Спосіб плазмохімічної обробки підкладок

Изобретение можно использовать в электронной технике для плазмохимическо го травления и осаждения материалов микроэлектроники очистки поверхности подложек перед вакуумной металлизацией а также при изготовлении изделий микромеханики Цель изобретения - увеличение скорости и повышение качества плазмохимическои обработки Цель достигается тем, что химически активные радика лы направляют в радиальном направлении непосредственно в область приэлектродного слоя обьемного заряда у электрода-подложкодержателч, в которой ускоряют поток заряженных частиц через горницу раздела на которую воздействуют магнитным полем С индукцией компоненты перпендикуляр ной плоскости обрабатываемого изделия превышающей 0 01 Тл 1 з п ф лы 1 ил Изобретение относится к области обработки подложек в вакууме и может быть использовано в электронной технике для плззмохимического травления vi осаждения материалов микроэлектроники очистка поверхности подложек перед вакуумной металлизацией а также при изготовлении изделий микромеханики Цепью изобретений является увеличение скорости и повышение качества плазмохимической обработки Цель достигается тем, что химически активные радикалы направляют в радиальном направлении непосредственно в область приэлектр^дного слоя объемного заряда у электрода-подложкодержателя в которой /скоряют поток еаряженных частиц через границу раздела на которую воздействую^ магнитным попем с индукцией компоненты, перпендикулярной плоскости обрабатывав мой подложки, превышающей 0 01 Тл При этом способе происходит снижение радиационных нарушении обрабатываемых структур Сущность изобретения заключается в следующем В отличие от известного решения в данном способе химически активные радикалы направляют в радиальном направлении не посредственно в область приэлектродного слоя объемного заряда у электрода-подложкодержателя где отсутствует из-за высоком скорости движения электронов их взаимо действие с радикалами и изменение состава последних Воздействие из границу раздела областей генерации химически активных радикалов и потоков заряженных частей магнитным полем с индукцией компоненты перпендикулярной плоскости обрабатывав мои подложки превышающей О С1 Гл препятствует взаимному проникновению заряженной компоненты плазмы и? оцнеж 12-92 1723839 области в другую. В результате состав химически активных радикалов, создаваемых в областях их генерации, не зависит от изменения параметров плазмы в области генерации потока заряженных частиц. Величина 5 индукции компоненты магнитного поля снизу ограничена условием замагниченности электронову9л /з < 0,1, где рп -ларморовский радиус электронов; а - характерный поперечный размер границы раздела обла- 10 стей генерации радикалов и заряженных частиц, который в практически используемых устройствах составляет ~ 1 см. Отсюда следует, что для типичных значений электронной температуры 3-10 эВ условие 15 замагниченности р л /а,