Спосіб стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба hericium erinaceus (bull.: fr.) pers

Спосіб стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба Hencium ermaceus, заснований на ефекті впливу лазерного випромінювання на дикарютичний міцелій, який відрізняється тим, що опромінення дикарютичного міцелію проводять в червоній області спектра при дозі 230 мДж/см2 (5-10крад) спостерігали деяке збільшення урожайності плодових тіл (Rygava et al Vhv ozarem myceha nf vynosi hhvy ustncne Pest Zamh 1975-13 N1 - s 85-86) Недоліком цього способу маємо вважати таке УФ-випромінювання є одним із видів електромагнітних випромінювань по довжині хвилі, що розташоване між видимим світлом і рентгенівськими променями Збудження атомів в макромолекулах при УФ-випромінюванні робить їх високореакційноздатними і викликає різноманітні фотохімічні реакції Найважливішою з них є димеризація пиримідшів Це супроводжується розірванням водневих зв'язків МІЖ ланками ДНК та локальною денатурацією дволанкової молекули ДНК, що призводить до зміни її конфігурації Іонізація атомів, що входять до складу макромолекули ДНК, під впливом у променів дає поштовх до проходження різноманітних радіаційно-хімічних реакцій, що ведуть до змін їх макромолекул Як наслідок цих процесів - виникнення небажаних мутацій, зникнення корисних ознак та поява небажаних (І А Захаров, С В Ковальцова, Т Н Кожина і ш Мутаційний процес у грибів Наука, 1980) ВІДОМІ способи стимулювання росту дріжджів і Е соїі шляхом впливу низькоштенсивного лазерного випромінювання у видимій ДІЛЯНЦІ спектру (He-Ne лазер 632 8 нм) Величина ефекту стимуляції залежить також і від інтенсивності світла даної довжини хвилі (Т І Кару Про молекулярний механізм терапевтичної дії випромінювання низькоштенсивного лазерного світла Докл Акад Наук 1986 Т 291, N5, crop 1245-49) 1 (О 00 со ю Відомий спосіб активації проростання базидюспор Hencium ermaceus і росту, отриманих з цих базидюспор моноспорових культур, який оснований на впливі на базидюспори лазерного випромінювання (He-Ne лазер) у червоній області спектру 2 в дозах від 45 до 230мДж/см В результаті проведених маніпуляцій збільшується КІЛЬКІСТЬ пророс5 лих спор у 10-10 разів у різних штамів, зменшується час їх проростання, збільшується швидкість росту моноспорових культур (Деклараційний Патент України А 01 G1/04 Спосіб активації проростання спор вищого базидіального гриба Hencium ermaceus 16 04 2001 р) Однак, до теперішнього часу не вивчена дія випромінювання низькоінтенсивного лазерного світла на ріст і розвиток базидіоміцетів, їх урожайність і продуктивність В основу винаходу способу стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального гриба Hencium ermaceus поставлена задача активації росту дикаріотичного (вегетативного) міцелію під дією лазерного випромінювання (He-Ne лазер) у червоній області спектру при дозі 230мДж/см2 У результаті цього збільшується швидкість росту міцелію, зменшується час обростання субстрату, значно раніше починається плодоношення, збільшується врожайність Це, без сумніву, має важливе практичне значення при культивуванні їстівних грибів Поставлена задача вирішується шляхом впливу лазерного випромінювання на дикарютичний міцелій гриба при дозі 230мДж/см2 Міцелій отримували двома способами У першому випадку посів гриба здійснювали, поміщуючи шматочок дикаріотичного міцелію у центр чашки Петрі із суслоагаром у якості поживного середовища Інкубували у темряві при температурі 26°С Опромінення ви 53867 щезазначеним способом проводили через дві доби після посіву Дослід та контроль (міцелій, що не підлягав лазерному впливу) повторювали десять разів (по 10 чашок ВІДПОВІДНО) Далі періодично вимірювали діаметр колоній, висоту міцелію і контролювали його густину По цим показникам визначали середньодобовий приріст і ростові коефіцієнти Ростовий коефіцієнт визначали по формулі hcl9 PK= (d - діаметр колонії і h - висота в mm, t - вік (доба) ( А С Бухало Высшие съедобные базидиомицеты в чистой культуре Киев Наукова Думка, 1988, 143с) У другому варіанті дікарютичний міцелій вирощували протягом 14 діб на стерильному зерні пшениці, яке пройшло термічну обробку (варили при 100°С 40хв) Отриманий міцелій поміщали в стерильні чашки Петрі тонким шаром і опромінювали вищевказаним способом Відразу після лазерної обробки міцелій використовували для засіву стерильних субстратних блоків (букове трачиння 80%, кукурудзяне борошно 20%, вологість 60%) До початку плодоношення інкубація блоків проводилась у повній темряві при температурі 26°С, потім на СВІТЛІ при 18°С Далі вивчали та порівнювали показники росту, розвитку і процесу плодоношення гриба на цих і контрольних блоках Отримані результати обробляли, використовуючи методи дисперсійного аналізу Суть винаходу пояснюється прикладами Приклади використання лазерного випромінювання для збільшення швидкості росту дикаріотичного міцелію Лазерним випромінюванням у червоній частині спектру при дозі 230мДж/см2 впливали, як описано вище, на дикарютичний міцелій, який виріс на сусло-агарі за дві доби Показники росту вимірювали через 3, 6, 9, 11 і 14 діб після посіву Вплив лазерного опромінювання на ріст дикаріотичного міцелію Hencium ermaceus (шт Не13) на сусло-агарі Вік КОЛОНІЇ (доба) 3 6 9 14 Середньодобовий приріст Діаметр колонії (мм) опромі Контроль нений 10 15 33 38 67 78 76 108 5,6 Висота колонії (мм) опромі Контроль нений 3 3 3 5 5 8 8 10 ЩІЛЬНІСТЬ КОЛОНІЇ (бали) опромі контроль нений 1 1 1 2 1 2 1 2 Табл 1 Коефіцієнт росту контроль 10,0 16,5 37,2 43,4 опромі нений 45,0 63,3 138,7 153,4 7,7 Представлені результати (табл 1) показують, що лазерне випромінювання здатне стимулювати процес росту міцелію Середньодобовий приріст міцелію збільшується на 38%, коефіцієнт росту майже в 3,5 рази Приклади застосування лазерного випромінювання для прискорення процесу обрастания субстрату Посівний міцелій на зерні отримували і опромінювали вищевказаними способами Посів проводили відразу після опромінення на стерильний субстрат, який поміщали в термостійкі поліпропіленові мішки по 2 кг КІЛЬКІСТЬ ПОСІВНОГО ма теріалу вносилась однакова (5%), як у ДОСЛІДІ, так і контролі Отримані результати (табл 2) дозволяють стверджувати, що опромінення лазерним світлом у вказаному режимі посівного міцелію дозволило зменшити час обростання субстрату в порівнянні з контролем на 10 діб 53867 Швидкість обростання субстрату (%) міцелієм Hencium ermaceus опроміненим низькоінтенсивним червоним лазерним світлом Доба 10 20 ЗО 40 Контроль 22 50 80 100 Приклади використання низькоінтенсивного лазерного випромінювання для стимулювання процесу плодоношення і збільшення врожайності Опроміненні 40 70 100 Отримання посівного міцелію, його опромінення, посів на субстратні блоки і інкубування проводили, як описано у попередніх прикладах Плодоношення й урожайність контрольного й опроміненого штамів Hencium ermaceus Середня Штам Контроль Опромінений КІЛ-СТЬ ПЛОДОВИХ ТІЛ на блок, штук 10 8 Середня маса плодового тіла, г ЗО 56 Примітка урожайність - маса свіжих плодових тіл на масу вологого субстрату Порівняння процесів плодоношення у ДОСЛІДІ і контролі (табл 3) дозволило встановити, що лазерне опромінювання посівного матеріалу у вказаному режимі дозволяє на 2 тижні скоротити період від посіву до початку плодоношення, середня КІЛЬКІСТЬ плодових тіл на блок знижується на 20%, але при цьому значно збільшується їх розмір і питома вага, і, як наслідок, урожайність збільшується на 45-48% Табл 2 Питома вага, г/см3 2,8 3,8 Период до початку плодоношення, доба 47 33 Табл З Урожайність г/кг 150 224 Представлені в прикладах показники застосування лазерного випромінювання для стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба Hencium ermaceus, показує, що лазерне опромінювання у червоному спектрі при дозі 230мДж/см2 дозволяє збільшити швидкість росту дикаріотичного міцелію на 38% (коефіцієнт росту в 3,5 рази), зменшити час культивування на 2 тижні, збільшити урожайність на 4548% ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)236-47-24