Патенти з міткою «cdte:cl»
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів спектрометрів іонізуючого випромінювання
Номер патенту: 37223
Опубліковано: 25.11.2008
Автори: Мельничук Тетяна Аркадієвна, Савчук Андрій Йосипович, Ткачук Вікторія Іллівна, Клето Геннадій Іванович, Ткачук Петро Миколайович
МПК: C30B 11/00
Мітки: одержання, cdte:cl, монокристалів, напівізолюючих, спектрометрів, однорідних, основі, детекторів, іонізуючого, створення, спосіб, випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів іонізуючого випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтезований телурид кадмію, попередньо очищений від легколетких домішок, разом із добавкою CdCl2ּ(NCl=1018-1020 см-3) завантажують у подвійну неграфітизовану кварцову ампулу, ампулу...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності
Номер патенту: 65336
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович
МПК: C30B 33/02, C30B 31/00
Мітки: cdte:cl, спосіб, отримання, p-типу, провідності, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності
Номер патенту: 65337
Опубліковано: 15.03.2004
Автор: Писклинець Уляна Михайлівна
МПК: C30B 31/00, C30B 33/00
Мітки: провідності, cdte:cl, отримання, монокристалів, спосіб, n-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів cdte:cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання
Номер патенту: 58151
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Раранський Микола Дмитрович, Ткачук Вікторія Іллівна, Ткачук Петро Миколайович
МПК: C30B 11/00
Мітки: ядерного, детекторів-спектрометрів, напівізолюючих, cdte:cl, однорідних, спосіб, основі, випромінювання, монокристалів, одержання, створення
Формула / Реферат:
Спосіб одержання однорідних напівізолюючих монокристалів CdTe:Cl для створення на їх основі детекторів-спектрометрів ядерного випромінювання, що включає вирощування монокристалів з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що полікристалічний порошок синтезованого CdTe поміщають у робочу камеру трисекційної кварцової ампули, ампулу розміщують в температурному полі горизонтальної трубчатої печі з градієнтом температури...