Суслов Олександр Миколайович
Керамічний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі ніобату-танталату аргентуму
Номер патенту: 113547
Опубліковано: 10.02.2017
Автори: Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: матеріал, діелектричний, основі, ніобату-танталату, керамічний, мікрохвильовий, аргентуму
Формула / Реферат:
Керамічний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі твердих розчинів ніобату-танталату аргентуму Ag(Nb1-xTax)O3 (ANT) , що включає Ag2O, Nb2O5 і Та2O5, який відрізняється тим, що для зниження температури спікання і запобігання термічному розкладу ANT, додатково містить 1-1,5 мас. % легкоплавкої домішки борату цинку ZnB2O4 при такому співвідношенні основних...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію
Номер патенту: 111752
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Дурилін Дмитро Олександрович, Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: мікрохвильовий, кобальтдефіцитного, основі, кобальт-ніобату, матеріал, барію, діелектричний
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію Ва(Со1/3-y,Nb1/3)О3-d, де 0,04£у£0,10, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності, а також можливості керування величиною TKe, має місце відхилення від стехіометрії в підґратці кобальту, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 58,1-59,1 СоО ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату барію
Номер патенту: 111751
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович, Дурилін Дмитро Олександрович
МПК: H01B 3/12
Мітки: основі, матеріал, цинкдефіцитного, цинк-ніобату, діелектричний, барію, мікрохвильовий
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату-барію Ba(Zn1/3-yNb1/3)O3-d, де 0,005£y£0,025, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці цинку при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 57,1-57,4 ZnO 9,4-9,9 Nb2O5 ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію
Номер патенту: 111750
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович
МПК: H01B 3/12
Мітки: діелектричний, магній-ніобату, матеріал, мікрохвильовий, барію, магнійдефіцитного, основі
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-d, де 0£у£0,05, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію
Номер патенту: 110716
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Суслов Олександр Миколайович
МПК: H01B 3/12
Мітки: магнійніобату, барійдефіцитного, матеріал, мікрохвильовий, барію, діелектричний, основі
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію Ba1-х(Mg1/3Nb2/3)O3-g, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,005£х£0,010, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 59,8-56,9 MgO 5,3-5,3 Nb2O5 ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію
Номер патенту: 110715
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: матеріал, цинкніобату, основі, барію, барійдефіцитного, діелектричний, мікрохвильовий
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію Ba1-х(Zn1/3Nb2/3)O3-γ, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,010≤х≤0,020 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 56,5-56,8 ZnO 10,1-10,2 Nb2O5 ...
Підйомник установки сухого гасіння коксу
Номер патенту: 8657
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Тимофеев Юрій Дмитрович, Азімов Олександр Абрамович, Евтушенко Юрій Іванович, Суслов Олександр Миколайович, Мінасов Олесандр Миколайович, Гольтман Борис Давидович
МПК: C10B 39/02
Мітки: гасіння, коксу, сухого, установки, підйомник
Формула / Реферат:
Подъемник установки сухого тушения кокса, включающий тележку с приводом горизонтального перемещения, расположенную на металлоконструкции, привод подъема кузова коксовозного вагона, полиспаст, верхние блоки которого закреплены на тележке, траверсу с грузозахватным устройством, закрепленную на нижних блоках полиспаста, отличающийся тем, что, с целью снижения металлоемкости и повышения надежности подъемника, приводы горизонтального...