Жавжаров Євген Леонідович
Комбінована геліосистема на теплових трубках
Номер патенту: 108797
Опубліковано: 25.07.2016
Автори: Жавжаров Євген Леонідович, Гетманець Анатолій Володимирович, Морскова Оксана Юріївна
Мітки: комбінована, теплових, трубках, геліосистема
Формула / Реферат:
Комбінована геліосистема на теплових трубках, яка поєднує в собі спроможність генерації електричного току за рахунок фотоефекту та збір теплової енергії сонця для опалення приміщень чи нагріву теплоносіїв, яка відрізняється тим, що складається із вакуумованої ємкості (труби), половина внутрішньої поверхні якої містить тонкоплівковий фотоактивний шар з можливістю генерації електричного струму, всередині труби вбудована теплова трубка, що...
Спосіб виготовлення тонкоплівкових тензоелементів
Номер патенту: 40096
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Жавжаров Євген Леонідович, Антонченко Ніна Анатоліївна, Матюшин Володимир Михайлович
МПК: C23C 14/58, C23C 14/06
Мітки: виготовлення, тонкоплівкових, тензоелементів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення тонкоплівкових тензоелементів, який включає етап нанесення тонких металевих плівок на діелектричну підкладинку методом напилення у вакуумі та наступний етап обробки, який відрізняється тим, що обробка гетероструктури з плівкою відбувається за кімнатних температур одностадійно в атмосфері електрично-нейтрального атомарного водню в вакуумній установці.
Спосіб поліпшення адгезії металевих плівок до напівпровідникових і діелектричних прошарків
Номер патенту: 8622
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Полєха Дмитро Олександрович, Жавжаров Євген Леонідович
МПК: C23C 14/18, C23C 14/58
Мітки: спосіб, поліпшення, металевих, напівпровідникових, діелектричних, прошарків, плівок, адгезії
Формула / Реферат:
Спосіб поліпшення адгезії металевих плівок до напівпровідникових та діелектричних прошарків, який включає нанесення металевої плівки на прошарок і подальше оброблення плівки, який відрізняється тим, що оброблення пластин з плівкою виконують одностадійно в атмосфері електрично нейтрального атомарного водню у вакуумній установці при температурі прошарку 20-70°С.