Спосіб підготовки поверхні напівпровідникових матеріалів до лудіння

Номер патенту: 11447

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Нетреба В'ячеслав Васильович, Водолагін В'ячеслав Юрійович, Прошкін Микола Миколайович, Пєсков Віктор Андріанович, Каширкіна Надія Анатоліївна

МПК: H01L 35/34

Мітки: виготовлення, термоелектричних, спосіб, модулів, плат, монтажних

Номер патенту: 6372

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Прошкін Микола Миколайович, Пєсков Віктор Андріанович

МПК: B23K 35/362, C23C 2/30

Мітки: пайки, горячого, лудіння, флюс

Формула / Реферат:

Флюс для горячего лужения и пайки термо­электрических металлов, содержащий глицерин и соль хлористоводородной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения активности флюса, в качестве соли хлористоводородной кислоты он со­держит глицеринат хлорида никеля при следую­щем соотношении компонентов, мас.%: глицерин                                    60-82 глицеринат хлорида никеля     18-40.

Номер патенту: 11449

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пєсков Віктор Андріанович, Прошкін Микола Миколайович

МПК: C30B 33/10, C30B 29/46

Мітки: термоелементів, розчин, алюмінієм, поверхні, хімічного, травлення, напівпровідникових, контактного

Формула / Реферат:

Раствор для химического и контактного с алюминием травления поверхности полупровод­никовых термоэлементов из халькогенидов висму­та и сурьмы, содержащий водный раствор щелочи, отличающийся тем, что, с целью упрощения про­цесса травления и повышения качества поверхности термоэлементов, травитель дополнительно содер­жит трехзамещенный лимоннокислый натрий, а в качестве щелочи содержит гидрат окиси калия при следующем соотношении компонентов,...

Номер патенту: 6367

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Пєсков Віктор Андріанович, Прошкін Микола Миколайович

МПК: B23K 35/362

Мітки: пайки, лудіння, флюз

Формула / Реферат:

Флюс для пайки и лужения, преимущественно термоелектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы, оловом и олово-висмутовы­ми припоями, содержащий активную составляющую и растворитель, отличающийся тем, что с целью повышения активности флюса, он в качестве активной составляющей содержит гликолинат хлорида никеля при следующем соотношении компонентов маc. %: гликолинат хлорида никеля              30 - 50...

Номер патенту: 9014

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Федоров Роман Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникових, пристрій, матеріалів, очищення

Формула / Реферат:

Устройство для очистки полупроводниковых материалов, содержащее кольцевые зонные нагреватели, окружающие контейнер с исходным мате­риалом и снабженные неподвижными фоновыми нагревателями сопротивления, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет исключения холостого хода зонных нагре­вателей, они выполнены в виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу на две трубы, установленные коаксиально с...