Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію

Реферат: Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-, де 0у0,05. Для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 34,7-35,0. UA 111750 U (12) UA 111750 U UA 111750 U 5 Корисна модель належить до розробки мікрохвильових діелектриків і може бути використана при виготовленні резонансних елементів фільтруючих та генеруючих пристроїв для телекомунікаційних, стільникових, радіорелейних, радіонавігаційних та радіолокаційних систем зв'язку надвисокочастотного (НВЧ) діапазону. Для створення резонансних елементів фільтруючих та генеруючих пристроїв сучасної техніки зв'язку необхідні діелектричні матеріали, які в мікрохвильовому діапазоні поєднують -1 високі значення діелектричної проникності (ε>>1) та низькі діелектричні втрати tg δ0,05 кількість додаткових фаз збільшується, що спричиняє зниження добротності. ДЖЕРЕЛА ІНФОРМАЦІЇ:. 1. Диэлектрические резонаторы в микроэлектронике СВЧ / Безбородов Ю.М., Гассанов Л.Г., Липатов А.Л. и др. - Обзор ЭТ. Сер. Электроника СВЧ. вып.4(786). М.: ЦНИИ "Электропика", 1981. - с. 82. 2. М.Т. Sebastian, Dielectric Materials for Wireless Communication, Elsevier Science, Oxford, U.K., 2008. 3. D.-.I. Kim, J.-W. llahn, G.-P. I Ian, S.-S. Lee and T.-G. Effects of alkaline-earth metal addition on the sinterability and microwave characteristics of (Zn, Sn)TiO 4 dielectric // J. Am. Ceram. Soc. 2000. - V. 83. - P. 1010-1012. 4. Mehmet A. Akbas and Peter K. Davies, Ordering-Induced Microstructures and Microwave Dielectric Properties of the Ba(Mgi/3Nb2/3)O; -BaZrO3 System // J. Am. Ceram. Soc, 1998. - V. 81, № 3. - P. 3670-676. 5. H.J. Lee, H.M. Park, Y.W. Song, Y.K. Cho, S. Nahm, J.D. Byun Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Magnesium Niobate // J. Am. Ceram. Soc. - 2001. - V. 84. - P. 2105. 40 Таблиця Електрофізичні властивості системи Ba(Mg1/3.yNb1/3)O3.δ, де у змінювався в інтервалі -0,010у0,1 Хімічний склад, % мас. № х ВаО 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 -0,010 0 0,010 0,020 0,025 0,030 0,050 0,060 0,075 0,100 MgO Nb2O5 59,9 60,0 60,1 60,2 60,3 60,3 60,5 60,6 60,8 61,0 5,4 5,3 5,1 5,0 4,9 4,8 4,5 4,4 4,1 3,7 34,7 34,7 34,8 34,8 34,8 34,9 35,0 35,0 35,1 35,3 Електрофізичні властивості на 10 10 Гц Примітка ТKε, ε Q·f, ГГц -6 -1 10 K 30 90000 -7 30 110000 -7 31 113000 -7 31 116000 -7 31 118000 -8 Матеріал, що заявляється 31 120000 -8 31 110000 -8 32 100000 -9 32 95000 -10 32 85000 -11 2 UA 111750 U ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 5 Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-, де 0у0,05, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 34,7-35,0. Комп’ютерна верстка О. Рябко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3