Патенти з міткою «іонно-плазмової»

Номер патенту: 121079

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Селезньов Вадим Григорович, Зайцев Олег Іванович, Самовол Вікторія Володимирівна, Зубко Максим Іванович

МПК: C23C 14/48

Мітки: обробки, іонно-плазмової, вакуумної, інструмента, спосіб, твердого, сплаву, комбінованої

Формула / Реферат:

1. Спосіб комбінованої вакуумної іонно-плазмової обробки інструмента з твердого сплаву, що полягає в обробці деталей у газорозрядній плазмі, що містить іони аргону, який включає одночасне очищення іонами аргону та дифузійне насичення поверхні деталі з використанням генератора плазми, і наступне осадження шарів зносостійкого покриття в дуговому газовому розряді, який відрізняється тим, що дифузійне насичення здійснюють іонами азоту...

Номер патенту: 119384

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Зайцев Олег Іванович, Селезньов Вадим Григорович, Самовол Вікторія Володимирівна, Зубко Максим Іванович

МПК: C23C 14/48

Мітки: спосіб, обробки, швидкорізальної, сталі, комбінованої, інструмента, вакуумної, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

1. Спосіб комбінованої вакуумної іонно-плазмової обробки інструмента зі швидкорізальної сталі, що полягає в обробці деталей у газорозрядній плазмі, що містить іони аргону, який включає одночасне очищення іонами аргону та дифузійне насичення поверхні деталі з використанням плазмового генератора, і наступне осадження шарів зносостійкого покриття в дуговому газовому розряді, який відрізняється тим, що дифузійне насичення здійснюють іонами азоту...

Номер патенту: 110362

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Костюк Геннадій Ігорович, Сисоєв Юрій Олександрович

МПК: C23C 14/32, F28D 20/00, H05B 7/18 ...

Мітки: застосування, іонно-плазмової, камери, установки, пристрою, плазми, нагріву, вакуумної, джерела

Формула / Реферат:

1. Застосування акумульованого тепла теплоносія, нагрітого джерелом плазми для нагріву вакуумної камери іонно-плазмової установки.2. Застосування за п. 1, яке відрізняється тим, що джерело плазми забезпечено регулятором протоки рідини, що нагрівається.3. Застосування за п. 2, яке відрізняється тим, що джерело плазми додатково містить датчик вимірювання температури рідини на її виході з джерела плазми.

Номер патенту: 48187

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Михайлов Олександр Миколайович, Михайлова Олена Олександрівна, Маджид Абдул-Джалил Хамад

МПК: C23C 14/50

Мітки: стрижневих, обертання, камери, установки, вакуумний, пристрій, іонно-плазмової, виробів

Формула / Реферат:

Пристрій для обертання стрижневих виробів у вакуумній камері іонно-плазмової установки, що має обертовий вал, на якому закріплена планшайба, виконана у вигляді водила і встановлена співвісно центральному зубчастому колесу, нерухомо закріпленому до основи вакуумної камери, при цьому по окружності периферії планшайби з можливістю обертання змонтовані сателіти, які мають отвори для прилаштування стрижневих виробів, забезпечені зубчастими...

Номер патенту: 49263

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Жаровський Григорій Яковлевич, Борисова Ніна Миколаївна, Золотухін Олександр Віталійович, Дабіжа Євген Вікторович

МПК: H01J 37/08, C23C 14/32

Мітки: пристрій, виробів, обробки, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

Пристрій для іонно-плазмової обробки виробів, що містить два електроди, один з яких (катод) розташований вертикально і виведений одним  кінцем через ізольований ввід з вакуумної камери, а з боку другого кінця міститься вузол підпалювання дуги, електрично зв'язаний з пристроєм підпалювання, механічний пристрій гасіння дуги, розміщений навкруги вертикально розташованого електрода з боку ізольованого вводу, відкачувальну вакуумну систему з...

Номер патенту: 71526

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Гришкевич Олександр Дмитрович

МПК: C23C 14/00

Мітки: поверхні, плазмовий, обробки, струмі, пристрій, змінному, внутрішньої, іонно-плазмової, трубі

Формула / Реферат:

1. Плазмовий пристрій на змінному струмі для іонно-плазмової обробки внутрішньої поверхні труби, який містить один спільний електрод - анод, з'єднаний з середньою точкою вторинної обмотки трансформатора - джерела живлення розряду, два робочих електроди - катоди, з'єднані з початком і кінцем вторинної обмотки через тиристори і систему тиристорного управління (ТСУ) вмиканням розрядної і ініціюючої напруги ТСУ, який відрізняється тим, що ТСУ має...

Номер патенту: 71519

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Гришкевич Олександр Дмитрович

МПК: C23C 14/00

Мітки: поверхні, пристрій, іонно-плазмової, плазмовий, тріодного, типу, труб, обробки, внутрішньої

Формула / Реферат:

Плазмовий пристрій тріодного типу для іонно-плазмової обробки внутрішньої поверхні труби, що складається з трубчатого катода з діаметром Д1, змонтованої на катоді системи ініціювання дугового розряду, співвісної катоду циліндричної анодної конструкції з діаметром Д2, між якими ввімкнуте джерело живлення дугового розряду, співвісного їм циліндричного позитивного електрода з діаметром Д3, який через високовольтне джерело постійного струму...

Номер патенту: 14091

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Трипута Геннадій Олександрович

МПК: H01L 21/302

Мітки: іонно-плазмової, реактор, обробки

Формула / Реферат:

Реактор для ионно-плазменной обработки, содержащий вакуумную камеру, в которой соосно размещены разрядные электроды в виде кольца и диска с обрабатываемым изделием, подключенные к независимым источникам ВЧ-напряжения и раз­деленные промежуточным заземленным электро­дом, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и снижения загряз­нения поверхности изделия, он снабжен дополни­тельными электродами в виде диска,...

Номер патенту: 11181

Опубліковано: 25.12.1996

Автор: Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/26

Мітки: іонно-плазмової, обробки, спосіб

Формула / Реферат:

Способ ионно-плазменной обработки, включающий воздействие на обрабатываемое изделие химически активными нейтральными и заряженными частицами, генерацию которых осуществляют в физически разделенных пространствах, отличающийся тем, что в пространстве генерации химически активных нейтральных частиц возбуждают электронную плазменную волну с частотой в области нижнегибридного резонанса и с продольной по отношению к магнитному полю фазовой...

Номер патенту: 11022

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Дудкін Володимир Олександрович, Вус Олександр Степанович, Пуха Володимир Єгорович

МПК: H01J 37/08, C23C 14/32

Мітки: іонно-плазмової, обробки, виробів, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для ионно-плазменной обработки изделий, преимущественно для нанесения покры­тий на длинномерные изделия, содержащее два водоохлаждаемых электрода, один из которых имеет цилиндрическую форму и выведен одним концом через изолированный ввод из вакуумной камеры, гасящее устройство, расположенное вокруг цилин­дрического электрода со стороны изолированного ввода, поджигающее устройство, расположенное у противоположного конца...

Номер патенту: 5642

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Гурін Анатолій Андрійович, Хоменко Павло Хомич, Хоббіхожин Шаміль Абдурахмановіч, Трипута Геннадій Олександрович

МПК: C23C 14/02, H01L 21/302

Мітки: пристрій, обробки, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

(57) Устройство для ионно-плазменной обра­ботки, содержащее вакуумную камеру, в ко­торой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источ­никам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с от­верстием, при этом обрабатываемое изде­лие размещено на одном из разрядных электродов напротив отверстия промежу­точного электрода, отличающееся тем, что оно снабжено дополнительным элект­родом, размещенным на...

Номер патенту: 172

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Трипута Геннадій Олександрович

МПК: H01L 21/26

Мітки: обробки, іонно-плазмової, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ ионно - плазменной обработки в скрещен­ных ВЧ электрическом и постоянном магнитном полях, включающие удаление материала с обрабатываемого изделия под действием заряженных и нейтральных частиц плазмы в условиях замагниченности электродов wне/nен>1, где wне - электронная циклотронная часто­та для минимального значения индукции магнитного поля, neн - частота упругих столкновений электронов с нейтральными частицами.отличающиися тем,...