, спосіб, маркування, систем

Формула / Реферат:

1. Спосіб маркування виробів, що включає пробивку матриці наскрізних отворів у матеріалі виробу, який відрізняється тим, що у склад маркера вводять базовий та орієнтувальні ряди отворів, а для кодування кожного десяткового розряду індивідуального номера виробу використовують один інформаційній ряд із двох отворів за допомогою коду "2 із 5", причому отвори базового ряду пробивають у першу чергу, а отвори орієнтувального ряду...

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала

Завантаження...

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: спосіб, вирощування, розподілом, розчинів, галій-індій-сурма, кристалів, уздовж, галію, твердих, однорідним, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: германату, вісмуту, спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Спосіб рекуперації монодисперсного сапфіру

Завантаження...

Номер патенту: 42356

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: C30B 31/00, C30B 29/32, C30B 33/10 ...

Мітки: монодисперсного, рекуперації, спосіб, сапфіру

Формула / Реферат:

Спосіб рекуперації монодисперсного сапфіру, який включає хімічну очистку відходів від промислової механічної обробки об'ємних монокристалів сапфіру (a-Al2O3) послідовно азотною та плавиковою кислотами, який відрізняється тим, що вилучений після хімічної очистки монодисперсний сапфір додатково очищують водним розчином перекису водню з концентрацією від 30 до 33 мас.% протягом однієї години при нормальних умовах з наступним висушуванням...

Спосіб вирощування кристалів сплавів вісмут-сурма з неоднорідним розподілом компонентів уздовж зливка

Завантаження...

Номер патенту: 46511

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Налівкін Михайло Олексійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: кристалів, розподілом, уздовж, сплавів, вирощування, спосіб, зливка, компонентів, неоднорідним, вісмут-сурма

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів сплавів вісмут-сурма з неоднорідним розподілом компонентів уздовж зливка, у якому живлення розплаву здійснюють шляхом введення у розплав зливка сурми, який відрізняється тим, що розплав підживлюють твердою сурмою із змінною швидкістю від 0,56 до 0,5 мм/хв., концентрацію сурми у розплаві змінюють від 0,1 до 6,62 ат. %, а температуру на фронті кристалізації підвищують від 272°С до 300°С.

Спосіб термообробки монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 16664

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Овечкін Андрій Євгенійович, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: монокристалів, термообробки, кадмію, вольфрамату, спосіб

Формула / Реферат:

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдер­жку и охлаждение в кислородсодержащей атмос­фере, отличающийся тем. что, с целью увеличе­ния выхода годных и повышения светового выхода кристаллов, предварительно нагрев ведут со скоро­стью 50-100 град/ч при непрерывной откачке до 380-450°С с последующей выдержкой в течение 2-5 ч, затем откачку прекращают, вводят кисло­родсодержащую атмосферу, продолжают нагрев...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Тіман Беніамін Липович, Бондар Валерій Григорович, Загвоздкін Борис Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вісмуту, вирощування, германату

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Спосіб одержання монокристалів германату вісмуту із структурою евлітину

Завантаження...

Номер патенту: 16679

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Федорова Надія Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Горішній Юрій Васильович, Бондар Валерій Григорович, Салійчук Олена Костянтинівна, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/02, C30B 29/32 ...

Мітки: структурою, евлітину, вісмуту, спосіб, одержання, германату, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов германа-та висмута со структурой эвлитина, включающий нагрев и выдержку исходных оксидов германия и висмута, их смешение, загрузку в платиновый ти­гель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в тече­ние 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов вытягиванием на затравку, отли­чающийся тем, что, с целью сокращения длитель­ности процесса и уменьшения загрязнения расплава и кристаллов и коррозии тигля,...

Спосіб синтезу шихти германоевлитину

Завантаження...

Номер патенту: 13972

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Долгих Тамара Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеїн Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Ткаченко Валентин Федорович, Дідаш Інеса Микитівна

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: спосіб, шихти, синтезу, германоевлитину

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза шихты германоэвлитина, предусматривающий обезвоживание исходных ок­сидов германия и висмута, сухое смешивание их в стехиометрическом соотношении, гомогенизацию, нагрев и двухстадийное твердофазное взаимодей­ствие, отличающийся тем, что стадии твердофазного взаимодействия осуществляют непрерывно:при температуре 730-810°С в течение 3-7 часов до получения фазы силленита, и при 870-910°С в те­чение 12-24 часов до...

Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Рижиков Володимир Діамидович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: спосіб, термообробки, германату, кристалів, вісмуту

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, вісмуту, германату, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: германату, кристалів, термообробки, спосіб, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...