Спосіб зміни динамічної провідності напівпроводникового матеріалу
Номер патенту: 23308
Опубліковано: 31.08.1998
Автори: Стахіра Павло Йосипович, Стахіра Роман Йосипович, Павлишин Олег Володимирович, Готра Зенон Юрійович
Завантажити PDF файл.
Формула / Реферат
Спосіб зміни динамічної провідності напівпровідникового матеріалу, згідно з яким до напівпровідникового елементу прикладають постійну електричну напругу, здійснюють періодичний тепловий нагрів та фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, який відрізняється тим, що після фіксації амплітуди, частоти та фази вихідного сигналу, продовжуючи періодичний тепловий нагрів, діють модульованим оптичним випромінюванням з області спектра фундаментального поглинання, повторно фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, які порівнюють з попередніми значеннями, і по їх зміні судять про зміну динамічної провідності напівпровідникового матеріалу.
Текст
Винахід відноситься до функціональної електроніки і може використовуватись при конструюванні піроелектричних приймачів. Відомий спосіб зміни динамічної провідності напівпровідникового матеріалу, згідно якого до напівпровідникового матеріалу прикладають постійну електричну напругу, здійснюють періодичний тепловий нагрів та фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу [Siegfried Bauer, Bernd Ploss. A method for the measurement of the thermal, the dielectric and the pyroelectric properties of thin pyroelectric films and their applications for Integrated heat sensors //J. Appl. Phys.. 68, 1991, pp. 6361-6367]. Однак відомий спосіб не дозволяє забезпечити фіксування сигналів малої Інтенсивності. В основу винаходу поставлена задача створити спосіб зміни динамічної провідності напівпровідникового матеріалу, в якому додаткові дії дозволили б забезпечити фіксування сигналів малої інтенсивності. Поставлена завдача вирішується тим, що в способі зміни динамічної провідності напівпровідникового матеріалу, в якому до напівпровідникового матеріалу прикладають постійну електричну напругу, здійснюють періодичний тепловий нагрів та фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, згідно з винаходом, після фіксації амплітуди, частоти та фази вихідного сигналу, продовжуючи періодичний тепловий нагрів, діють модульованим оптичним випромінюванням з області спектру фундаментального поглинання, повторно фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, які порівнюють з попередніми значеннями і по їх зміні судять про зміну динамічної провідності напівпровідникового матеріалу. За рахунок проведення одночасно з періодичним тепловим нагрівом, освітлення модульованим оптичним випромінюванням з області спектру фундаментального поглинання, отриманий вихідний сигнал є сумою термо- та фотосигналів, внаслідок чого змінюється амплітуда, частота та фаза вихідного термофотосигналу, по відношенню до вихідного сигналу, обумовленого лише тепловим нагрівом, що дає змогу фіксувати сигнали малої інтенсивності та несе додаткову інформацію щодо фізичних параметрів напівпровідникового матеріалу. Спосіб зміни динамічної провідності напівпровідникового матеріалу здійснюють наступним чином. До напівпровідникового матеріалу прикладають постійну електричну напругу, здійснюють періодичний тепловий нагрів та фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, після чого, продовжуючи нагрів, діють модульованим оптичним випромінюванням з області спектру фундаментального поглинання, повторно фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, які порівнюють з попередніми значеннями і по Тх зміні судять про зміну динамічної провідності напівпровідникового матеріалу. Приклад. Напівпровідникову пластину І п4£>еЗ розташовують в кріостаті з вакуумом 10Е-2 - 10Е-3 Па при температурі рідкого азоту та вище, прикладають до неї постійну електричну напругу 1-3 В. Здійснюють періодичний тепловий нагрів напівпровідникової пластини, фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного сигналу, після чого пластину, продовжуючи нагрів, з другого боку піддають впливу модульованого оптичного випромінювання з області спектру фундаментального поглинання І фіксують амплітуду, частоту та фазу вихідного термофотосигналу. Амплітуду, частоту та фазу вихідного термофотосигналу порівнюють з амплітудою, частотою та фазою вихідного сигналу, обумовленого лише періодичним тепловим нагрівом І по їх зміні судять про зміну динамічної провідності напівпровідникового матеріалу. Вихідний сигнал знімають з опору, включеного послідовно з напівпровідниковою пластиною І фіксують на осцилографі.
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod to change dynamic conductivity of semiconductor material
Автори англійськоюHotra Zenon Yuriiovych, Stakhira Pavlo Yosypovych, Stakhira Roman Yosypovych, Pavlyshyn Oleh Volodymyrovych
Назва патенту російськоюСпособ изменения динамической проводимости полупроводникового материала
Автори російськоюГотра Зенон Юрьевич, Стахира Павел Иосифович, Стахира Роман Иосифович, Павлышин Олег Владимирович
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/08
Мітки: напівпроводникового, спосіб, провідності, матеріалу, зміни, динамічної
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/1-23308-sposib-zmini-dinamichno-providnosti-napivprovodnikovogo-materialu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб зміни динамічної провідності напівпроводникового матеріалу</a>
Попередній патент: Адаптивна антенна решітка
Наступний патент: Спосіб лікування нестабільності плеча
Випадковий патент: Ферментер установки виробництва глутамінової кислоти