H01L 21/26 — вплив хвильовим випромінюванням або випромінюванням частинок

Номер патенту: 110461

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/326, H01L 21/26, H01L 21/02 ...

Мітки: спосіб, отримання, мдн-транзистора, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким формують пари n+областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та електроди стоку і витоку, підзатворного діелектрика на основі SiO2 і затворного електрода, проводять пасивацію та опромінюють отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 2-10 мкм і шириною 50 мкм рентгенівськими променями при потужності експозиційної дози немонохроматизованого випромінювання 870 Р/с...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26, H01J 37/30, H01L 21/336 ...

Мітки: отримання, кремнієвого, спосіб, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 86018

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/336, H01L 29/76, H01L 21/26 ...

Мітки: мдн-транзистора, отримання, кремнієвого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 та формування затворного електрода, проведення процесів пасивації та наступного опромінення отриманої транзисторної структури з довжиною каналу від 2 до 10 мкм із шириною 50 мкм рентгенівськими променями при...

Номер патенту: 72073

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/00

Мітки: отримання, спосіб, кремнієвого, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 3-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють рентгенівськими...

Номер патенту: 3412

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Крапивко Геннадій Іванович

МПК: H01L 31/036, H01L 21/26

Мітки: пластин, спосіб, кремнію, поверхні, обробки, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.

Номер патенту: 56544

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Чернишов Віктор Григорович, Падалко Віктор Григорович, Мокеєв Юрій Геннадійович, Вербицький Володимир Григорович, Немчин Олександр Федорович, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 21/18, H01L 21/26

Мітки: спосіб, виготовлення, білий, світлодіод, супер'яскравий

Формула / Реферат:

1. Білий супер’яскравий світлодіод, який містить підкладку або іншу кристалічну орієнтуючу поверхню, на котрій із твердого розчину сполук третьої та п’ятої груп Періодичної системи, зокрема AlGaInNAs, виготовлена гетероструктура інжекторів електронів і дірок та активний випромінюючий шар, який відрізняється тим, що епітаксійна гетероструктура інжекторів електронів і дірок та активний  випромінюючий шар формуються в гетерогенній варізонній...

Номер патенту: 40800

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Клименко Ігор Андрійович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26

Мітки: обробки, спосіб, п'єзоелектричних, акустичної, матеріалів, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом збудження акустичних коливань, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку, вміщеному в змінне електричне поле, за рахунок зворотного п'езоефекту збуджують низькочастотні власні пружні коливання, вимірюючи при цьому їх частоти, амплітуди та стабільність в часі, далі визначають сильні п'езорезонанси, швидкість зміни частоти яких з часом максимальна, і послідовно...

Номер патенту: 11181

Опубліковано: 25.12.1996

Автор: Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/26

Мітки: іонно-плазмової, обробки, спосіб

Формула / Реферат:

Способ ионно-плазменной обработки, включающий воздействие на обрабатываемое изделие химически активными нейтральными и заряженными частицами, генерацию которых осуществляют в физически разделенных пространствах, отличающийся тем, что в пространстве генерации химически активных нейтральных частиц возбуждают электронную плазменную волну с частотой в области нижнегибридного резонанса и с продольной по отношению к магнитному полю фазовой...

Номер патенту: 11659

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Любченко Олексій Вікторович, Баранський Петро Іванович, Сальков Євген Андрійович, Мисливець Ксенія Артурівна, Курбанов Курбан Рамазанович, Лукинський Юрій Леонідович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Єргаков Валерій Костянтинович, Оліх Ярослав Михайлович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/463

Мітки: напівпровідникових, параметрами, електрофізичними, а11в1, сполук, керування, спосіб, типу

Формула / Реферат:

1. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа АІ ВVI, включающий ультразвуковое воздействие интенсивностью 102 - 2-103 Вт/ч2 на образец соединения и последующее химическое удаление приповерхностного нарушенного слоя на глубину 5-10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cdxtg1-k Te состава...

Номер патенту: 227

Опубліковано: 30.04.1993

Автор: Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/26

Мітки: спосіб, плазмохімічної, обробки

Текст:

...В этом случае расходимость потоков сводится к минимуму, что обеспечивает их высокую направленность и интенсивность. На фиг. 1 представлен пример реализации способа, в котором разделяющее магнитное поле, создаваемое системой магнитов 1 из катушек индуктивности, используется также для интенсификации про 10-41 Р. со С о со VI ел 1637596 цесса генерации химически активных нейтральных радикалов в зоне 2; на фиг. 2 - то же, но разделяющее...

Номер патенту: 172

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Трипута Геннадій Олександрович, Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/26

Мітки: спосіб, обробки, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

1. Способ ионно - плазменной обработки в скрещен­ных ВЧ электрическом и постоянном магнитном полях, включающие удаление материала с обрабатываемого изделия под действием заряженных и нейтральных частиц плазмы в условиях замагниченности электродов wне/nен>1, где wне - электронная циклотронная часто­та для минимального значения индукции магнитного поля, neн - частота упругих столкновений электронов с нейтральными частицами.отличающиися тем,...