Спосіб синтезу кристалічних матеріалів, переважно оксидних

Спосіб синтезу кристалічних матеріалів, переважно оксидних, згідно з яким вихідну шихту розміщують у газовому середовищі при надкритичних значеннях тиску і температури, який відрізняється тим, що використовують газове середовище з щільністю не менш 0,4 значення щільності цього середовища у рідкому стані. (19) (21) 98084606 (22) 27.08.1998 (24) 17.06.2002 (46) 17.06.2002, Бюл. № 6, 2002 р. (72) Смоляр Анатолій Сергійович, Бархоленко Вячеслав Олександрович, Куц Віктор Олексійович, Гурін Володимир Григорович, Архіпов Олександр Петрович, Малоштан Сергій Миколайович, Развадовський Микола Альозійович, Свято Василь Петрович, Климович Андрій Профирович (73) Смоляр Анатолій Сергійович, Бархоленко Вячеслав Олександрович, Куц Віктор Олексійович, Гурін Володимир Григорович, Архіпов Олександр 3 31415 4 продуктивності процесу в цілому. чення щільності цього середовища у рідкому стані Крім того за цієї ж причини одночасно збіль/приклад 2/ і менш ніж 0,4 цієї величини /приклад шується розчинність вихідних реагентів, що ще 3, негативний, він же відповідає умовам способу за більш позитивно на кінцевий результат процесу. прототипом/. Дані зібрані в таблицю, додається, Приклад 1. Конкретної реалізації способу синЗ таблиці видно, що швидкість росту кристалів тезу кристалічних матеріалів. матеріалу що синтезується зростає більше ніж у Процес здійснювали на типовій газовій устасім разів. новці високого тиску. В якості вихідної шихти викоСлід відмітити, що результати експериментів ристовували суміш водної кремнієвої кислоти і незначно будуть відрізнятися при заміні газу, який хлористого натрію в співвідношенні 1 : 1, яку розмістить газове середовище або при виборі іншого міщували в аргоні (Ar). Значення тиску - 3000атм , вихідного матеріалу при східних результатах тертемператури – 800°С, щільність газового середомодинамічних розрахунків. вища складала 0,74г/см3. Це обумовлено однаковими закономірностям Внаслідок протікання фізико-хімічних процесів протікання процесу в цих умовах , що досліджено нами. Наукові посилки такого ствердження місв реакційному об'ємі були отримані кристали aтяться також в різних джерелах цього напрямку, кварцу полікристалічної структури /підтверджено наприклад в монографії Воробьев Ю.К. Закономерентгенографічно/. Швидкість утворення цих крисрности роста и эволюции кристалов минералов, талів становила ~0,3м/год. М., Наука, 1990, с.132 - 133. Спосіб синтезу кристалічних матеріалів було реалізовано при цих же умовах при різних значеннях щільності газового середовища рівних 0,4 зна ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул. Сім’ї Хохлових, 15, м. Київ, 04119, Україна (044) 456 – 20 – 90 ТОВ “Міжнародний науковий комітет” вул. Артема, 77, м. Київ, 04050, Україна (044) 216 – 32 – 71