Бондаренко Станіслав Костянтинович

Номер патенту: 29080

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Горілецький Валентин Іванович, Герасимчук Лариса Іванівна, Кузнецов Валентин Анатолійович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, монокристалів, регулювання, росту

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, вміщуючий електропривод кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором та блоком керування підпитуванням, який з'єднано з підпитувачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до коригуючого регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення кристалотримача,...

Номер патенту: 23706

Опубліковано: 16.06.1998

Автори: Ковальова Людмила Василівна, Кудін Олександр Михайлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Сумін Валентин Іванович

МПК: B01J 19/08, C01D 3/00

Мітки: монокристалів, спосіб, цезію, одержання, іодиду

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов йодида цезия, включающий загрузку исходного сырья в тигель, его нагрев, обработку расплава газообразным галогеном и последующую кристаллизацию, отличающийся тем, что перед обработкой расплава галогеном поверхностный слой расплава кристаллизуют, в расплав вводят металлический йод в количестве 0,03-0,10% от массы йодида цезия, выдерживают в течение 0,5-1.0 часа, после чего кристаллический слой расплавляют, пары...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Загвоздкін Борис Васильович, Тіман Беніамін Липович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вирощування, монокристалів, вісмуту, спосіб, германату

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Номер патенту: 6395

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/02

Мітки: тиглів, коштовних, відновлення, металів, монокристалів, спосіб, вирошування

Формула / Реферат:

(57) Способ восстановления тиглей из драгоценных металлов для выращивания монокристаллов, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что перед прокаткой тигель отжигают при 1200-1400°С и давлении 101-10-3 торр в течение 0,5-5,0 часов.

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вирощування, германату, спосіб, вісмуту, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Номер патенту: 3391

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бурачас Станіслав Феліксович, Загвоздкін Борис Васильович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Кривошеін Вадим Іванович

Мітки: вирощування, спосіб, вісмуту, германату, монокристалів

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...