Суміш для фінішного полірування оксидних матеріалів

Изобретение относится к составам для химико-механического полирования материалов электронной техники, в частности, материалов группы АІІ ВIV, и может быть использовано в приборостроении и электронной промышленности. Известен полировальный состав для финишной обработки полупроводниковых материалов типа АІІ ВIV, содержащий карбоксиаэросил, хромовый ангидрид, концентрированную соляную или азотную кислоту, этиленгликоль, алкилбензилдиметиламмоний хлорид и воду [1]. Указанный состав непригоден для полирования кристаллов ΖnΟ, так как приводит к интенсивному растравливанию поверхности (возникают ямки травления). Известен состав для химико-механического полирования полупроводниковых материалов группы АІІ ВIV, включающий пирогенный оксид SiO2 . ТiO 2, хромовый ангидрид в качестве травителя и вoду [2]. Однако этот состав практически не оказывает воздействия на полируемую поверхность кристаллов ΖnΟ. Наиболее близким к заявляемому изобретению является состав для финишной полировки материалов электронной техники [3], включающий в качестве абразива смешанный пирогенный оксид на основе SiO2, содержащий 4,5-7,0 мас.%. Аl2О 3, моноэтаноламин и воду при следующем соотношении компонентов: смешанный пирогенный 8-12 оксид моноэтаноламин 8-12 вода остальное Однако известный полировальный состав не пригоден для полировки поверхности кристаллов оксида цинка, поскольку не оказывает химико-механического воздействия на его поверхность. В основу изобретения поставлена задача разработать состав для финишной полировки оксидных материалов, в котором, путем использования иного, чем моноэтаноламин, травителя, обеспечивалось бы "мягкое" химико-механическое воздействие на поверхность оксидных материалов и, тем самым, улучшение качества их поверхности. Поставленная задача решается тем, что полировальный состав для финишной полировки оксидных материалов, включающий смешанный пирогенный оксид на основе SiО2, содержащий Аl2О3, травитель и воду, согласно изобретению, в качестве травителя используют аммиак, оксид берут с содержанием Аl2О 3 9-11 мас.% при следующем соотношении компонентов в составе, мас.%: смешанный пирогенный оксид 8,0-10,0 аммиак водный (25%-ный) вода 2,8-3,5 остальное Для приготовления заявляемого полировального состава использовали пирогенный оксид SiO2 . Аl2O 3, получаемый путем совместного гидролиза хлорида алюминия и кремния. Пирогенный (SiO2 . Аl2 O3) выпускается Калушским экспериментальным производством Института химии поверхности (ТУ 88 УССР 251-02-84). В качестве травителя использовали аммиак водный 25%-ный (ГОСТ 3760-64). Заявляемый полировальный состав готовили следующим образом. В водный раствор аммиака при постоянном перемешивании вводили алюмокремнезем. Получанную композицию использовали для финишного полирования пластин оксида цинка диаметром 25 мм и толщиной 100 мкм. Химико-механическое полирование осуществляли на станке ЗПМ-350 полировальником из поливела. Производительность процесса полирования оценивали по съему материала в единицу времени. Степень чистоты полируемой поверхности определяли, измеряя микронеровности при помощи профилометра - профилографа - 252 и рефлектометрическим методом. Далее приводятся сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения. Πример 1. Готовили композицию состава, мас.%: смешанный пирогенный оксид с содержанием Аl2О3 9 мас.% - 8; аммиак водный – 2,8; вода - до 100%. Композицию использовали для финишной полировки кристаллов оксида цинка. Шероховатость отполированной поверхности–8 нм. Поверхность зеркальная, без царапин и рисок. Пример 2-9. Поступали так, как описано в примере 1, за исключением того, что изменяли содержание вводимых компонентов. Пример 10 (по прототипу). Готовили композицию состава, мас.%: смешанный пирогенный оксид с содержанием Аl2O3 7 мас.% - 12, моноэтаноламин - 12, вода - до 100%. Композицию использовали для финишной полировки кристаллов оксида цинка. Изменения качества поверхности полируемого образца практически не наблюдается. Съема практически нет. Данные, приведенные в примерах, и показатели качества полированной поверхности представлены в таблице. Анализ данных, приведенных в таблице, показывает, что при использовании композиции, включающей ингредиенты в заявляемых соотношениях достигается задача изобретения (пример 1-3). В случае отклонения от заявляемых пределов наблюдается снижение качества поверхности оксида цинка и уменьшение съема полируемой поверхности (пример 4-9). В случае использования состава по прототипу съема практически не наблюдается (пример10). Заявляемый состав обеспечивает качественную химико-механическую полировку поверхности кристаллов оксида цинка (Rz = 8-12 нм). Заявляемый состав позволяет расширить диапазон полируемых полупроводниковых материалов группы АIIВVI·