Інтегральний диференційний тензотиристор

Інтегральний диференційний тензотиристор, що містить виконану як одне ціле з основою кремнієву квадратну мембрану, орієнтовану в площині (100), та розміщений на її планерній поверхні го ризонтальний двостоковий польовий тензотранзистор з р-п переходом як затвором, причому область каналу якого розміщена в частині мембрани, що деформується одновісно в кристалографічному напрямку [110], а стоки суміщені з затворами вертикальних транзисторів зі статичною індукцією, який відрізняється тим, що шар п+ непланарної сторони кристала замінений або доповнений шаром р, таким чином перетворюючи вертикальні транзистори зі статичною індукцією у тиристори зі статичною індукцією: симетричні або асиметричні. Корисна модель відноситься до електромеханічних перетворювачів, що під дією таких фізичних величин, як тиск, сила, прискорення формують електричні сигнали відповідної величини і може бути використана у пристроях автоматизації' для регулювання та комутації струмів електричних кіл. Відомий інтегральний перетворювач тиску [1], що містить виконану як одне ціле з основою кремнієву квадратну мембрану однорідної товщини, орієнтовану в площині (100), та розміщені на її пленарній поверхні горизонтальний двостоковий польовий тензотранзистор з р-п переходом як затвором, причому область каналу розміщена в частиш мембрани, що деформується одновісно в кристалографічному напрямку [110] та вертикальний транзистор з електростатичним управлінням і приповерхневим затвором, металургійне інтегрованим з одним зі стоків тензотранзистора. Такий перетворювач розвинений в інтегральний диференційний тензосенсор [2]; він вибраний за прототип. Перелічені моделі в основі мають аналоговий режим роботи з ВІДПОВІДНИМИ енергетичними характеристиками. Задача корисної моделі - створення тензоелектронного регулятора (комутатора) струмів електричних кіл з підвищеною завадостійкістю. Поставлена задача досягається тим, що сильнолегований шар 10п+ непланарної сторони кристала перелічених аналогів замінюється або доповнюється шаром 11 р, легованим бором, Фіг.1 або Фіг.2, що перетворює вертикальну транзисторну структуру у тиристорну: симетричну або асиметричну; приповерхневі затвори 2,3 вертикальних транзисторів стають управляючими електродами тиристорів. Решта електродів та шарів: 1 - витік, 4 - затвор, 7 - канал, а 2,3 -стоки горизонтального тензотранзистора, 5,6 - катоди, 9 - основна база, 10 - буферний шар бази, 11 - анод диференційного тиристора. Умовне позначення тензотиристора Фіг.З. Принцип дії тензочутливої частини пропонованої структури описаний в [1,2], а вихідної тиристорної-для першого варіанту (Фіг.1)-в [3], другого (Фіг.2) - в [4]. Слід відмітити, що у диференційній тензотиристорній структурі має місце внутрішній зв'язок між тиристорами: при відхиленні струму, завдяки дії спричиненої тиском (силою, прискоренням) поперечної" тензоелектрорушійної сили, в сторону одного з тиристорів, напруга вмикання його зменшується, в той час як напруга вмикання другого збільшується. Тому при застосуванні диференційного тензотиристора як комутатора струму з одного електричного кола в інше маємо підвищену завадостійкість. Джерела інформації: 1. Патент №4842 (UA), МПК G 01L 9/04. Бюл. №2, 2005. 2. Патент №4430 (UA), МПК G 01L 9/04. Бюл. №1, 2005. 3. Nishizava J., Nakamura K., Chracteristics of new thyristors // Jap. J. Appl. Phys. 1976. Voll 6. Suppl. 16-1. p. 541-544. 4. Baliga B. J. The asymmetetncal field controlled thyristor // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. Voll ED-27. P. 1262-1268. CD O» Фіг. 2 Фіг. З Комп'ютерна верстка М Мацело Підписне Тираж 26 прим Міністерство освгти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул Урицького, 45, м Київ, МСП, 03680, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул. Глазунова, 1, м Київ-42, 01601