Спосіб отримання кристалічного pbs

1 Спосіб отримання кристалічного PbS, який полягає в тому, що ВИХІДНІ речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, який відрізняється тим, що як вихідну речовину PbS додатково легують талієм 2 Спосіб отримання кристалічного PbS по п 1, який відрізняється тим, що легування талієм здійснюється до 0,4 ат % Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, термоелектриці, оптоелектроніці Халькогенідні напівпровідники групи A I V B V I і тверді розчини на їх основі, що використовуються як термоелектричні матеріали, отримують у вигляді моно- чи полікристалів з розплаву або з газової фази (Анатычук Л И Термоэлементы и термоэлектрические устройства Справочник — Киев Наукова думка —1979 —768с) Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі і не дозволяють плавно керувати електричними і термоелектричними параметрами Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання кристалічного PbS, який полягає у тому, що ВИХІДНІ речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації (Абрикосов М X , Шелимова Л Е Полупроводниковые материалы на основе соединений A I V B V I — M Наука —1975) Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання кристалічного PbS, який полягає у тому, що ВИХІДНІ речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, згідно винаходу, як вихідну речовину використовують кристалічний PbS легований талієм Експериментальне встановлено, що для даної речовини додаткове легування ТІ до 0,4ат % приводить до покащення термоелектричних параметрів даної речовини (фіг) Спосіб отримання кристалічного PbS здійснюють таким чином Як вихідну речовину використовують сплав сполук РЬ і S які легують ТІ ВИХІДНІ речовини, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації Приклад конкретного виконання Вихідними матеріалами для приготування сплавів служили талій марки Тл-ІІІ, свинець марки В основу винаходу поставлене завдання створити спосіб отримання кристалічного PbS, в якому легування додатковим компонентом вихідних речовин, дозволило б отримати матеріал з високими термоелектричними параметрами 1 со 43997 С-000, сірка марки ос ч Елементи сплавляли в кварцових ампулах, вакуумованих до 1,33 10 2Па Сплави охолоджували протягом декількох діб Леговані кристали досліджували методами диференціально-термічного, рентгенофозового і мікроструктурного аналізів ДТА проводили на пірометрі ФПК-58, РФА порошків здійснювали на установці ДРОН-0,5 Термоелектричні властивості досліджували потенціометричне у постійних електричних і .-5 магнітних полях Основні їх параметри наведені на фіг Як бачимо із фіг додаткове легування PbS талієм до 0,4ат% веде до зростання термоелектричних параметрів На основі легованих кристалів PbS можна створювати різного роду термоелементи і термогенератори, що ефективно функціонують у широкій області температур Ом' а, мВ/К 2 о & ТІ, ат.% фіг. ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна (044) 456 - 20 - 90