C30B 33/00 — Подальша обробка монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою

Номер патенту: 107755

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Канашевич Георгій Вікторович, Голуб Микола Васильович, Дмитренко Петро Петрович, Мацепа Сергій Михайлович

МПК: C30B 33/00

Мітки: ювенільних, отримання, поверхонь, склі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ювенільних поверхонь на склі, який включає маскування поверхні скла жароміцним, струмопровідним матеріалом, попередній нагрів зразка у вакуумі, обробку стрічковим електронним променем та охолодження, який відрізняється тим, що поверхню з нанесеними на неї рисками глибиною до 50 мкм, якими утворюється прямокутна (квадратна) сітка, обробляють у багатозахідному режимі товщиною електронного потоку з різною потужністю і швидкістю...

Номер патенту: 102398

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Голуб Микола Васильович, Канашевич Георгій Вікторович

МПК: C03C 23/00, C30B 33/00

Мітки: спосіб, ювенільних, поверхонь, отримання, склі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ювенільних поверхонь на склі, який включає маскування поверхні скла жароміцним, струмопровідним матеріалом, попередній нагрів зразка у вакуумі, обробку стрічковим електронним променем та охолодження, який відрізняється тим, що на поверхні скла механічним способом наносяться риски прямокутної або трикутної форми (за перерізом) і глибиною, не меншою за 20 мкм, якими утворюють необхідний малюнок, і таку поверхню оброблюють...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Гринь Григорій Васильович, Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович

МПК: C30B 15/00, C01B 33/02, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнію, зливках, полікристалічного, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Номер патенту: 95003

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Гринь Григорій Васильович, Гаврилюк Олег Якович

МПК: C30B 33/00, C01B 33/037, C22B 9/22 ...

Мітки: оборотів, спосіб, кремнію, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає послідовне плавлення кремнію в локальних точках поверхні оборотів електронним променем у вакуумі, який відрізняється тим, що одержаний розплав додатково супроводжують електронним променем під час його руху по похилій поверхні піддона до стікання в тигель.

Номер патенту: 57697

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Волощук Анатолій Григорович, Воробець Георгій Іванович, Воробець Марія Михайлівна

МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C25D 11/00 ...

Мітки: поверхневої, поруватого, виготовлення, спосіб, пасивованого, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію, який включає механічне полірування, попередню хімічну обробку, електрохімічне анодування кремнієвих пластин р-типу провідності в електроліті HF(48 %):C2H5OH=1:1 за густини струму 4÷40 мА/см2 з часом анодування від 10 до 30 хв при кімнатній температурі та пасивування сформованого поруватого кремнію, який відрізняється тим, що відразу після завершення процесу...

Номер патенту: 91885

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 33/00, C30B 15/00

Мітки: переробки, відходів, кремнію, спосіб, виробництва

Формула / Реферат:

Спосіб переробки відходів виробництва кремнію, що включає плавлення відходів виробництва кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, витягування зливка із розплаву на затравку, який відрізняється тим, що процес здійснюють з відкритим екрануванням кварцового тигля з розплавом в атмосфері аргону під тиском не більше 200 Па та при величині його потоку не менше 1500 л/год., витримку розплаву здійснюють протягом 6-8 годин, витягування зливка...

Номер патенту: 49835

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Гореленко Юрій Кирилович, Ромака Любов Петрівна, Ромака Віталій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: структурою, термоелектричних, одержання, типу, спосіб, матеріалів, інтерметалічних, mgagas

Формула / Реферат:

Спосіб одержання інтерметалічних термоелектричних матеріалів зі структурою типу MgAgAs, за яким шихту вихідних компонентів сплавляють в електродуговій печі з вольфрамовим електродом на мідному водоохолоджуваному поді в атмосфері очищеного аргону з використанням губчатого титану як гетера з наступним охолодженням після термообробки, який відрізняється тим, що одержаний сплав розколюють на дві частини, розміщують у керамічному тиглі та...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: кремнію, пластин, кремнієвих, мультикристалічного, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Номер патенту: 44907

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/00

Мітки: пластина, елементів, кремнієва, сонячних

Формула / Реферат:

1. Кремнієва пластина для сонячних елементів, що має планарні та торцеву поверхні, яка відрізняється тим, що має товщину 160 мкм і нижче, а торцева поверхня за периметром утворена лазерним різанням.2. Кремнієва пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що отримана зі зливка монокристалічного кремнію псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі, що має припуск перед різанням на пластини.3. Кремнієва пластина за п. 1, яка...

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: пластин, спосіб, кремнієвих, монокристалічних, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Номер патенту: 87087

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Коротенко Антоніна Євгенівна, Гайдук Андрій Іванович, Андрєєв Євген Петрович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/08, C30B 33/00 ...

Мітки: видалення, профільованих, нальоту, кристалів, спосіб, поверхні, сапфіра

Формула / Реферат:

Спосіб видалення нальоту з поверхні профільованих кристалів сапфіра шляхом хімічного травлення, який відрізняється тим, що як травник використовують ортофосфорну кислоту з концентрацією 80-85 %, а травлення ведуть протягом 0,15-0,25 години при температурі 60-80 °С, після чого механічно видаляють наліт в процесі промивання у воді кімнатної температури.

Номер патенту: 86156

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00, C01F 7/00 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, сапфіра, підкладок, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра, який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричної заготовки, основа якої є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричної заготовки на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 38483

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Волосянко Валентин Дмитрович

МПК: C30B 33/00, C03B 29/00

Мітки: бруса, терморозколювання, зливка, монокристалічного, методом, розділення, пластини, лазерного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання, який відрізняється тим, що включає вирізання з монокристалічного зливка бруса довжиною, кратною товщині пластин, попередньо перед розділенням проведення термічних процесів, нагрівання та швидкого охолодження бруса монокристалічного зливка (режим нагрівання та охолодження підбираються в залежності від матеріалу та розміру бруса), застосування...

Номер патенту: 85176

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 33/00

Мітки: одержання, вуглецю, спосіб, монокристалів, вмістом, необхідним, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію з необхідним вмістом вуглецю, що включає визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці кристала, відрізання від його нижнього торця частини з підвищеним вмістом вуглецю, повторне визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці зливка, який відрізняється тим, що довжину частини монокристала з підвищеним вмістом вуглецю розраховують за формулою:

Номер патенту: 29747

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C01F 7/00, C30B 33/00

Мітки: підкладок, a-al2o3, виготовлення, монокристалів, сапфіра, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалів сапфіра (α-Аl2О3), який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричних заготовок, основа яких є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричних заготовок на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який...

Номер патенту: 81385

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: заготівок, сапфіра, монокристалів, титаном, активовані, лазерних, спосіб, елементів, термообробки, активних

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра, що активовані титаном, який включає послідовний відпал в насичених парах термічної дисоціації оксиду алюмінію, а потім в атмосфері аргону з вмістом метану у кількості 10 - 30% об. при температурі 1750 – 2030 °С і відновному потенціалі  -100...-170 кДж/моль, який відрізняється тим, що відпал монокристалів в насичених парах...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C01F 7/02, G03C 7/04, C30B 33/00 ...

Мітки: монокристалічного, спосіб, виготовлення, підкладок, корунду

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Номер патенту: 69602

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: спосіб, вікон, сапфірових, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб диференційної діагностики доброякісної гіперплазії простати та раку передміхурової залози шляхом дослідження гістологічної структури препарату, який відрізняється тим, що дослідження гістологічної структури препарату проводять за допомогою лазерної поляриметрії.

Номер патенту: 12441

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Недвига Олександр Степанович, Шумілов Олексій Геніович, Дубінко Сергій Володимирович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/28

Мітки: спосіб, травлення, кристалів, ферит-гранатових

Формула / Реферат:

Спосіб травлення ферит-гранатових кристалів, що включає травлення бракованого ферит-гранатового шару до повного його видалення, який відрізняється тим, що підкладку з гадоліній-галієвого граната піддають травленню у відпрацьованому розчині-розплаві в який додають окисли ВаО і В2О3, при цьому  близько до 1 - при температурі 760-790°С і швидкості підбурення 0,4-0,6...

Номер патенту: 3384

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Канашевич Георгій Вікторович

МПК: C03C 23/00, C30B 33/00

Мітки: спосіб, поверхонь, отримання, ювенільних, склі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ювенільних поверхонь на склі, який включає попередній нагрів зразка, навантаження електронним променем, що рухається вздовж поверхні зразка, який відрізняється тим, що поверхня скла маскується будь-яким жароміцним, струмопровідним матеріалом, наприклад Ni, Mo, і оброблюється параксіальним стрічковим електронним променем, після чого скло охолоджується протягом часу до 40 хвилин.

Номер патенту: 69602

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: сапфірових, отримання, вікон, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб диференційної діагностики доброякісної гіперплазії простати та раку передміхурової залози шляхом дослідження гістологічної структури препарату, який відрізняється тим, що дослідження гістологічної структури препарату проводять за допомогою лазерної поляриметрії.

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C01F 7/02, G03C 7/04, C30B 33/00 ...

Мітки: підкладок, спосіб, виготовлення, корунду, монокристалічного, a-al2o3

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Номер патенту: 65682

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Клочко Аркадій Вікторович, Тіманюк Володимир Олександрович, Кабанов Анатолій Єгорович

МПК: C30B 33/00, C30B 33/04, C30B 33/02 ...

Мітки: орієнтування, ультразвуковий, металевих, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Ультразвуковий спосіб орієнтування металевих монокристалів, що включає пропускання ультразвуку крізь охолоджений до температури рідкого гелію зразок у напрямку відкритої поверхні Фермі, уміщення зразка в магнітне поле 5-15 кВ, яке спрямоване перпендикулярно розповсюдженню ультразвуку, реєстрацію піків поглинання при зміщенні кута між напрямком розповсюдження ультразвуку і магнітним полем, який відрізняється тим, що вказаний кут змінюють в...

Номер патенту: 65338

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00

Мітки: легованих, хлором, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00

Мітки: монокристалів, провідності, отримання, cdte:cl, n-типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00

Мітки: частини, зливка, концентрацією, спосіб, домішки, виділення, монокристала, вуглецю, кремнію, заданою, вирощеного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Номер патенту: 32987

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 33/00, G01N 23/20

Мітки: орієнтування, спосіб, монокристалу

Текст:

...згідно винаходу, на монокристалі виконують принаймні дві пари паралельних зрізів , визначають взаємне розміщення виконаних зрізів , розділяють монокристал на дві частини, кожна з яких містить принаймні два непаралель-них зрізи, після чого визначають просторове положення по відношенню -до кристалографічних напрямків монокристалу зрізів однієї , переваж 2. но, меншої частини монокристалу 1 по ньому судять про орієнтацію зрізів на другій...

Номер патенту: 30725

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Кузнецов Валентин Анатолійович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Криворучко Володимир Григорович, Горілецький Валентин Іванович

МПК: B24D 5/00, C30B 33/00

Мітки: обробки, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для обробки монокристалів, що вміщує кристалотримач, рухому стійку з обертовими роликами, на які натягнена ріжуча нитка, резервуар з робочим розчином, приводи обертання та подачи нитки, блок керування, одним з виходів з'єднаний з приводом подачи нитки, та датчик натягу нитки, з'єднаний з входом блока керування, який відрізняється тим, що верхній ролик, який знаходиться на протилежному боці від кристалотримача, встановлен на рухливій...

Номер патенту: 28139

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович, Добровинська Олена Рувимівна

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: спосіб, виробів, корунду, термообробки, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда, включающий нагрев изделий в герметической камере в вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что изделия нагревают до температуры 1650 - 1700° С со скоростью 1800 - 2000 град/ч, после чего перемешивают их со скоростью 0,5 - 1,0 см/ч через тепловую зону, имеющую градиент снижения температуры 200 - 300 град/см.

Номер патенту: 29131

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Півень Леонід Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Манько Владіслав Івановіч, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: характеристик, відновлення, робочих, вольфрамату, свинцю, сцинтиляторів, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю, що включає опромінювання їх видимим світлом, який відрізняється тим, що опромінювання проводять на довжині хвилі 530-580 нм з енергетичною освітленістю 0,15-0,2 мВт/см2 на протязі 25-30 хвилин.

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кремнію, злитків, монокристала, вирощених, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: зони, спосіб, монокристала, бездефектної, кремнію, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Носачов Борис Григорович, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: спосіб, одержання, кристалів, активованій, сировини, термообробки, телуром, селеніду, цинку

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 24066

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Трохименко Володимир Васильович, Бугай Олена Абрамівна, Давиденко Микола Іванович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/12, C30B 33/02 ...

Мітки: одержання, деталей, оптичних, лужно-галоїдних, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения оптических деталей из щелочно-галоидных кристаллов, включающий резку цилиндрического кристалла на заготовки, их нагрев и выдержку при температуре 460~600°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что резку осуществляют аксиально боковой поверхности кристалла до толщины заготовок h и длины не более 3,14 R, где R - радиус заготовки, нагрев ведут со скоростью 30-50°С/ч, выдержку осуществляют в...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: прозорих, оптично, спосіб, селеніду, цинку, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 18037

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Коневський Віктор Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристалів, корунду, спосіб, фарбування

Формула / Реферат:

Способ окрашивания монокристаллов корунда, включающий очистку поверхности и термообработку в окислительной среде в красящем порошке, отличающийся тем, что используют порошок оксида кобальта с фракционным составом 1-5 мкм, который предварительно активируют в течение 30-60 минут, а термообработку проводят при 1000-1300°С.

Номер патенту: 14588

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Солонін Сергій Михайлович, Бродовий Олександр Володимирович, Колесніченко Валерій Григорович, Скороход Валерій Володимирович

МПК: C30B 33/00, H01F 27/24

Мітки: діамагнітних, властивостей, спосіб, пара, парамагнітних, монокристалів, підвищення, металевих

Формула / Реферат:

1. Способ повышения парамагнитных свойств пара- и диамагнитных металлических мо­нокристаллов, включающий интенсивную пласти­ческую деформацию, отличающийся тем, что деформации предшествует активирующая меха­ническая обработка поверхности металла. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качест­ве механической обработки поверхности, которая предшествует пластической деформации, исполь­зуют шлифовку абразивными порошками с разме­ром зерна в...

Номер патенту: 10513

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Сало Віталій Іванович, Соловйов Віктор Давидович, Колибаєва Марія Іванівна

МПК: C30B 33/00, C30B 29/14

Мітки: дигідрофосфату, монокристалів, калію, спосіб, радіаційно-пошкоджених, термообробки

Формула / Реферат:

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дигидрофосфата ка­лия путем разогрева, изотермической выдержки и охлаждения со ступенчатым снижением скорости нагрева при температуре, приближающейся к тем­пературе фазового перехода в кристалле, отлича­ющийся тем, что перед нагревом монокристалл плотно обматывают по всем поверхностям не менее чем тремя слоями металлической фольги со сте­пенью черноты 0,06-0,09, разделенными между...

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристалів, сцинтиляторів, спосіб, виготовлення, вольфрамату, кадмію

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вирощування, вольфрамату, монокристалів, кадмію, сцинтиляційних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...