Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8
Номер патенту: 28492
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновієвич, Горгут Галина Петрівна
Формула / Реферат
Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах:
температура в зоні розплаву
1200-1250К
температура зоні відпалу
750-770К
градієнт температури в зоні
кристалізації
3-5К/мм
швидкість росту
0,2-0,4мм/год.
час відпалу
200-250год.
швидкість охолодження
5К/год.
Текст
Спосіб вирощування монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і ви 28492 температура в зоні розплаву 1200-1250 К, температура в зоні відпалу 750-770 К, градієнт температури в зоні кристалізації 3-5 К/мм, швидкість росту 0,2-0,4 мм/год., час відпалу 200-250 год., швидкості охолодження 5 К/год. Вся сукупність нових суттєвих ознак дозволяє отримати новий технічний результат, а саме: отримання якісних, великих розмірів (50-100 г.), промислово застосовуваних монокристалів. Можливість одержання промислово застосовуваних монокристалів AgGaGe3Se8 можна проілюструвати на наступних прикладах. Приклад 1 При вирощуванні монокристалів AgGaGe3Se8 у наступному технологічному режимі: температура в зоні розплаву – 1000 К, температура в зоні відпалу – 700 К, градієнт в зоні кристалізації – 2 К/мм, швидкість росту - 0,11 мм/год., час відпалу – 120 год., швидкість охолодження – 5 К/год. Отримуються переважно полікристалічні, візуально непрозорі кристали. Прилад 2 При вирощуванні монокристалів AgGaGe3Se8 у наступному технологічному режимі: температура в зоні розплаву – 1250 К, температура в зоні відпалу – 770 К, градієнт в зоні кристалізації – 5 К/мм, швидкість росту - 0,6 мм/год., час відпалу – 300 год., швидкість охолодження – 5 К/год. Отримуються переважно блочні, візуально прозорі кристали. Приклад З При вирощуванні монокристалів AgGaGe3Se8 у наступному технологічному режимі: температура в зоні розплаву – 1230 К, температура в зоні відпалу – 750 К, градієнт в зоні кристалізації – 4 К/мм, швидкість росту – 0,24 мм/год., час відпалу – 250 год., швидкість охолодження – 5 К/год. Отримуються візуально прозорі монокристали великих розмірів, що забезпечує їх промислове застосування. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 34 прим. Зам._______ __________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 __________________________________________________________ 2
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for aggage3se8 single crystals growing
Автори англійськоюOlekseiuk Ivan Dmytrovych, Horhut Halyna Petrivna, Pankevych Volodymyr Zinoviievych
Назва патенту російською?????? ??????????? ???????????ло? aggage3se8
Автори російськоюОлексеюк Иван Дмитриевич, Горгут Галина Петровна, Панкевич Владимир Зіновієвич
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/00
Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, aggage3se8
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-28492-sposib-viroshhuvannya-monokristaliv-aggage3se8.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8</a>
Спосіб вирощування монокристалів тl3рвсl5
Номер патенту: 23481
Опубліковано: 02.06.1998
Автори: Падалко Анатолій Михайлович, Федонюк Анатолій Ананійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Давидюк Георгій Євлампійович, Олексеюк Світлана Теодорівна
МПК: C03B 11/04
Мітки: монокристалів, тl3рвсl5, спосіб, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів ТІ3РbСІ5, включаючий компонування шихти з ТІСІ І РbСІ2 у відповідності iз стехіометричним складом, попередню очистку компонентів шихти, розплавлення останньої і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез І ріст проводять в одному І тому ж ростовому циліндричному тиглі з конусоподібним днищем, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристала ведуть при слідуючих...
Контейнер для вирощування монокристалів
Номер патенту: 24447
Опубліковано: 17.07.1998
Автори: Федонюк Анатолій Ананійович, Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович
МПК: C30B 11/00
Мітки: контейнер, вирощування, монокристалів
Формула / Реферат:
Контейнер для вирощування монокристалів, виконаний у формі циліндричної ампули з конусоподібним днищем та розташованою у вершині конуса днища грушеподібною камерою, яка з'єднана порожнинною шийкою з вершиною конуса днища, який відрізняється тим, що тигель додатково оснащений другою грушеподібною камерою, яка розташована під першою грушеподібною камерою і з'єднана з нею порожнинною шийкою, а кут при вершині конуса конусоподібного днища...
Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву
Номер патенту: 460
Опубліковано: 29.12.1999
Автори: Сідельнікова Наталія Степанівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Каніщев Василь Миколайович
МПК: F27B 9/00, G01N 21/71, F27B 1/00
Мітки: піч, монокристалів, розплаву, вирощування, одержання, шихти
Формула / Реферат:
Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву з днищем, кожухом і склепінням, які охолоджено зовні та футеровано, та розташованим усередині неї нагрівачем, яка відрізняється тим, що склепіння печі футеровано графітом, а нагрівач виконано за типом нагрівача опору.
Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту
Номер патенту: 26948
Опубліковано: 29.12.1999
Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович
МПК: C30B 15/02
Мітки: монокристалів, спосіб, порушенні, кремнію, одержання, монокристалічного, росту
Формула / Реферат:
Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.
Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту
Номер патенту: 3391
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Загвоздкін Борис Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович
Мітки: монокристалів, германату, вісмуту, вирощування, спосіб
Формула / Реферат:
(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...
Попередній патент: Силовий стабілізатор напруги
Наступний патент: Спосіб прищепи винограду на кущі
Випадковий патент: Індукційний датчик для металодетектора