Мінець Юрій Васильович

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кайла Маріанна Іванівна, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu6(pxas1-x)s5i, вирощування, йодиду, реакцій, розчинів, хімічних, твердих, монокристалів, спосіб, купрум, транспортних, пентатіофосфату-арсенату, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: cu7gese5i, твердоелектролітичного, матеріал, джерела, йодид-пентаселеногерманату, енергії, основі, міді, монокристалу

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Бучук Роман Юрійович, Сусліков Леонід Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, основі, застосування, матеріалу, твердоелектролітичного, нанокристалічного, суперіонної, кераміки, йодид-пентатіофосфату, енергії, джерела, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: розчину, монокристалу, джерела, cu7ge(s0,7se0,3)5i, енергії, застосування, твердого, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: аморфної, основі, матеріалу, застосування, енергії, джерела, плівки, твердоелектролітичного, сu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, міді

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кайла Маріанна Іванівна, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: транспортних, пентатіофосфату-арсенату, хімічних, спосіб, вирощування, купрум, pxas1-x)s5i, твердих, розчинів, монокристалів, реакцій, йодиду, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: аморфної, плівки, твердоелектролітичного, cu6ps5i, джерела, міді, застосування, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, основі, енергії

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Мінець Юрій Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, кераміки, основі, йодид-пентатіофосфату, нанокристалічного, застосування, матеріалу, твердоелектролітичного, суперіонної, cu6ps5i, міді, джерела

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 11/14 ...

Мітки: йодиду-пентатіоарсенату, транспортних, монокристалів, реакцій, хімічних, допомогою, cu6ass5i, спосіб, вирощування, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: йодиду-пентатіоарсенату, хімічних, транспортних, допомогою, монокристалів, cu6ass5i, реакцій, спосіб, купрум, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: міді, твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, матеріалу, застосування, енергії, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: енергії, cu7ges5i, застосування, матеріалу, міді, твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.