Інтегральний фотоприймальний пристрій
Номер патенту: 68540
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Білявська Олена Станіславівна, Костенко Віталій Леонідович, Проскурін Микола Петрович
Формула / Реферат
Інтегральний фотоприймальний пристрій, що містить фотодіод і високочастотний n-p-n (p-n-p) транзистор, які сформовані поряд в товщині однієї підкладки, фотодіод підключений паралельно переходу база-колектор транзистора і протікання струмів в фотодіоді, транзисторі, сформованих в підкладці, є горизонтальним, анод (катод) фотодіода є оптичним вікном фотоприймального пристрою і металізованим контактом електрично з'єднаний з базою транзистора, катод (анод) фотодіода підключається до позитивного (негативного) полюса напруги живлення, транзистор підключений по схемі з спільним емітером, емітер n-p-n (p-n-p) транзистора електрично підключений до негативного (позитивного) полюса, колектор n-p-n (p-n-p) транзистора підключений через резистор до позитивного (негативного) полюса напруги живлення, підключення анода, катода фотодіода і емітера, бази, колектора транзистора здійснено металізацією по поверхні підкладки, що вкрита окислом, який відрізняється тим, що фотодіод, який містить високолеговану p+-ділянку, розміщений в високочастотному n-p-n (p-n-p) транзисторі і має фотоприймальне вікно, що оптично з’єднане з його p+-ділянкою, весь інтегральний фотоприймальний пристрій має розміри одного високочастотного транзистора, фотострум надходить від розташованого p-і-n фотодіода в базу транзистора без з'єднувальної металізації і для підвищення швидкодії фотоприймального пристрою зменшені вдвічі: площина, кількість, довжина електричних зв'язків і відповідні значення ємностей, індуктивностей, опорів, при цьому зміна параметрів легування p+-ділянки фотодіода дозволяє виконувати фотоприймальний пристрій для різних діапазонів інфрачервоного спектра випромінювання без зміни конструкції швидкодіючого транзистора.
Текст
Винахід відноситься до області оптоелектроніки і може бути використаний для створення високочастотного фотоприймача у видимому, інфрачервоному діапазоні довжини хвиль на базі мікроелектронних технологій і використаний для обробки оптичних цифрових сигналів в волоконно-оптичних системах зв'язку (ВОСЗ) і оптоелектронних логічних елементах (ОЛЕ). Відомі фотоприймачі на основі фотодіодів з планарною p-i-n структурою, в яких протікання струму є вертикальне, пристрій включен у фотодіодному режимі (на перехід анод-катод фотодіоду подана зворотна напруга). Зовнішнє випромінювання попадає в анод, що літований за законом Гаусса і знаходиться на поверхні пристрою, у якому відбувається генерація фотоструму і частково проходить до катода. Викликаний генерацією фотострум протікає від анода, через перехід анод/катод - до катода [1 - стр. 167]. Переваги: висока чутливість, швидкодія (час перемикання tпер
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюIntegrated photodetector
Автори англійськоюKostenko Vitalii Leonidovych, Proskurin Mykola Petrovych
Назва патенту російськоюИнтегральное фотоприемное устройство
Автори російськоюКостенко Виталий Леонидович, Проскурин Николай Петрович
МПК / Мітки
МПК: G02B 6/12
Мітки: фотоприймальний, інтегральній, пристрій
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-68540-integralnijj-fotoprijjmalnijj-pristrijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Інтегральний фотоприймальний пристрій</a>
Фотоприймальний пристрій
Номер патенту: 36423
Опубліковано: 16.04.2001
Автор: Шевчук Олег Борисович
МПК: G01T 1/24, H01L 31/00, G01J 5/20
Мітки: пристрій, фотоприймальний
Текст:
...фотопотоку Ф дорівнює нулю. При наявності фотопотоку Ф, що вимірюється, фотоприймач 6 освітлено додатково. Тому його опір менше, ніж фотоприймача 5. Через це струм Із збільшується, а її на стільки ж зменшується, бо І1+І 2=const. Тоді вихідна напруга приймача 8 зростає, а приймача 9 - падає. Так виникає показання приладу 10, яке пропорційне фотопотоку, що вимірюється. Оскільки обидва фотоприймача засвітлені, то темнові струми не вносять...
Оптоелектронний мікропотужний інтегральний логічний пристрій або-ні адаптивного типу з розширеними функціональними можливостями – procos
Номер патенту: 45670
Опубліковано: 15.04.2002
Автори: Костенко Віталій Леонідович, Проскурін Микола Петрович
МПК: G02F 3/00
Мітки: оптоелектронний, розширеними, функціональними, можливостями, адаптивного, інтегральній, типу, або-ні, логічний, procos, пристрій, мікропотужний
Формула / Реферат:
Оптоелектронний мікропотужний інтегральний логічний пристрій АБО-НІ адаптивного типу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять: N вхідних світловодів-N логічних входів, які оптично з'єднані з N швидкодіючими n-р-n /р-n-р/ фототранзисторами, перший узгоджувальний резистор з першим незмінним виводом, другим і третім змінними виводами, джерела живлення, запірної напруги, два вихідних світловоди, які оптично з'єднані з...
Фотоприймальний пристрій
Номер патенту: 34983
Опубліковано: 15.03.2001
Автори: Смуглій Віталій Ігорович, Бородін Борис Григорович
МПК: H01L 31/08, H01L 31/12, H01L 27/14, H03F 17/00, H04N 5/33
Мітки: фотоприймальний, пристрій
Формула / Реферат:
Фотоприймальний пристрій, до складу якого входить генератор сигналів високої частоти, який є джерелом живлення фоточутливого перетворювача з комірками, що виконуються у вигляді інтегральних структур типу фотоконденсатор - резистор, виходи якого зв'язані з входами комутатора, вихід якого зв'язаний з входом підсилювача, який відрізняється тим, що додатково введений вимірювач фазового зсуву, входи якого зв'язані з виходами генератора та...
Елемент індикації з пам’яттю
Номер патенту: 36243
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Вербицький Ігор Анатолійович, Лисенко Геннадій Леонідович, Кожем'яко Володимир Прокопович
МПК: G09G 3/04
Мітки: пам'яттю, елемент, індикації
Текст:
...відповідно анодом до бази та катодом до колектора транзистора 3, причому другий фотодіод 4 та третій фотодіод 5 анодом та катодом відповідно під'єднані до бази транзистора, перший резистор 6 першим виводом підключений до анода першого світлодіода 2, другий резистор 7 першим виводом підключений до анодів другого світлодіода 8 та колектора транзистора 3, а катод другого світлодіода 8 сумісно з емітером транзистора 3 під'єднаний до шини...
Фотоприймальний пристрій
Номер патенту: 304
Опубліковано: 30.04.1993
Автор: Лозинський Георгій Якович
МПК: G01J 1/04
Мітки: пристрій, фотоприймальний
Формула / Реферат:
Фотоприемное устройство, содержащее фотоэлемент, заключенный в корпус, фронтальная часть которого выполнена прозрачной, и световод, выходной торец которого оптически связан с фотоэлементом, отличающееся тем, что боковая поверхность корпуса выполнена прозрачной, а выходной торец световода оптически связан с фотоэлементом через нее.
Попередній патент: Оптоелектронний перетворювач тиску (варіанти)
Наступний патент: Прокат сталевий для анкерних штанг
Випадковий патент: Спосіб підготовки води