Спосіб плазмохімічної обробки

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии плазмохимиче* ской обработки. Цель - повышение качества обработки и выхода годных зз счет снижения загрязнения обрабатываемых изделий. Обработка ведется путем одновременного воздействия химически активных нейтральных частиц (радикалов) и заряженных частиц. Эти частицы генерируются в различных зонах. Зона генерации заряженных частиц расположена вблизи обрабатываемых изделий, а зона генерации радикалов на большем расстоянии. Для достижения цели эти зоны разделены магнитным полем, имеющим составляющую, параллельную плоскости изделий. Величина составляющей превышает0,05Тл. Поле препятствуем попаданию на изделие заряженных частиц из зоны генерации радикалов. Чистота процесса повышается в 1,5-2 раза.2 ил. Изобретение может быть использовано в электронной технике для плазмохимического травления и осаждения материалов, очистки поверхности подложек перед вакуумной металлизацией, а также при изготовлении изделий микромехзники. Целью изобретения является повышение качества плазмохимической обработки 'и повышение выхода годных изделий. Разделение зон генерации химически активных нейтральных частиц и заряженных частиц осуществляется магнитным полем, которое свободно проникает в занятое плазмой пространство, и поэтому может быть создано постоянными или электромагнитами, расположенными вне плазмы. В результате устраняется контактирующий с плазмой элемент (например, сетка), являющийся источником загрязнения обрабатываемого изделия. Поскольку при плазмохимической обработке химически активные радикалы имеюг большое время жизни (до секунд), то при реализации предлагаемого способа зона их генерации располагается на удалении от обрабатываемого изделия. И, наоборот, ДЛИ обеспечения высокой производительности обработки и ее анизотропии, которые связаны с плотностью потока частиц, поступающих на изделие, и их направленностью, зону генерации этих потоков располагают вблизи изделия. В этом случае расходимость потоков сводится к минимуму, что обеспечивает их высокую направленность и интенсивность. На фиг. 1 представлен пример реализации способа, в котором разделяющее магнитное поле, создаваемое системой магнитов 1 из катушек индуктивности, используется также для интенсификации про 10-41 Р. со С о со VI ел 1637596 цесса генерации химически активных нейтральных радикалов в зоне 2; на фиг. 2 - то же, но разделяющее магнитное поле создается системой электро- или постоянных магнитов 1, а способ генерации химических активных радикалов в зоне 2 не конкретизируется. В обоих примерах генерация потока заряженных частиц в зоне 3 происходит за счет разряда между электродами 4, 5, подключенными к источнику питания 6, и ускорения зарядов в приэлектродном слое у обрабатываемого изделия 7. Локализация магнитного поля обеспечивается использованием электромагнитов с сердечниками или постоянных магнитов (фиг. 2). В случае примера реализации, представленного на фиг. 1, пространственная локализация магнитного поля достигается применением магнитного экрана 8. В качестве источника химически активных радикалов в этом примере реализации используется ВЧ-разряд в скрещенных пе 5 10 15 20 ременном электрическом и постоянном магнитном полях, который поджигается между электродами 9, 10, подключенными в ВЧ-генерзтору 11. По сравнению с прототипом происходит 1,5-2 -кратное снижение загрязнения обрабатываемого изделия. Формула изобретения Способ плазмохимической обработки, включащий воздействие на обрабатываемое изделие химически активных нейтральных частиц и потоков заряженных частиц, генерация которых осуществляется в физически разделенных пространствах, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества обработки и выхода годных изделий, на область пространства между зонами генерации химически активных нейтральных частиц и потоков заряженных частиц воздействуют магнитным полем с индукцией, содержащей компоненту, параллельную плоскости обрабатываемого изделия и превышающую 0,005 Тл. Ш1 \Т \ Ж в Откачка Фиг.1 1637596 H к 1 Откачка Фие.2 Редактор О.Стенина Составитель Ю.Воронов Техред М.Моргентал Корректор В.Гирняк Заказ 1092/ДСЛ Тираж 229 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР .113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101