H01L 21/316 — з оксидів, склоподібних оксидів або скла на основі оксидів

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Святослав Володимирович, Котик Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/3065, H01L 21/31, H01L 21/265 ...

Мітки: формування, спосіб, ізоляції, схем, міжшарової, великих, структур, плазмового, інтегральних

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/316, H01L 21/04, H01L 21/318 ...

Мітки: кремнієвих, виготовлення, меза-діодів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Номер патенту: 86623

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Клето Геннадій Іванович, Ткачук Вікторія Іллівна, Савчук Андрій Йосипович

МПК: H01L 21/316

Мітки: оксиду, процес, нанесення, основі, цинку, плівок, тонких

Формула / Реферат:

Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку, що включає в себе виготовлення мішені шляхом змішування порошку оксиду цинку з легуючими компонентами, зволоження, формування та відпал мішені з наступним розпиленням її за допомогою іонно-плазмового методу, який відрізняється тим, що при виготовленні мішені до складу суміші вводять хлорид чи фторид щонайменше одного з елементів, вибраних з ряду Li, Al, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, в кількості...

Номер патенту: 23796

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Савчук Андрій Йосипович, Клето Геннадій Іванович, Ткачук Вікторія Іллівна

МПК: H01L 21/316

Мітки: оксиду, плівок, основі, процес, цинку, тонких, нанесення

Формула / Реферат:

Процес нанесення тонких плівок на основі оксиду цинку, що включає виготовлення мішені шляхом змішування порошку оксиду цинку з легуючими компонентами, зволоження, формування та відпалювання мішені з наступним розпиленням її за допомогою іонно-плазмового методу, який відрізняється тим, що при виготовленні мішені до складу суміші вводять галогенну сполуку (хлорид, фторид) елемента(ів) з атомним(и) номером(ами) 3, 13, 25, 26, 27, 28, 29, 30 в...

Номер патенту: 6698

Опубліковано: 16.05.2005

Автор: Клето Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/316

Мітки: процес, телуридного, нанесення, плівок, тонких, скла

Формула / Реферат:

Процес нанесення тонких плівок телуридного скла ВЧ-катодним розпиленням, що передбачає виготовлення мішені шляхом подрібнення та змішування компонентів, формування і відпал, який відрізняється тим, що порошок телуру змішують з порошком іншого (-их) компонента (-ів) в пропорції не менше 70 ат.% Те і розміщують на поверхні пластини з монокристалічного кремнію шаром завтовшки 1-2 мм, а ВЧ-катодне розпилення проводять в окисному середовищі в...