Напівпровідниковий резонатор нвч з електронним керуванням

Реферат: UA 91148 U UA 91148 U 5 10 15 20 25 30 35 Корисна модель належить до електронної техніки і може бути використана для проектування селективних пристроїв НВЧ діапазону. Відомі пристрої подібного призначення, принцип дії яких ґрунтується на резонансних явищах у діелектричних зразках певних розмірів [Ильченко М.Е. Диэлектрические резонаторы / Ильченко M.E., Взятышев В.Ф., Гассанов Л.Г. и др.; Под ред. М.Е. Ильченко. - М.: Радио и связь, 1989. - 328 с. - Стр. 12-24]. Проте, такі діелектричні резонатори є пасивними за своєю природою і не дають можливості змінювати резонансні частоти. Як найближчий аналог прийнято перестроюваний діелектричний резонатор, який містить резонансний елемент і керувальний елемент (електромеханічний актюатор) [Авт. свід. № 1517684 від 22.06.1989. Молчанов В.И., Мархелюк A.M., Пятчанин С.В., Мирских Г.А. /Перестраиваемый диэлектрический резонатор]. До недоліків найближчого аналога належать великі габаритні розміри, низька швидкість перестроювання резонансної частоти, а також необхідність у використанні високих керувальних напруг. В основу корисної моделі поставлено задачу реалізації електронного керування резонансною частотою НВЧ пристрою за рахунок того, що як керувальний елемент використана напівпровідникова p-i-n-структура, яка одночасно є і резонансним елементом. Електрофізичні властивості р-і-n-структури залежать від прямого струму, що пропускається крізь неї. Це дозволяє вирішити проблему зменшення габаритних розмірів, зменшення керувальних напруг і підвищення швидкості перестроювання резонансної частоти за рахунок відсутності інерційних рухомих деталей. За своєю внутрішньою будовою та характером взаємодії з електромагнітним полем p-i-nструктури є типовими представниками резонансних систем з Е-типом коливань [Молчанов B.I. Напівпровідникові комбіновані структури з діелектричним резонансом E-типу. /В.І. Молчанов, В.М. Пашков, Д.Д. Татарчук //Электроника и связь. - 2000. - № 9. - С. 55-58.]. Наявність в ній iшару з високим питомим опором дозволяє за певних умов отримати високодобротний електромагнітний резонанс в області НВЧ. Резонансні частоти р-і-n-структур суттєво залежать від величини прямого струму, що дозволяє реалізувати електронне перестроювання частоти. При цьому спостерігається деяке зниження добротності, але за зміни частоти не більше ніж на 1,5 %, значення добротності знаходиться у допустимих для практичного використання межах. Також значною перевагою таких структур є те, що вони можуть бути виготовлені на основі добре відпрацьованої напівпровідникової технології, що дозволяє інтегрувати їх до складу напівпровідникових НВЧ мікросхем. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ Резонатор НВЧ з електронним керуванням, який містить резонансний елемент і керувальний елемент, який відрізняється тим, що як керувальний елемент використана напівпровідникова p-i-n-структура, яка одночасно є і резонансним елементом. 40 Комп’ютерна верстка Л. Литвиненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1