Сумін Валентин Іванович

Номер патенту: 71835

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Кісіль Андрій Іванович, Горілецький Валентин Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Сумін Валентин Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Мітки: монокристалів, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб попереднього біологічного очищення стічних вод, що включає біокоагуляцію і попередню аерацію стічних вод з використанням надлишкового активного мулу з вторинних відстійників станції біологічного очищення, який відрізняється тим, що як споруду для біокоагуляції використовують приймальні резервуари, в яких накопичують стічну воду перед її подачею на первинні відстійники станції аерації біологічної очистки і в які подають надлишковий...

Номер патенту: 23706

Опубліковано: 16.06.1998

Автори: Сумін Валентин Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Ковальова Людмила Василівна

МПК: C01D 3/00, B01J 19/08

Мітки: іодиду, спосіб, одержання, цезію, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов йодида цезия, включающий загрузку исходного сырья в тигель, его нагрев, обработку расплава газообразным галогеном и последующую кристаллизацию, отличающийся тем, что перед обработкой расплава галогеном поверхностный слой расплава кристаллизуют, в расплав вводят металлический йод в количестве 0,03-0,10% от массы йодида цезия, выдерживают в течение 0,5-1.0 часа, после чего кристаллический слой расплавляют, пары...

Номер патенту: 4585

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Чаркіна Тамара Олександрівна, Сумін Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Ковальова Людмила Василівна, Угланова Валентина Володимирівна, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/12

Мітки: кристалів, спосіб, одержання, лужногалоїдних

Формула / Реферат:

(57) Способ получения щелочногалоидных кристаллов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной камере, заполнение камеры инертным газом до давления 1-2 атм, рас плавление при этом давлении сырья и выращивание кристалла при давлении газа 0,01-0,2 атм, отличающийся тем, что после расплавления сырья камеру вакуумируют, напускают инертный газ до давления 1,0-1,2 атм, выдерживают 0,5-1,5 часа, вакуумируют...