Ткачук Вікторія Іллівна
Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку
Номер патенту: 86623
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Ткачук Вікторія Іллівна, Клето Геннадій Іванович, Савчук Андрій Йосипович
МПК: H01L 21/316
Мітки: оксиду, нанесення, плівок, цинку, тонких, процес, основі
Формула / Реферат:
Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку, що включає в себе виготовлення мішені шляхом змішування порошку оксиду цинку з легуючими компонентами, зволоження, формування та відпал мішені з наступним розпиленням її за допомогою іонно-плазмового методу, який відрізняється тим, що при виготовленні мішені до складу суміші вводять хлорид чи фторид щонайменше одного з елементів, вибраних з ряду Li, Al, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, в кількості...
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів спектрометрів іонізуючого випромінювання
Номер патенту: 37223
Опубліковано: 25.11.2008
Автори: Савчук Андрій Йосипович, Ткачук Петро Миколайович, Клето Геннадій Іванович, Мельничук Тетяна Аркадієвна, Ткачук Вікторія Іллівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: монокристалів, cdte:cl, спектрометрів, однорідних, випромінювання, одержання, спосіб, основі, іонізуючого, напівізолюючих, створення, детекторів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів іонізуючого випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтезований телурид кадмію, попередньо очищений від легколетких домішок, разом із добавкою CdCl2ּ(NCl=1018-1020 см-3) завантажують у подвійну неграфітизовану кварцову ампулу, ампулу...
Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку
Номер патенту: 23796
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Клето Геннадій Іванович, Савчук Андрій Йосипович, Ткачук Вікторія Іллівна
МПК: H01L 21/316
Мітки: нанесення, процес, плівок, основі, оксиду, цинку, тонких
Формула / Реферат:
Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку, що включає виготовлення мішені шляхом змішування порошку оксиду цинку з легуючими компонентами, зволоження, формування та відпалювання мішені з наступним розпиленням її за допомогою іонно-плазмового методу, який відрізняється тим, що при виготовленні мішені до складу суміші вводять галогенну сполуку (хлорид, фторид) елемента(ів) з атомним(и) номером(ами) 3, 13, 25, 26, 27, 28, 29, 30 в...
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання
Номер патенту: 58151
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Ткачук Петро Миколайович, Ткачук Вікторія Іллівна, Раранський Микола Дмитрович
МПК: C30B 11/00
Мітки: ядерного, детекторів-спектрометрів, однорідних, спосіб, основі, cdte:cl, монокристалів, одержання, створення, напівізолюючих, випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що полікристалічний порошок синтезованого CdTe поміщають у робочу камеру трисекційної кварцової ампули, ампулу розміщують в температурному полі горизонтальної трубчатої печі з градієнтом температури...