Ковальова Людмила Василівна

Номер патенту: 27013

Опубліковано: 28.02.2000

Автори: Шпилінська Лариса Миколаївна, Віноград Едуард Львович, Корсунова Софія Петрівна, Шахова Клавдія Вікторівна, Кудін Олександр Михайлович, Ковальова Людмила Василівна, Панова Олександра Миколаївна, Горілецький Валентин Іванович, Мітічкін Анатолій Іванович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00

Мітки: спосіб, йодиду, одержання, основі, сцинтиляційний, матеріал, цезію

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия, активированного таллием, и содержащий дополнительную примесь, отличающийся тем, что в качестве дополнительной примеси он содержитMex(CO2)y,где Me - катионная примесь;1≤X≤2;1≤Y≤5.2. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия по п.1, отличающийся тем, что в спектре поглощения он имеет полосу валентных колебаний связанного...

Номер патенту: 23706

Опубліковано: 16.06.1998

Автори: Кудін Олександр Михайлович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Ковальова Людмила Василівна, Сумін Валентин Іванович

МПК: C01D 3/00, B01J 19/08

Мітки: іодиду, цезію, монокристалів, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов йодида цезия, включающий загрузку исходного сырья в тигель, его нагрев, обработку расплава газообразным галогеном и последующую кристаллизацию, отличающийся тем, что перед обработкой расплава галогеном поверхностный слой расплава кристаллизуют, в расплав вводят металлический йод в количестве 0,03-0,10% от массы йодида цезия, выдерживают в течение 0,5-1.0 часа, после чего кристаллический слой расплавляют, пары...

Номер патенту: 4585

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Ковальова Людмила Василівна, Чаркіна Тамара Олександрівна, Горілецький Валентин Іванович, Угланова Валентина Володимирівна, Ейдельман Лев Георгійович, Сумін Валентин Іванович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/12

Мітки: кристалів, лужногалоїдних, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

(57) Способ получения щелочногалоидных кристаллов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной камере, заполнение камеры инертным газом до давления 1-2 атм, рас плавление при этом давлении сырья и выращивание кристалла при давлении газа 0,01-0,2 атм, отличающийся тем, что после расплавления сырья камеру вакуумируют, напускают инертный газ до давления 1,0-1,2 атм, выдерживают 0,5-1,5 часа, вакуумируют...