Раранський Микола Дмитрович
Спосіб охолодження джерела рентгенівського випромінювання
Номер патенту: 116560
Опубліковано: 25.05.2017
Автори: Кшевецький Олег Станіславович, Раранський Микола Дмитрович
МПК: H01J 35/12, H05G 1/00, H01J 35/00 ...
Мітки: спосіб, рентгенівського, джерела, охолодження, випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб охолодження джерела рентгенівського випромінювання, що включає теплообмін джерела рентгенівського випромінювання з навколишнім середовищем та/або теплообмін між частинами джерела рентгенівського випромінювання, який відрізняється тим, що для теплообміну використовують електричний струм, який протікає у неоднорідному та/або анізотропному середовищі.
Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію
Номер патенту: 87571
Опубліковано: 10.02.2014
Автори: Саміла Андрій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Балазюк Віталій Назарович, Хандожко Віктор Олександрович, Раранський Микола Дмитрович
МПК: G01N 24/00
Мітки: монокристалу, основі, галію, процес, реєстрації, температури, селеніду
Формула / Реферат:
Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.
Застосування напівпровідникового кристала gаsе як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу
Номер патенту: 84872
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Балазюк Віталій Назарович, Ковалюк Захар Дмитрович, Хандожко Віктор Олександрович, Саміла Андрій Петрович, Раранський Микола Дмитрович
МПК: G01N 24/00
Мітки: квадрупольного, резонансу, основі, напівпровідникового, застосування, термометра, термометричної, речовини, кристала, gаsе, ядерного
Формула / Реферат:
Застосування напівпровідникового кристала GaSe як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу.
Процес реєстрації ультразвукових імпульсів у твердому тілі
Номер патенту: 82390
Опубліковано: 25.07.2013
Автори: Хандожко Віктор Олександрович, Саміла Андрій Петрович, Раранський Микола Дмитрович, Балазюк Віталій Назарович
МПК: G01N 29/34
Мітки: тілі, реєстрації, ультразвукових, процес, твердому, імпульсів
Формула / Реферат:
1. Процес реєстрації ультразвукових імпульсів у твердому тілі, що складається з етапів збудження акустичних імпульсів у зразку з допомогою перетворювача, підсилення відображення (відбитих) сигналів та індикації, який відрізняються тим, що заповнення імпульсу на етапі генерації здійснюють високочастотними коливаннями, девіація яких відбувається за випадковим законом в заданих межах біля резонансної частоти перетворювача з наступним цифровим...
Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 32716
Опубліковано: 26.05.2008
Автори: Раранський Микола Дмитрович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Грицюк Богдан Миколайович
МПК: C30B 13/00
Мітки: отримання, монокристалів, зонної, перекристалізації, процес, методом, сполук, напівпровідникових, горизонтально
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання
Номер патенту: 58151
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Раранський Микола Дмитрович, Ткачук Вікторія Іллівна, Ткачук Петро Миколайович
МПК: C30B 11/00
Мітки: монокристалів, одержання, випромінювання, детекторів-спектрометрів, ядерного, cdte:cl, створення, основі, однорідних, спосіб, напівізолюючих
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що полікристалічний порошок синтезованого CdTe поміщають у робочу камеру трисекційної кварцової ампули, ампулу розміщують в температурному полі горизонтальної трубчатої печі з градієнтом температури...