Ейдельман Лев Георгійович

Номер патенту: 21026

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Віноград Едуард Львович, Красовицька Іна Моні-Мордківна, Пшуков Адам Музаріфович, Угланова Валентина Володимирівна, Гаврін Володимир Миколайович, Шляхтуров Валерій Вікторович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Кудін Олександр Михайлович, Ейдельман Лев Георгійович, Горелецькій Валентин Іванович, Мітічкін Анатолій Іванович, Тарасов Володимир Олексійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: монокристала, основі, сцинтиляційний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе монокристалла LiF, содержащий активирующую добавку, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксиды поливалентных металлов при следующем соотношении компонентов, мол.%:2. сцинтилляционный материал на основе монокристалла LіF по п. 1, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксид титана, при следующем соотношении компонентов,...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Любинський Вадим Рувинович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович, Неменов Віктор Олександрович, Радкевич Олексій Вікторович

МПК: C30B 29/12, C30B 17/00

Мітки: монокристалів, спосіб, лужногалоідних, вирощування, активованих

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Номер патенту: 16737

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Віноград Едуард Львович, Ейдельман Лев Георгійович, Панова Олександра Миколаївна, Шпилинська Лариса Миколаівна, Шахова Клавдія Вікторівна

МПК: C30B 29/12

Мітки: матеріал, монокристалу, основі, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный материал на основе мо­нокристалла 051, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрируемых излуче­ний температурного интервала, использования и повышения светового выхода монокристалла, ма­териал дополнительно содержит Сз^СОд при сле­дующем соотношении компонентов, мас.%: 052003 (1,6 • ІО'Ь - (8 - 10^), СA1 остальное.

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Львович Валентин Анатолійович, Неменов Віктор Олександрович, Проценко Володимир Григорович, Радкевич Олексій Вікторович, Ейдельман Лев Георгійович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 16715

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Федько Віталій Федорович, Ейдельман Лев Георгійович, Радкевич Олексій Вікторович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: B28D 5/00

Мітки: розпилювання, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ распиловки кристаллов, включающий направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса распиловки и снижения потерь кристалла, нити дополнительно придают колебательное движение в плоскости распиловки с амплитудой 0,5-4 мм и частотой 0,5-4,5 Гц.

Номер патенту: 16722

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Неменов Віктор Олександрович, Ейдельман Лев Георгійович, Панова Олександра Миколаївна

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Мітки: одержання, кристалів, лужногалоідних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения щелочно-галоидных кри­сталлов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной ка­мере до заданной температуры, заполнение каме­ры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и удаления из камеры токсичных и агрессивных га­зов, заполнение камеры инертным газом ведут до давления 1-2атм, а перед выращиванием давление...

Номер патенту: 16721

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Ейдельман Лев Георгійович, Горілецький Валентин Іванович, Проценко Володимир Григорович, Любинський Вадим Рувимович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кристалів, пристрій, розплаву, витягування

Формула / Реферат:

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней его части кольцевую емкость, имеющую общую с тиглем стенку с отверстием, питатель для подачи в емкость твердого измельченного материала, нагреватели тигля и емкости, отличающееcя тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов, устройство снабжено экраном, установленным над кольцевой емкостью с возможностью осевого перемещения и...

Номер патенту: 4585

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Сумін Валентин Іванович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Ейдельман Лев Георгійович, Угланова Валентина Володимирівна, Ковальова Людмила Василівна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/12

Мітки: одержання, кристалів, лужногалоїдних, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ получения щелочногалоидных кристаллов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной камере, заполнение камеры инертным газом до давления 1-2 атм, рас плавление при этом давлении сырья и выращивание кристалла при давлении газа 0,01-0,2 атм, отличающийся тем, что после расплавления сырья камеру вакуумируют, напускают инертный газ до давления 1,0-1,2 атм, выдерживают 0,5-1,5 часа, вакуумируют...