Горілецький Валентин Іванович

Номер патенту: 87927

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Варич Андрій Григорович, Горілецький Валентин Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Таранюк Володимир Іванович, Тимошенко Микола Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дискретним витягуванням на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, корекцією його температури по сигналу датчика рівня розплаву і підживленням розплаву вихідною сировиною, попередньо поданою у розташовану коаксіально тиглеві кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного витягування монокристала і величину...

Номер патенту: 87426

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Васильєв Валентин Васильович, Горілецький Валентин Іванович, Тимошенко Микола Миколайович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, який полягає в тому, що монокристал витягують на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом з автоматичною підтримкою в тиглі постійного рівня розплаву, задають величини падіння рівня розплаву, здійснюють управління, що включає вимірювання падіння рівня розплаву й корекцію його температури за результатами порівняння певних величин, здійснюють підживлення розплаву вихідною сировиною, що попередньо...

Номер патенту: 81196

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Герасимчук Лариса Іванівна, Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Гриньов Борис Вікторович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що проводять дискретне витягування на затравку з нерухомого по вертикалі тигля з розплавом, автоматично підтримують у тиглі постійний рівень розплаву, корегують його температуру за сигналом датчика рівня розплаву і підживлюють розплав вихідною сировиною, яку попередньо подають у розташовану коаксіально тиглю кільцеву ємність для розплавлення, при цьому задають висоту дискретного...

Номер патенту: 79330

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Тавровський Ігор Ігорович, Стрельніков Микола Іванович, Артеменко Максим Петрович, Горілецький Валентин Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00

Мітки: вирощуваного, пристрій, підживлення, монокристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для підживлення вирощуваного монокристалу, що містить бункер із сировиною, що циліндричною вихідною трубкою разом з розташованим у ньому диспергатором з'єднаний з вібраційним дозатором, у якому знаходиться поличка дозованого об'єму сировини, прикріплена одним краєм до кришки дозатора, а другим краєм, що має магнітну підкладку, розташована під першим електромагнітом, установленим на дозаторі, важільний механізм, з'єднаний з...

Номер патенту: 78074

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Микола Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Герасимчук Лариса Іванівна, Гущін Анатолій Михайлович, Тавровський Ігор Ігорович, Горілецький Валентин Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01F 23/24, C30B 15/20

Мітки: положення, розплаву, рівня, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю положення рівня розплаву, що містить електродвигун із системою керування, щуп та датчик його лінійних переміщень, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки даних і використано лінійний електродвигун, жорстко і вертикально встановлений на кришці ростової камери, а система керування двигуном містить контролер, перший та другий виходи якого підключені до відповідних якірних обмоток, а третій його вихід...

Номер патенту: 77882

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Стрельніков Микола Іванович, Герасимчук Лариса Іванівна, Артеменко Максим Петрович, Гриньов Борис Вікторович, Тавровський Ігор Ігорович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G01F 23/24, C30B 15/20

Мітки: контролю, пристрій, положення, розплаву, рівня

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю положення рівня розплаву, що містить щуп з датчиком його переміщень та електродвигун із системою керування, що включає блок обробки даних, контролер та схему визначення контакту щуп-розплав, перший та другий вихід якої підключені, відповідно, до входу контролера та до другого входу блока обробки даних, перший вхід якого з'єднаний з датчиком переміщень щупа, а вихід зв'язаний із системою керування ростом монокристала, при...

Номер патенту: 71835

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Кузнецов Валентин Анатолійович, Суздаль Віктор Семенович, Горілецький Валентин Іванович, Кісіль Андрій Іванович, Сумін Валентин Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Тимошенко Микола Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Мітки: пристрій, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб попереднього біологічного очищення стічних вод, що включає біокоагуляцію і попередню аерацію стічних вод з використанням надлишкового активного мулу з вторинних відстійників станції біологічного очищення, який відрізняється тим, що як споруду для біокоагуляції використовують приймальні резервуари, в яких накопичують стічну воду перед її подачею на первинні відстійники станції аерації біологічної очистки і в які подають надлишковий...

Номер патенту: 56211

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Літічевський Маркс Ізраільович, Бобир Василь Іванович

МПК: B28D 5/04

Мітки: пристрій, кристалів, обробки

Формула / Реферат:

Пристрій для обробки кристалів, що містить кристалотримач, рухому стійку з встановленими з можливістю обертання роликами, на які натягнута різальна нитка, блок управління, виходами зв'язаний з електроприводами обертання нитки і переміщення стійки, який відрізняється тим, що два ролики, що обгинають кристал, закріплені з можливістю обертання на кінцях штоків, що телескопічно вбудовані в горизонтальні ділянки стійки з можливістю одночасного...

Номер патенту: 46475

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Герасимчук Лариса Іванівна, Артеменко Максим Петрович, Тавровський Ігор Ігоревич, Звягінцев Володимир Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, регулювання, росту, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, що містить у собі електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, з'єднаний з корегувальним регулятором та блоком керування підживлення, який з'єднано з живильником і блоком задання часових інтервалів через блок порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до корегувального регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення...

Номер патенту: 43077

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Тавровський Ігор Ігоревич, Герасимчук Лариса Іванівна, Горілецький Валентин Іванович, Стрельніков Миколай Іванович, Суздаль Віктор Семенович, Звягінцев Володимир Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, пристрій, росту, регулювання

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів який містить електропривід кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором температури донного нагрівача та блоком управління підживлюванням, який з'єднано з підживлювачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх зрівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, який підключено до коригуючого регулятора температури донного нагрівача, обчислювальний...

Номер патенту: 30878

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Звягінцев Володимир Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Герасимчук Лариса Іванівна, Горілецький Валентин Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тавровський Ігор Ігоревич, Кузнецов Валентин Анатолійович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, регулювання, росту, монокристалів

Текст:

...часових інтервалів, блок 13 порівняння інтервалів, блок 14 задання швидкості зміни рівня розплаву, блок 15 визначення фактичної швидкості зміни рівня розплаву, схему 16 порівняння, блок 17 корекції температури бічного нагрівача, електропривід 18 кристалотримача 9, блок 19 контролю величини дискретного переміщення кристалотримача. Крім того, на фігурі зображено вирощуваний монокристал 20 та затравку 21, закріплену в кристалотримачеві 9,...

Номер патенту: 30725

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Кузнецов Валентин Анатолійович, Криворучко Володимир Григорович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: B24D 5/00, C30B 33/00

Мітки: обробки, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для обробки монокристалів, що вміщує кристалотримач, рухому стійку з обертовими роликами, на які натягнена ріжуча нитка, резервуар з робочим розчином, приводи обертання та подачи нитки, блок керування, одним з виходів з'єднаний з приводом подачи нитки, та датчик натягу нитки, з'єднаний з входом блока керування, який відрізняється тим, що верхній ролик, який знаходиться на протилежному боці від кристалотримача, встановлен на рухливій...

Номер патенту: 29080

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Бондаренко Станіслав Костянтинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Суздаль Віктор Семенович, Горілецький Валентин Іванович, Герасимчук Лариса Іванівна, Кузнецов Валентин Анатолійович

МПК: C30B 15/20

Мітки: росту, пристрій, монокристалів, регулювання

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання росту монокристалів, вміщуючий електропривод кристалотримача, датчик рівня розплаву, зв'язаний з коригуючим регулятором та блоком керування підпитуванням, який з'єднано з підпитувачем та блоком задання часових інтервалів через блок їх порівняння, датчик дискретного переміщення кристалотримача, підключений до коригуючого регулятора, обчислювальний блок, входи якого зв'язані з датчиком переміщення кристалотримача,...

Номер патенту: 27013

Опубліковано: 28.02.2000

Автори: Мітічкін Анатолій Іванович, Віноград Едуард Львович, Корсунова Софія Петрівна, Панова Олександра Миколаївна, Проценко Володимир Григорович, Кудін Олександр Михайлович, Горілецький Валентин Іванович, Шахова Клавдія Вікторівна, Шпилінська Лариса Миколаївна, Ковальова Людмила Василівна

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00

Мітки: сцинтиляційний, спосіб, одержання, йодиду, цезію, матеріал, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия, активированного таллием, и содержащий дополнительную примесь, отличающийся тем, что в качестве дополнительной примеси он содержитMex(CO2)y,где Me - катионная примесь;1≤X≤2;1≤Y≤5.2. Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия по п.1, отличающийся тем, что в спектре поглощения он имеет полосу валентных колебаний связанного...

Номер патенту: 265

Опубліковано: 25.12.1998

Автор: Горілецький Валентин Іванович

МПК: B28D 5/04

Мітки: обробки, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

 Пристрій для обробки монокристалів, що вміщує нерухомий  кристалотримач, стійку з обертовими роликами, на які натягнена різальна нитка, який відрізняється тим, Що має два регульовані бандажі з можливістю їх жорсткого закріплення один з одним на відстані (1,0-1,2) товщини нитки, при цьому один з. бандажів жорстко закріплений на краю кристалотримача, а стійка з роликами має можливість горизонтального переміщення в площині різання.

Номер патенту: 23578

Опубліковано: 02.06.1998

Автори: Гаврилюк Володимир Петрович, Віноград Едуард Львович, Горілецький Валентин Іванович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Андрющенко Любов Андріівна, Зосим Дмитро Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Скрипкина Валентина Тихінівна, Гриньов Борис Вікторович, Юшко Енгеліна Георгіївна

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный детектор, содержащий сцинтиллятор нa основе неорганического кристалла и спектросмещающий элемент из кремнийорганической композиции и органического переизлучателя, расположенный на поверхности сцинтиллятора, отличающийся тем, что спектросмещающий элемент прозрачен для собственного света и' выполнен в оптическом контакте со сцинтиллятором в виде тонкопленочного покрытия из раствора в толуоле фенилсодержащей смолы или комбинации...

Номер патенту: 16737

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Панова Олександра Миколаївна, Шахова Клавдія Вікторівна, Ейдельман Лев Георгійович, Горілецький Валентин Іванович, Шпилинська Лариса Миколаівна, Віноград Едуард Львович

МПК: C30B 29/12

Мітки: сцинтиляційний, основі, монокристалу, матеріал

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный материал на основе мо­нокристалла 051, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрируемых излуче­ний температурного интервала, использования и повышения светового выхода монокристалла, ма­териал дополнительно содержит Сз^СОд при сле­дующем соотношении компонентов, мас.%: 052003 (1,6 • ІО'Ь - (8 - 10^), СA1 остальное.

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Львович Валентин Анатолійович, Радкевич Олексій Вікторович, Горілецький Валентин Іванович, Неменов Віктор Олександрович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Номер патенту: 16715

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Ейдельман Лев Георгійович, Горілецький Валентин Іванович, Радкевич Олексій Вікторович, Федько Віталій Федорович

МПК: B28D 5/00

Мітки: розпилювання, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ распиловки кристаллов, включающий направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса распиловки и снижения потерь кристалла, нити дополнительно придают колебательное движение в плоскости распиловки с амплитудой 0,5-4 мм и частотой 0,5-4,5 Гц.

Номер патенту: 16722

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Горілецький Валентин Іванович, Неменов Віктор Олександрович, Ейдельман Лев Георгійович, Панова Олександра Миколаївна

МПК: C30B 29/12, C30B 11/02

Мітки: одержання, лужногалоідних, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения щелочно-галоидных кри­сталлов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной ка­мере до заданной температуры, заполнение каме­ры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и удаления из камеры токсичных и агрессивных га­зов, заполнение камеры инертным газом ведут до давления 1-2атм, а перед выращиванием давление...

Номер патенту: 16721

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Проценко Володимир Григорович, Ейдельман Лев Георгійович, Любинський Вадим Рувимович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: C30B 15/02

Мітки: розплаву, кристалів, пристрій, витягування

Формула / Реферат:

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель и расположенную коаксиально верхней его части кольцевую емкость, имеющую общую с тиглем стенку с отверстием, питатель для подачи в емкость твердого измельченного материала, нагреватели тигля и емкости, отличающееcя тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов, устройство снабжено экраном, установленным над кольцевой емкостью с возможностью осевого перемещения и...

Номер патенту: 4585

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Ковальова Людмила Василівна, Угланова Валентина Володимирівна, Сумін Валентин Іванович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Чаркіна Тамара Олександрівна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/12

Мітки: лужногалоїдних, одержання, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

(57) Способ получения щелочногалоидных кристаллов, включающий загрузку исходного сырья в тигель, нагрев тигля в вакууме в герметичной камере, заполнение камеры инертным газом до давления 1-2 атм, рас плавление при этом давлении сырья и выращивание кристалла при давлении газа 0,01-0,2 атм, отличающийся тем, что после расплавления сырья камеру вакуумируют, напускают инертный газ до давления 1,0-1,2 атм, выдерживают 0,5-1,5 часа, вакуумируют...