Пристрій для очищення напівпровідникових матеріалів

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и обеспе чивает повышение производительности за счет исключения холостого хода зонных нагревателей Устройство содержит контейнер с исходным материалом окруженный зонными нагревателями Зонные нагреватели выполнены в виде лент намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу на две трубы Трубы установлены коаксиально и с возможностью вращения Между трубами симметрично размещены неподвижные фоновые нагреватели В устройстве исключается холостой ход зонных нагревателей и не требуется выполнять операцию возврата зонных нагревателей в исходное положение 2 ил Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для их высокопроизводительной промышленной очистки Наиболее близким к изобретению является устройство, содержащее несколько фоновых нагревателей, каждый из которых снабжен п зонными нагревателями закрепленными на общей каретке Недостаток известного устройства заключается в том, что в начале и в конце каждой операции п-1 зонных нагревателя работают вхолостую слитков несколько следующих друг за другом расплавленных зон, для чего зонные нагреватели выполнены в виде двух коаксиально расположенных труб способных вращаться с одинаковой угловой скоростью вокруг общей оси, на которые намотаны ленточные нагреватели с одинаковым шагом, и совмещены по шзгу а фоновые нагреватели расположены симметрично в пространстве между трубами зонных нагре вателей На фиг 1 представлена схема предложенного устройства на фиг 2 - вид А на фиг 1 Устройство содержит внешнюю 1 и внутреннюю 2 коаксиально расположенные трубы с намотанными на них ленточными нагревателями 3 и 4 Между указанными трубами симметрично расположены четыре фоновых нагревателя 5 с нагревательными спиралями Ленточные нагреватели 3 и 4 намотаны на трубы 1 и 2 с одинаковым ша гом и совмещены по шагу Цель изобретения - повышение произ водительности за счет исключения холостого хода зонных нагревателей Поставленная цель достигается тем что устройство для очистки состоит из нескольких горизонтально расположенных трубчатых неподвижных в пространстве фоновых нагревателей и зонных нагревателей для создания и перемещения вдоль очищаемых 1712472 Очистка полупроводниковых материалов производится следующим образом. Формула изобретения Устройство для очистки полупроводниковых материалов, содержащее кольцевые зонные нагреватели, окружающие контейКонтейнеры с исходным материалом (не показаны), размещенные в фоновых нагре- 5 нер с исходным материалом и снабженные вателях 5, нагреваются до нужной общей неподвижными фоновыми нагревателями температуры (близкой к температуре плавсопротивления, о т л и ч а ю щ е е с я тем, ления) посредством нагревательных спирачто, с целью повышения производительнолей. Д о п о л н и т е л ь н ы м подогревом сти за счет исключения холостого хода зонконтейнера с двух сторон лентами 3 и А в 10 ных нагревателей, они выполнены в виде контейнере создаются проплавленные золент, намотанных с одинаковым шагом и ны вдоль слитка материала. Вращением совмещенных по шагу на две трубы, устатруб 1 и 2 эти зоны перемещаются по слитку, новленные коаксиально с возможностью и происходит очистка последнего. вращения, а фоновые нагреватели размеще15 ны симметрично между трубами. й 4 '/1/ Г/ срие.1 ВидА 5 фиг.г Редактор М.Келемеш Составитель Л.Холодницкая Техред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Заказ 513 ' Тираж Подписное ВН1/ІИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб , 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101