Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу
Номер патенту: 42210
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
Формула / Реферат
Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу, який містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано прозорий до оптичного випромінювання затворний електрод із ауруму, причому області стоку, витоку і прозорий затворний електрод із Аu розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, який відрізняється тим, що поверхня напівпровідникової підкладки, покрита двоокисом кремнію, має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: А < S/n, де S - площа каналу, n - число пазів, а діаметр паза і відстань між сусідніми пазами не менше, ніж на порядок, перевищує довжину хвилі випромінювання.
Текст
Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу, який містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано прозорий до оптично 3 42210 зв'язаний зі стоком через канал, поверхня напівпровідникової підкладки з метою захисту її від зовнішніх впливів покрита двоокисом кремнію і є чутливою до оптичного випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: А
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюTransistor photosensitive sensor with two-way lighting a channel
Автори англійськоюOsadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Ilchenko Olena Mykolaivna
Назва патенту російськоюТранзисторный фоточувствительный сенсор с двухсторонним освещением канала
Автори російськоюОсадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Ильченко Елена Николаевна
МПК / Мітки
МПК: H01L 27/00, G01J 1/44
Мітки: фоточутливий, двостороннім, сенсор, транзисторний, каналу, освітленням
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-42210-tranzistornijj-fotochutlivijj-sensor-z-dvostoronnim-osvitlennyam-kanalu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу</a>
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
Номер патенту: 42207
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: транзисторної, основі, структури, мікроелектронний, випромінювання, фоточутливої, оптичного, сенсор
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
Номер патенту: 42205
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: H01L 27/00, G01J 1/44
Мітки: сенсор, потужності, мікроелектронний, частотним, виходом, оптично
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі
Номер патенту: 40955
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Савицький Антон Юрійович, Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01N 21/53
Мітки: сенсор, транзисторі, гігрометричний, польовому
Формула / Реферат:
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі, який складається з чутливого елемента та приєднаного до нього польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить область витоку і область стоку, а також провідні електродні плівки та ізолюючий плівковий затвор, до протилежної поверхні чутливого елемента приєднаний керувальний електрод, який відрізняється тим, що польовий транзистор виготовлений за двозатворною...
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання
Номер патенту: 31603
Опубліковано: 10.04.2008
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: G01J 1/44
Мітки: оптичного, пристрій, виміру, мікроелектронний, випромінювання
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого...
Сенсор визначення натягу нитки
Номер патенту: 52230
Опубліковано: 16.12.2002
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Домбровський Андрій Генадійович, Коленчук Дмитро Миколайович, Славінська Яна Вікторівна, Данилець Євген Валентинович, Кучерук Олександр Дмитрович
МПК: D03D 49/04, G01L 5/04
Мітки: натягу, сенсор, визначення, нитки
Формула / Реферат:
Сенсор визначення натягу нитки, що складається з джерела випромінювання, оптичного елемента, позиційно-чутливого фотоприймача з вихідними контактами, який відрізняється тим, що сенсор обладнаний напівпровідниковим лазером як джерелом випромінювання, оптичним елементом є вгнута лінза, а позиційно-чутливий фотоприймач виготовлений на основі епітаксійних структур GaAs:Si з поперечним фотоефектом.
Попередній патент: Пристрій для оптичної спектроскопії матеріалів
Наступний патент: Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом
Випадковий патент: Імідазотриазинонові сполуки та фармацевтична композиція, що їх містить