Спосіб нанесення струмопровідного шара на керамічну підкладку

Tile подлезет опубликованию в открытой печати Союз Ссігтсхмх (») 716274 Республик к (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено"'* 0 ?21)2650243/29-33 (51) м. Кл. С 04 В с присоетинением заявки JV« :т-а:нч'* квуттгт Г-м-лгт":! СССР -га дег&и «с5ргтгш м открытий (23) Приоритет 2) Авторы 41/14 — — (43) Опубликовано — Бюллетень № * (45) Дата опубликования описания О. — (53) УДК 6 6 6 , 3 . 056. 5 (US8.8) А.Н.^дааоз и Т.К.Кудлатая тобретепия (/I) Заявитель (54) СПОСОБ НАНЕС-ЙІІІЯ ТОКОПРОВОДЯЕЕГО СЛОЯ НА KEPALTJЧЕСКУЮ П0ЛЛ(ЬКУ О йзобретеїзіїз огноскгся к гехнологля изготовления СЗЧ ^енгоз и ыоззт быть асполььозано в других областях техники для предизиокноЛ ::етэ1лизэцип диэлектрических иатері-іалов. Известен способ ь:етаілизаАл:! керамики пороскаии гугоплавк^-х металлов, -окислами металлов, активными металлами и гидридами последних / i j . К предлагаемо?.!? способу наиболее близок способ нанесения токопроьодя^зго слоя на керамическую подлонку,включащий вакуумное напулеяке на поддоаку сначала слоя титана,а затеи слоя иеди и послзд^::^5Є йврэаизеаяе гальваниче^кии способом Т38°С в те 2. изготовление по такому способу голстопленочных СзЧ злеі:знгоз ЕЭ кесзтчеснгн подлсзкзх conpH?.eHOv со слонносгьз обеспечения таких т р е п а н и й к СВЧ элементам, как хорошая адгезля БО зре^я многократных термических воздействий при зоне згг;^оде2ств;ія керамики с металлической яленкоП не более 0,1 ілс, а тэкне ыа.тое удельное О о сопрогизлейле - порядка 0,02 c M Ou.t:u / * Целью изобретения является обеспечение стабильного удельного сопротивления токопрозодядего слоя. Цель достигается таіі,ч?о 5 способе кзнесения токопровослоя на керэукчесн^э подложку для получения иикрогл, ВКЛКЯБЮЦЙП ІЇССЛЗДОВЗТНЛЬНОЄ вакуумное напыление слоев титзна и меди и териообрсботку, на слой иеди дополнительно захуухньш напыление» наносят слои :;олибі.ена и UQ~ ди, а термообработку проводят з вакууме при 850-S00°C. о Причеії слоа напыляют н под.Юїху до следуш^іх толщин: & о Титан 800-800А Медь ІО00-2С0О А о Молибден 800-1500 А 2,5-3,0 U Напыленный слой аоллбдека в качестве барьерного слоя предотвращает ди££узил гптана и ЗГЇШ не увеличивает сопротивление ЗЬЇЕЄЛЄЕЗ'ДЄГО токопрозодя^егс молибдена слоя меди,После наоыля-эт токопроводясий слой меди необхо димой голцины и проводят вЕигание металлической пленки. Затем осу^есгзля-зт фотолигогрз^ла. ^ На рабочую сторону кера^кческоЛ подлокяи из 22ХС и поликора, поллрозааную до К класса чистоты, в взкууке * . а термообработку проводят Б вакууне при 850-^00°С. 2. Способ по п . 1 , отличавшийся подложку до сяедуяцих толщин: Титан ьедь тем,что слои напыляют ж • 600-800 А ЮОО-2000 А Ио;;::б о 800-1500 А * 2,5-3,0 мк. ,. Медь Источники информации» принятые во внимание при экспертизе І . Автоілкое свидетельство СССР И 275828, к л . С 04 Б 41/14, К б 7 . 2 в Патенг С А й 3576722, кл. 204-15, Ш тотип)» ' . . опублкк.1&71-(про• . Редактор Подіглсаио к печати Заказ ^ £-/(р/ Тирад Производственно-полагрзфлческое иредпрііятие "Патент", Берекковская Had, 3. последозстильно наносит металлические пленки титана,цеди, о молибдена я ііеди, толщиной соответственно 600; 2000; 1000 А и 2,5-3,0 ик. .Термообработку подложек проводят в вакууме при 850°С. Иссле этого осуцестзляюг фотолктографяэ пленки но рабочей стороне керамической подложки. Качество адгезии контролируют наиболее широко распро0 • сгракеаным з э*ектровзкуу>:аои производстве методом "проба на отрыв".После многократных нагревов до 950°С адгезия w остается хороыеи. Для определения стабильности фазового состава проводят отжиг подлонек при 600°С в течение 50 ч. Рентгенографически::;! ^;етода::и не выявлены из&еиения разового состава металлических пленок.Сдельное сопротивление проводящей пленки сосгадЛг.ет 0,02 Ou.smvu и не изменяется после проведения многократных термических воздействий. Предлагаемый способ изготовления за^едлк^их систем и других СЬЧ элементов на керамических лодлокках поззоляет создать групповые технологические процессы изготовления СБЧ приборов. Ф0РША ИЗОБРЕТЕНИЯ I. Способ нанесения токопроводяцего слоя на кера::ическуэ 'подложку для получения микросхем,Бключаїалий лоследовате-.ь._ ное вакуумное напыление СЇЇОЄВ титана и меди и термообработку отличаю.ийся те/.;,чго, с целью обеспечения стабильного удельного сопротивления токонроводящего слои,на слой меди дополнигельно вэкууыныи напылением наносят сгои молиЭдена и кеди,