Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає сту 3 температурі 24 год. Під час синтезу температуру у зоні, де знаходиться вільний кінець ампули, підтримували на 40-50 К вищою за температуру, де знаходиться шихта для синтезу. Після проведення синтезу у тих самих ампулах методом хімічних транспортних реакцій вирощувалися монокристали Cu6AsS5I. Для цього змінювали температурний режим так, щоб температура у вільному кінці ампули (зона росту) була на 40-50 К нижчою за температуру в зоні синтезу. Оптимальними умовами вирощування виявились температура 893 - 923 К в зоні випаровування та 853 - 873 К в зоні кристалізації, час вирощування монокристалів складав 340 - 360 годин. При цих умовах методом газотранспортних реакцій одержано монокристали таблитчатого габітусу з напівметалевим блиском розмірами до 4 5 2 мм3. Одержаний продукт досліджували методами рентгенівського фазового та денситометричного (гідростатичне зважування) аналізів. Дифрактограма сполуки Cu6AsS5I (Фіг.) проіндексована в гранецентрованій кубічній комірці. Структурні па__ раметри: просторова група F 4 3m, = 9.903(2) Å, Z = 4. Густина, визначена методом гідростатичного зважування (толуен, 20 С) становить 5100±10 кг/м3, а розрахована за рентгенівськими даними 5107 кг/м3, що є близькими до приведених у літературі: = 9.8989(8) Å, (рентг.) = 5089кг/м3 [4]. Перевагою запропонованого способу перед способом-прототипом є те, що одержання хімічної сполуки купрум йодиду-пентатіоарсенату Комп’ютерна верстка Л. Литвиненко 54730 4 Cu6AsS5I [4] та вирощування монокристалів поєднуються в одному технологічному циклі. Планується використання монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I в лабораторіях УжНУ при виконанні фундаментальних досліджень нових твердоелектролітичних матеріалів та одержанні суперіонних матеріалів з високою катіонною провідністю при кімнатній температурі. Джерела інформації 1. Панько В.В., Студеняк И.П., Дьордяй B.C., Ковач Д.Ш., Борец А.Н., Ворошилов Ю.В. Влияние условий получения на свойства кристаллов Cu6PS5Hal // Неорг. материалы. -1988.- Т.24, №1. С.120-123. 2. Studenyak I.P, Kranjcec M., Mykailo O.A., Bilanchuk V.V., Panko V.V., Tovt V.V. Crystal growth, structural and optical parameters of Cu6PS5(Br1-xIx) superionic conductors // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2001. - Vol.3, №4. -P.879-884. 3. Пат. 70185 Україна, C01G23/00, C01G15/00, C01B17/20, C30B29/12. Спосіб одержання Талію (І)-Титану (IV) тетрасульфіду Tl4TiS4 /Сабов М.Ю., Севрюков Д.В., Переш Є.Ю.; заявник і патентовласник Ужгородський національний університет. заявл. 29.12.2003; опубл. 10.04.2007, Бюл. № 4. прототип. 4. Nilges Т., Pfitzner A. A structural differentiation of quaternary copper argyrodites: Structure- property relations of high temperature ion conductors. //Z. Kristallogr. - 2005. - V.220 - P.2810 - 294. 5. Брауэр Г. Руководство по неорганическому синтезу. В 6-ти томах /Пер. с нем. Н.А. Добрыниной, В.Н. Постнова, С.И.Троянова. Т.4. - М.: Мир. 1985.-392 с. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601