Патенти з міткою «п’єзоелектричних»

Номер патенту: 93323

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Красковський Олександр Павлович, Туз Юліан Михайлович, Мосолаб Олексій Олександрович

МПК: G01H 17/00

Мітки: п'єзоелектричних, характеристик, основі, перетворювачів, спосіб, решіток, фазованих, антенних, вимірювання, просторово-часових, принципу, лінійних, суперпозиції

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання просторово-часових характеристик лінійних фазованих антенних решіток п'єзоелектричних перетворювачів, що включає багатоканальну генерацію високовольтних сигналів заданої амплітуди, частоти та фази для сумісного збудження п'єзоелементів фазованої антенної решітки, випромінювання акустичних сигналів в досліджуване середовище, прийом та перетворення акустичних сигналів в електричні прийомним сфокусованим п'єзоелектричним...

Номер патенту: 104184

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Фомін Олександр Сергійович, Мигаль Валерій Павлович, Бут Андрій Володимирович

МПК: H01L 21/263, H03H 3/00, H01L 41/22 ...

Мітки: обробки, спосіб, п'єзоелектричних, польової, матеріалів, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб польової обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом монохроматичного підсвічування кристала та одночасного прикладення до нього змінного електричного поля  на частотах, визначених з частотної залежності коефіцієнта нелінійних спотворень , який відрізняється тим, що вимірюють частотну...

Номер патенту: 93947

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Бут Андрій Володимирович, Мигаль Валерій Павлович, Фомін Олександр Сергійович, Клименко Ігор Андрійович

МПК: H01L 21/263

Мітки: обробки, електроакустичної, п'єзоелектричних, матеріалів, спосіб, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб електроакустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом монохроматичного підсвічування кристала та прикладання змінного електричного поля на визначених частотах f, який відрізняється тим, що для кристала послідовно вимірюють спектри фотоструму I(l) при однакових умовах, перетворюють отриману послідовність спектрів фотоструму в пакет параметричних сигнатур I(l)-dI/dl, за найбільшим розмиттям фазових траєкторій яких...

Номер патенту: 88531

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Фомін Олександр Сергійович, Бут Андрій Володимирович

МПК: H01L 21/00

Мітки: матеріалів, обробки, електроакустичної, п'єзоелектричних, спосіб, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб електроакустичної обробки п’єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом збудження найбільш нестабільних власних пружних коливань з використанням генератора сигналів довільної форми та вимірювання при цьому їх частоти, амплітуди та стабільності в часі, який відрізняється тим, що з частот найбільш нестабільних власних пружних коливань, шляхом суперпозиції, синтезують хвильовий пакет, форма якого подібна до короткої хвилі - вейвлету,...

Номер патенту: 41161

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Манорик Петро Андрійович, Цурупа Ігор Сергійович, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Гребенніков Володимир Миколайович, Трофимчук Ірина Миколаївна, Погоріла Лідія Михайлівна

МПК: G01N 29/00, G01N 31/22, G01N 27/00 ...

Мітки: біс-4-(3-фенілпропілпіридин)цинк(ii, п'єзоелектричних, сенсорів, покриття, застосування, толуол, хемосорбційного, дихлориду

Формула / Реферат:

Застосування як хемосорбційного покриття для п'єзоелектричних сенсорів на толуол біс-4-(3-фенілпропілпіридин)цинк(ІІ) дихлориду загальної структурної формули:.

Номер патенту: 40507

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Цурупа Ігор Сергійович, Бурлаєнко Наталія Андріївна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Гребенніков Володимир Миколайович, Трофимчук Ірина Миколаївна, Погоріла Лідія Михайлівна, Манорик Петро Андрійович

МПК: G01N 29/00, G01N 27/00, G01N 31/22 ...

Мітки: сенсорів, толуол, п'єзоелектричних, покриття, сорбційноактивне

Формула / Реферат:

Сорбційноактивне покриття п'єзоелектричних сенсорів на толуол, що складається з координаційної сполуки 3d-перехідного металу з органічним лігандом, яке відрізняється тим, що містить як координаційну сполуку 3d-перехідного металу з органічним лігандом біс-4-(3-фенілпропілпіридин)цинк(ІІ) дихлорид загальної формули ZnC28H30N2Cl2 й додатково містить дисперсний діоксид титану з розвиненою поверхнею, причому на одну масову частину...

Номер патенту: 37213

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Клімов Всеволод Валентинович, Селікова Нелля Іванівна, Штонда Олексій Сергійович, Бронников Анатолій Никифорович, Скірдіна Інна Костянтинівна

МПК: H01L 21/00, C04B 35/00

Мітки: спосіб, багатошарових, елементів, свинцю, одержання, основі, товстоплівкових, п'єзоелектричних, цирконату-титанату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання багатошарових товстоплівкових п'єзоелектричних елементів на основі цирконату-титанату свинцю, який включає отримання наповнювача на основі дрібнодисперсної синтезованої шихти п'єзоелектричного матеріалу ЦТССт-3 із добавкою 2 мас. % Ві2О3 у пристроях з високим рівнем енергетичної дії, змішування наповнювача з органічним зв'язуючим, отримання сегнетоелектричної пасти, нанесення сегнетоелектричної пасти та срібловмісної пасти...

Номер патенту: 15633

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Омельченко Олексій Олександрович, Чернов Дмитро Вікторович, Крижановський Володимир Григорович, Принцовський Володимир Анатольович

МПК: G01R 29/00

Мітки: перетворювачів, пристрій, вимірювання, п'єзоелектричних, параметрів

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання параметрів п'єзоелектричних перетворювачів, що містить включений між перетворювачем та джерелом сигналу змінний імпеданс, який відрізняється тим, що в ньому змінний імпеданс виконаний у вигляді послідовно з'єднаних індуктивності і першої ємності, підключеної послідовно з п'єзоелектричним перетворювачем, другої ємності, включеної паралельно п'єзоелектричному перетворювачу до загального проводу, цей імпеданс приєднаний...

Номер патенту: 76302

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гудим Людмила Іванівна, Докучаєва Людмила Ігорівна

МПК: G01N 21/00

Мітки: спосіб, властивостей, речовин, критеріїв, контролю, п'єзоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критеріїв п'єзоелектричних властивостей речовин, за яким через зразок навантаженого діелектрика з фіксованою товщиною пропускають випромінювання і вимірюють спектральні параметри, який відрізняється тим, що через зразок пропускають ІЧ-випромінювання, реєструють спектри поглинання енергії коливань атомів в молекулярних групах ,

Номер патенту: 72118

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Демешко Сергій Вікторович, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Манорик Петро Андрійович, Погоріла Лідія Михайлівна, ФЕДОРЕНКО МАЙЯ АЛЬБЕРТІВНА, Гребенніков Володимир Миколайович

МПК: G01N 27/00, G01N 21/81

Мітки: покриття, сорбційно-активне, вологочутливих, п'єзоелектричних, сенсорів

Формула / Реферат:

Застосування як сорбційно-активного покриття вологочутливих п'єзоелектричних сенсорів натрієвої солі різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки 3d-перехідних металів, що вибрані з групи мідь і нікель, з етилендіамінтетраоцтовою кислотою та з карбоновою або оксикарбоновою кислотою загальної емпіричної формули Na4[HmCu(Edta)2Ni(L)2].nH2O, де Edta - аніон етилендіамінтетраоцтової кислоти, L - аніон карбонової - бурштинової - кислоти або...

Номер патенту: 62726

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Шарапов Валерій Михайлович, Балковська Юлія Юріївна, Мусієнко Максим Павлович

МПК: G01L 1/16, G01P 15/09

Мітки: допомогою, спосіб, п'єзоелектричних, елементів, фізичних, вимірювання, величин

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання фізичних величин за допомогою п'єзоелектричних елементів із двома електродами шляхом впливу фізичної величини на п'єзоелектричний елемент і утворення електричного заряду (чи електричної напруги) на цих електродах, який відрізняється тим, що електроди п'єзоелемента розміщені таким чином, щоб вектор напруженості електричного поля вихідного сигналу утворював кут α з вектором поляризації, причому

Номер патенту: 62757

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Фомін Олександр Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Клименко Ігор Андрійович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/263

Мітки: спосіб, кристалічних, матеріалів, обробки, акустичної, п'єзоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом послідовного збудження найбільш нестабільних власних пружних коливань та вимірювання при цьому їх частоти, амплітуди та стабільності в часі, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку збуджують високочастотні власні пружні коливання, які промодульовані прямокутними імпульсами при одночасному монохроматичному підсвічуванні з області максимуму домішкової...

Номер патенту: 62183

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Гребенніков Володимир Миколайович, Манорик Петро Андрійович, Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Філіппов Олексій Павлинович, Бурлаєнко Наталія Андріївна

МПК: G01N 31/22, G01N 27/00, G01N 29/00 ...

Мітки: п'єзоелектричних, датчиків, покриття, матеріал, амоніак, сорбційноактивний

Формула / Реферат:

Сорбційно активний матеріал для покриття п'єзоелектричних датчиків на амоніак на основі координаційної сполуки 3d-перехідного металу як чутливої речовини, який відрізняється тим, що він містить як основу натрієву сіль координаційної сполуки міді з лимонною кислотою загальної емпіричної формули Na[Cu(Citr)(Н2О)4], де Citr - аніон лимонної кислоти, і додатково містить як матрицю для цієї солі дисперсний кремнезем з розвиненою поверхнею, причому...

Номер патенту: 62182

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Манорик Петро Андрійович, ФЕДОРЕНКО МАЙЯ АЛЬБЕРТІВНА, Філіппов Олексій Павлинович, Гребенніков Володимир Миколайович, Демешко Сергій Вікторович, Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Бурлаєнко Наталія Андріївна

МПК: G01N 31/22, G01N 27/00, G01N 29/00 ...

Мітки: п'єзоелектричних, покриття, амоніак, датчиків, сорбційноактивний, мас-чутливих, матеріал

Формула / Реферат:

Сорбційно активний матеріал покриття для п'єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак на основі координаційної сполуки 3d-перехідного металу як чутливої речовини, який відрізняється тим, що він містить як основу натрієву сіль різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки міді і цинку з етилендіамінтетраоцтовою кислотою та з лимонною кислотою загальної емпіричної формули Na4(H6Cu Zn (Edta)2 (Citr)2].7Н2О, де Edta - аніон...

Номер патенту: 60034

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: ФЕДОРЕНКО МАЙЯ АЛЬБЕРТІВНА, Манорик Петро Андрійович, Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Гребенніков Володимир Миколайович, Шабельников Володимир Петрович, Демешко Сергій Вікторович, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Головатий Віталій Григорович

МПК: G01N 31/22, G01N 29/00, G01N 27/00 ...

Мітки: мас-чутливих, покриття, датчиків, сорбційноактивне, амоніак, п'єзоелектричних

Формула / Реферат:

Застосування як сорбційно активного покриття для п'єзоелектричних мас-чутливих датчиків на амоніак натрієвої солі різнолігандної гетероадерної координаційної сполуки 3d-перехідних металів з етилендіамінтетраоцтовою кислотою та з карбоновою або оксикарбоновою кислотою загальної емпіричної формули Na4[HmCu(Edta)2 М(L)2]. NH2O, де М - центральний атом 3d-перехідного металу, що вибраний з групи нікель, цинк; Fdta - аніон етилендіамінтетраоцтової...

Номер патенту: 60033

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Гребенніков Володимир Миколайович, Манорик Петро Андрійович

МПК: G01N 31/22, G01N 27/00, G01N 29/00 ...

Мітки: датчиків, п'єзоелектричних, покриття, хемосорбційне, амоніак

Формула / Реферат:

Застосування як хемосорбційного покриття для п'єзоелектричних датчиків на амоніак солі координаційної сполуки міді з лимонною кислотою загальної емпіричної формули М[Cu(Citr)(H2O)4], де М - катіон лужного металу, що вибраний з групи калій, натрій, Сu - мідь як центральний атом сполуки і Citr - аніон лимонної кислоти.

Номер патенту: 60032

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Манорик Петро Андрійович, Гребенніков Володимир Миколайович

МПК: G01N 31/22, G01N 27/00, G01N 29/00 ...

Мітки: покриття, п'єзоелектричних, амоніак, хемосорбційне, датчиків

Формула / Реферат:

Застосування як хемосорбційного покриття для п'єзоелектричних датчиків на амоніак солі координаційної сполуки 3d-перехідного металу з винною кислотою загальної емпіричної формули М1 [М (Tartr) (H2O)4], де М – 3d-перехідний метал як центральний атом сполуки, що вибраний з групи мідь, нікель, Tartr - аніон винної кислоти і М1 - катіон лужного металу, що вибраний з групи калій, натрій.

Номер патенту: 60031

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Гребенніков Володимир Миколайович, Манорик Петро Андрійович, Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Бурлаєнко Наталія Андріївна

МПК: G01N 31/22, G01N 29/00, G01N 27/00 ...

Мітки: датчиків, п'єзоелектричних, амоніак, хемосорбційне, покриття

Формула / Реферат:

Застосування як хемосорбційного покриття для п'єзоелектричних датчиків на амоніак координаційної сполуки 3d-перехідного металу з молочною кислотою загальної емпіричної формули MLact2.nH2O, де М - 3d-перехідний метал, що вибраний з групи мідь і нікель, Lact - молочна кислота, a n - число молекул води, яке дорівнює двом.

Номер патенту: 40800

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Клименко Ігор Андрійович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26

Мітки: акустичної, п'єзоелектричних, матеріалів, обробки, кристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом збудження акустичних коливань, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку, вміщеному в змінне електричне поле, за рахунок зворотного п'езоефекту збуджують низькочастотні власні пружні коливання, вимірюючи при цьому їх частоти, амплітуди та стабільність в часі, далі визначають сильні п'езорезонанси, швидкість зміни частоти яких з часом максимальна, і послідовно...