Атомний чип
Номер патенту: 56052
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Вишневський Віктор Георгійович, Бержанський Володимир Наумович, Недвига Олександр Степанович, Нестерук Олександр Григорович
Формула / Реферат
Атомний чип, що містить монокристалічну магнітну плівку з ефектом пам'яті, який відрізняється тим, що плівка містить N≥2 субшарів, виконаних з різною коерцитивною силою, причому Нс1>Нс2>...>НсN>Нb, де Нb - зовнішнє однорідне магнітне поле зміщення, температурою Кюрі, що різниться не менше ніж на 10 % від одного субшару до іншого, і перпендикулярною магнітною анізотропією.
Текст
Атомний чип, що містить монокристалічну магнітну плівку з ефектом пам'яті, який відрізняється тим, що плівка містить N≥2 субшарів, виконаних з різною коерцитивною силою, причому Нс1>Нс2>...>НсN>Нb, де Нb - зовнішнє однорідне магнітне поле зміщення, температурою Кюрі, що різниться не менше ніж на 10 % від одного субшару до іншого, і перпендикулярною магнітною анізотропією. (19) (21) u201006960 (22) 07.06.2010 (24) 27.12.2010 (46) 27.12.2010, Бюл.№ 24, 2010 р. (72) ВИШНЕВСЬКИЙ ВІКТОР ГЕОРГІЙОВИЧ, НЕДВІГА ОЛЕКСАНДР СТЕПАНОВИЧ, НЕСТЕРУК ОЛЕКСАНДР ГРИГОРОВИЧ, БЕРЖАНСЬКИЙ ВОЛОДИМИР НАУМОВИЧ (73) ТАВРІЙСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМ. В.І. ВЕРНАДСЬКОГО 3 цитивною (HсN~102÷103 Е) із прямокутною петлею гістерезису: HcN HsN, тобто коерцитивна сила не менше поля насичення (у кожному із субшарів). Субшари різняться величинами намагніченості насичення, а також значеннями температури Кюрі не менше ніж на 10%. Останнє забезпечує можливість пошарового (незалежного) термомагнітного запису або стирання довільних доменних конфігурацій. Значення коерцитивної сили субшарів повинні також різнитися і перевищувати величину зовнішнього поля зміщення Нb, чим гарантується стабільність конфігурацій. Субшари плівки характеризуються перпендикулярною магнітною анізотропією, що гарантує існування обмінного зв'язку між ними. У цьому випадку мікромагнітні потенціали, створювані над поверхнею ЕПФГ різними комбінаціями доменних конфігурацій у субшарах, будуть мати різну величину. Цілеспрямоване формування і зміна даних конфігурацій у присутності поля зміщення служить для втримання нейтральних атомів на різній, але заданій висоті над поверхнею чипа. Атомний чип виготовляють так: програмують зміну частоти обертання підкладки в розплаві, змінюють ростову температуру в ході рідиннофазної епітаксії (РФЕ). Стадії запису локальних доменних конфігурацій сфокусованим лазерним променем, разом з однорідним полем підмагнічування (зміщення), реверсним напрямку намагніченості N-гo субшару, передує підготовка ЕПФГ для приведення субшарів у вихідний просторово-однорідний стан намагніченості. Схеми 1a-1d показують можливі варіанти такої підготовки ЕПФГ. Так, варіант 1с здійснимо послідовним намагнічуванням ЕПФГ однорідним, але різним за знаком полем, що має спочатку амплітуду |+Н|>Нс1, а потім Нc2
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюAtomic chip
Автори англійськоюVyshnevskyi Viktor Heorhiiovych, Nedviha Oleksandr Stepanovych, Nesteruk Oleksandr Hryhorovych, Berzhanskyi Volodymyr Naumovych
Назва патенту російськоюАтомный чип
Автори російськоюВишневский Виктор Георгиевич, Недвига Александр Степанович, Нестерук Александр Григорьевич, Бержанский Владимир Наумович
МПК / Мітки
МПК: C30B 30/00
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-56052-atomnijj-chip.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Атомний чип</a>
Екобезпечний атомний реактор
Номер патенту: 27894
Опубліковано: 26.11.2007
Автор: Торовець Анатолій Григорович
МПК: G21C 1/00, G21C 7/08, H02K 33/00
Мітки: екобезпечний, атомній, реактор
Формула / Реферат:
Екобезпечний атомний реактор, зокрема для транспортних установок, що містить циліндричний корпус з електричними обмотками, сферичні кришку і дно, верхню і нижню рухомі паливні зборки, що охоплені циліндричними екранами, який відрізняється тим, що обидві паливні зборки виконані у вигляді набору концентричнo розташованих циліндрів, при цьому всі циліндри виконані у вигляді секторів, що чергуються, з пальним і сповільнювачем, причому зазначені...
Спосіб визначення кута виходу вектора намагніченості у магнетиках
Номер патенту: 67419
Опубліковано: 15.06.2004
Автори: Прокопов Анатолій Романович, Дубінко Сергій Володимирович, Карпенко Микола Іванович
МПК: G01R 33/04
Мітки: магнетиках, вектора, намагніченості, визначення, спосіб, виходу, кута
Формула / Реферат:
Спосіб визначення кута виходу вектора намагніченості в магнетиках, що включає пропущення через плівку випромінювання світла, обертання плівки і реєстрацію зміни світлового сигналу, який відрізняється тим, що на магнітну плівку направляють плоскополяризоване світло перпендикулярно площини зразка, перемагнічують її й обертають навколо нормалі до напрямку поширення світла, визначають кут виходу вектора намагніченості в плівці в момент зникнення...
Спосіб переміщення магнітних мікрооб’єктів
Номер патенту: 50249
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Кузь Олександр Павлович, Джежеря Юрій Іванович, Черепов Сергій Володимирович, Горобець Юрій Іванович, Мельничук Ігор Олександрович
МПК: B81C 99/00, B81B 7/00
Мітки: переміщення, спосіб, магнітних, мікрооб'єктів
Формула / Реферат:
Спосіб переміщення магнітних мікрооб'єктів за допомогою доменної стінки, утвореної у ферит-гранатовій плівці, який відрізняється тим, що переміщення магнітних мікрооб'єктів здійснюють доменною стінкою страйпа смугового домена, утвореною у ферит-гранатовій плівці з анізотропією типу легка вісь.
Спосіб травлення ферит-гранатових кристалів
Номер патенту: 12441
Опубліковано: 15.02.2006
Автори: Недвига Олександр Степанович, Шумілов Олексій Геніович, Прокопов Анатолій Романович, Дубінко Сергій Володимирович
МПК: C30B 29/28, C30B 33/00
Мітки: травлення, спосіб, ферит-гранатових, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб травлення ферит-гранатових кристалів, що включає травлення бракованого ферит-гранатового шару до повного його видалення, який відрізняється тим, що підкладку з гадоліній-галієвого граната піддають травленню у відпрацьованому розчині-розплаві в який додають окисли ВаО і В2О3, при цьому близько до 1 - при температурі 760-790°С і швидкості підбурення 0,4-0,6...
Спосіб термомагнітної обробки аморфної стрічки
Номер патенту: 78903
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Смоляков Олександр Васильович, Гіржон Василь Васильович
МПК: C21D 9/52, H01F 1/12, C21D 1/04, C22C 45/00
Мітки: аморфної, спосіб, стрічки, обробки, термомагнітної
Формула / Реферат:
Спосіб термомагнітної обробки аморфної стрічки, який включає нагрів аморфної стрічки в магнітному полі в заданому інтервалі температур, який нижче температури кристалізації стрічки, який відрізняється тим, що нагрівають аморфну стрічку лазерним випромінюванням в інтервалі температур між точкою Кюрі та температурою кристалізації.
Попередній патент: Ізолят бактерії lactobacillus acidophilus 24 для виготовлення пробіотичного препарату
Наступний патент: Сушарка для зернистих матеріалів
Випадковий патент: Секційний радіатор