Установка для виготовлення виробів засобом гальванопластики

Изобретение относится к гальванопластике и может быть использовано при про изводстве рефлекторов и гелиоконцентраторов методом гальванопластики. Целью изобретения является повышение качества обработки и увеличение номенклатуры обрабатываемых изделий. Установка выполнена так, что появляется возможность менять положение катод-матрицы относительно уровня электролита в ванне и использовать катод-матрицы различных размеров. Установка включает электролитическую ванну 1, неподвижные аноды 3, катод-матрицу 2, закрепленную на валу 4 механизма вращения 11, траверсу, которая движется по стойкам 7 и гибкое звено 10 объемной гидростатической передачи. 2 ил. о о ел Уровень алемтро/и/то 8 вате // З/іектро/шт Фиг.Z - '^ЧМ.'ТСЬ'Я*. Х-. • .з 1611995 Изобретение относится к гальванопластике, в частности к устройствам для изготовления рефлекторов больших зеркальных антенн и гелиоконцентраторов методами гальванопластики. Целью изобретения является повышение качества обработки и расширение функциональных возможностей установки путем увеличения номенклатуры обрабатываемых изделий. На фиг.1 изображена предлагаемая установка, вид спереди; на фиг.2 - то же, вид справа. Установка для изготовления рефлекторов больших зеркальных антенн содержит электролитическую ванну 1, внутри которой размещается катод-матрица 2 и неподвижный анодЗ, катод-матрица 2 закреплена на конце вала 4 телескопической конструкции. Вал 4 с помощью шарнира 5 прикреплен свободно к траверсе б, которая движется по стойкам 7 вверх и вниз с помощью червячной пары 8 и электродвигателя 9. Траверса 6 с помощью гибкого звена 10 соединена с валом 4 через хвостовик проушины шарнирно. Установка работает следующим образом. После закрепления катод-матрицы 2 на валу 4 механизма 11 вращения катод-матрица 2 опускается в электролитическую ванну 1, траверса 6 поднимается до верхнего положения на стойке 7, соответствующего полному погружению катод-матрицы в электролит. Ванна заполняется электролитом до полного погружения катод-матрицы 2 в электролит, включается источник питания и начинается электролитический процесс осаждения металла натокопроводящую катод-матрицу 2, которая вращается на валу 4, Процесс осаждения металла на катодматрицу 2 длительный и разбит на несколько этапов с различными плотностями катодного тока. По мере осаждения металла на катодматрицу 2 и получения минимально заданной толщины осадка на поверхности катод-матрицы 2 траверсу 6 опускают до определенного положения на стойке 7 и, соответственно, через гибкое звено 10 объемной гидростатической передачи автоматически отклоняется на определенный угол вал 4 механизма вращения катод-матрицы 2, что соответствует определенному положению катод-матрицы 2 относительно уровня электролита в ванне {т.е. часть по 5 10 15 20 25 30 35 40 верхности осаждения катод-матрицы 2 начинает периодически погружаться в электролит). Таким образом, на участок катод-матрицы 2, который периодически по-, гружается в электролит, осаждается металла меньше, т.е. соблюдается зависимость, чем меньше поверхность осаждения находится в электролите,.тем меньше осаждается металла на эту поверхность. При движении траверсы б по стойкам 7 вниз она проходит несколько фиксированных положений, которые соответствуют определенным углам отклонения вала механизма вращения и определенному положению катод-матрицы относительно уровня электролита в ванне, т.е. площадь осаждения катод-матрицы, которая периодически погружается в электролит, увеличилась в несколько раз, что улучшает качество осадка, так как появляется возможность лучшего отделения водорода в процессе электролиза. Таким образом, увеличивая или уменьшая площадь осаждения на катод-матрице и регулируя длительность процесса осаждения по времени в каждом фиксированном положении катод-матрицы, можно получать переменную толщину по меридиану рефлектора, ставя ее в зависимость от требований к конструкции рефлектора, Использование предлагаемой установки для изготовления рефлекторов больших зеркальных антенн методом гальванопластики позволяет по сравнению с существующими расширить функциональные возможности и номенклатуру изготавливаемых изделий, повысить качество изготавливаемых изделий и получать изделия переменной толщиной осаждаемого металла по меридиану. Формула изобретения Установка для изготовления изделий методом гальванопластики, преимущественно рефлекторов больших зеркальных антенн и гелиоконцентраторов, содержащая 45 ванну для электролита, неподвижный анод, катод-матрицу, размещенные на валу механизма ее вращения, закрепленного с возможностью вертикального перемещения на траверсе, и устройство для поддержания по50 стоянного уровня электролита в ванне, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения качества обработки и увеличения номенклатуры обрабатываемых изделий, вал механизма вращения выполнен телескрпи55 ческим, а траверса через гибкое звено гидростатической передачи шарнирно соединена с наружной втулкой вала. 1611995 Фиг.1 Редактор Н.Рогулич Составитель И.Саакова Техред М.Моргентал Корректор М.Самборская Заказ 3816 Тираж 546 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101