Пристрій для зменшення інтенсивності відбиття радіохвиль

Пристрій для зменшення інтенсивності відбиття радіохвиль, що включає камеру, на зовнішню поверхню якої нанесений шар з α-радіоактивної речовини, вкраплення якої мають різні розміри та розташовані хаотично, який відрізняється тим, що в пристрій додатково введений зовнішній шар з напівпровідникової речовини. (19) (21) 2004032097 (22) 22.03.2004 (24) 15.11.2004 (46) 15.11.2004, Бюл. №11, 2004р. (72) Карпенко Володимир Іванович, Сотніков Олександр Михайлович, Новіков Валерій Євгенович, Судаков Олександр Геннадійович (73) ХАРКІВСЬКИЙ ВІЙСЬКОВИЙ УНІВЕРСИТЕТ 3 3496 4 від щільності оточуючого газового середовища та 2 2 2pe PH ¶f обмеженнях на масогабаритні показники ефективde = dPE dPHPH , ò 2 p æ mw vk ö ¶P не зменшення відбиття ЕМХ від камери обмежеPç - Pe ÷ них розмірів. è k ø Поставлена задача вирішується за рахунок тоде Ρ - імпульс a-частки; го, що в пристрій, до якого входить шар з aPE, РН - нормальна та поздовжня складова імрадіоактивної речовини, вкраплення якої випадкопульсу; во розміщені на зовнішній поверхні камери, додатk - хвильове число; ково введений зовнішній шар з напівпровідникової w - часто та ЕМХ. плівки товщина якої дорівнює далекості вільного Ділянки з позитивною похідною ¶f / ¶P > 0 у перебігу a-часток в напівпровіднику, в якому внагратці твердого тіла напівпровідника у електрослідок інжекції a-часток збуджується неврівнованному газі, який має врівноважений термодинаміжений електронний стан, що викликає зміни елекчний стан, отримані за допомогою a-часток в імпутродинамічних параметрів речовини льсному просторі. Наявність джерел та стоків напівпровідника, при яких підвищується глибина дозволила отримати ступеневий розподіл енергій проникнення ЕМХ у напівпровідник та згасання електронів енергії електромагнітної хвилі в речовині. S f (P ) = fBPIBH (P )Q(P - P1) + AP Q(P - P2 )Q(P - P1 ) , Технічний результат, який може бути отриманий при здійсненні винаходу полягає в тому, що 1, x > 0, де Q(x ) = запропонований пристрій дозволить суттєво зме0, x d. (wP )НЕВРІВН 1 - aS (nS / n) Оскільки ступінь підвищення глибини проникнення ЕМХ dHEBPIBH в речовину напівпровідника залежить від відношення nS/n, то для отримання відносно великої величини nS/n, при помірній інтенсивності джерела А, використані напівпровідники у яких врівноважена щільність вільних електронів 1015...1018см -3 (для напівпровідників з домішками) та 1010...1013см -3 - для власних напівпровідників. Товщина шару покриття напівпровідника обрана такою, що a-частки повністю віддають свою енергію електронам речовини і не виходять за межі покриття. Чисельні оцінки показують, що використання джерел a-часток з інтенсивністю 5Кю/см 2 дозволило отримати величину відношення nS/n=3,5. Це дозволило підвищити величину dHEBPIBH в 2 та більше разів, що еквівалентне, при збереженні nS = 5 3496 6 товщини покриття, підвищенню в таку ж кільВИКУ им. А.Ф. Можайского, 1999. - С.163. кість разів інтенсивності поглинання ЕМХ шаром 2. Радиотехнические системы в ракетной технапівпровідника. нике. М.: Воениздат, 1974. - 224с. Джерела інформації 3. Шнейдерман Я.А. Радиопоглощающие по1. Физические основы диапазонных те хнолокрытия // Зарубежная радиоэлектроника. - 1975. гий типа „Стелс”. / С.А. Масалов, А.В. Рыжак, О.И. №2. - С.95-99. Сухаревский, В.М. Шкиль. - Санкт-Петербург: Комп’ютерна в ерстка Д. Шев ерун Підписне Тираж 37 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601